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制备V_（1－x）M_xO_2（M＝Cr、Ti、Mo、W，0≤x＜0．2）陶瓷的湿化学方法──氧钒（Ⅳ）碱式碳酸铵掺杂母体法 被引量：4
1
作者 郑臣谋 罗裕基 黄坤耀 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1996年第4期621-626,共6页
利用ＶＯ（２＋）与ＮＨ４ＨＣＯ３反应生成对氧颇稳定的氧钒（Ⅳ）碱式碳酸铵晶体的特性，分别掺入Ｃｒ（３＋）、ＴｉＯ（２＋）、ＭｏＯ（３＋）、ＷＯ杂质离子合成ＶＯ２掺杂母体；母体在Ｎ２气氛下、≤４００℃时，热分解制得活性... 利用ＶＯ（２＋）与ＮＨ４ＨＣＯ３反应生成对氧颇稳定的氧钒（Ⅳ）碱式碳酸铵晶体的特性，分别掺入Ｃｒ（３＋）、ＴｉＯ（２＋）、ＭｏＯ（３＋）、ＷＯ杂质离子合成ＶＯ２掺杂母体；母体在Ｎ２气氛下、≤４００℃时，热分解制得活性大的标题化合物，再经压片、１０５０℃高温烧结０．５ｈ得到陶瓷．合成试样相变时，电阻率改变约３个数量级，与传统固－固合成法的相同，但温化学法与固－固合成法比较具有节能、简便、设备要求较低、成本低的优点． 展开更多
关键词 氧化钒陶瓷 掺杂母体 湿化学 氧钒 碳酸铵
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韧化处理对 VO_2陶瓷的绝缘—导电转变及力学性能的影响
2
作者 杨朝晖 罗裕基 +1 位作者 郑臣谋 张进修 《材料科学进展》 CSCD 1991年第4期342-345,共4页
用盐酸肼法制得了纯 VO_2粉末并用典型陶瓷工艺制得了多晶 VO_2陶瓷。研究了 VO_2陶瓷中的绝缘(单斜)-导电(四方)转变,转变前后的电阻变化达四个数量级。研究了韧化处理对电阻突变比和力学性能的影响,发现少量五价钒的存在不但有利于提... 用盐酸肼法制得了纯 VO_2粉末并用典型陶瓷工艺制得了多晶 VO_2陶瓷。研究了 VO_2陶瓷中的绝缘(单斜)-导电(四方)转变,转变前后的电阻变化达四个数量级。研究了韧化处理对电阻突变比和力学性能的影响,发现少量五价钒的存在不但有利于提高电阻突变比,而且所产生的增韧作用使 VO_2陶瓷的力学性能达到了实际应用的要求。 展开更多
关键词 vo2陶瓷 韧化处理 力学 电阻
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一级固态相变中的耗散函数Ⅱ。VO_2中的变温结构转变
3
作者 张进修 杨朝晖 《中山大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1990年第3期43-48,共6页
测量了多晶VO_2在结构相变过程中的低频内耗和模量随温度、变温速率以及测量频率的变化,观测到相变内耗峰和明显的模量极小值。利用内耗和模量随升温速率及测量频率变化的数据,计算出了VO_2陶瓷在升温相变过程中的耗散函数⊿G_R(T)。它... 测量了多晶VO_2在结构相变过程中的低频内耗和模量随温度、变温速率以及测量频率的变化,观测到相变内耗峰和明显的模量极小值。利用内耗和模量随升温速率及测量频率变化的数据,计算出了VO_2陶瓷在升温相变过程中的耗散函数⊿G_R(T)。它表征了相变过程中的能量耗散率和相界面的动性。 展开更多
关键词 氧化钒 一级相变 耗散函数
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VO_2纳米粉体与纳米晶功能陶瓷的制备与特性 被引量：5
4
作者 雷德铭 何山 +1 位作者 傅群 郑臣谋 《哈尔滨理工大学学报》 CAS 2002年第6期72-74,共3页
热解(NH4)5[(VO)6(CO3)4(OH)9]@10H2O晶体前驱体.可制得粒径可控为10～60 nm、VO1.950±x～VO2.050±x(x＜0.005)整比性可控的无定形态、准结晶态或结晶态、颗粒均匀、呈球形的VO2纳米粉体.VO2纳米粉体烧结成粒径＜400nm,比值... 热解(NH4)5[(VO)6(CO3)4(OH)9]@10H2O晶体前驱体.可制得粒径可控为10～60 nm、VO1.950±x～VO2.050±x(x＜0.005)整比性可控的无定形态、准结晶态或结晶态、颗粒均匀、呈球形的VO2纳米粉体.VO2纳米粉体烧结成粒径＜400nm,比值ρs/ρM可达103数量级跳变的VO2纳米晶陶瓷.随缺氧的增加,Tc和ρs/ρM比值降低,晶胞的a,c轴和体积V都随之减小.烧结温度过高,陶瓷出现V8O15杂相,杂相严重降低陶瓷的性能. 展开更多
关键词 功能陶瓷 制备 特性 vo2纳米粉体 vo2纳米晶陶瓷 热解 二氧化钒 烧结
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