期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
模板法制备介孔VN纳米电极材料及其电容性能 被引量：1
1
作者 高兆辉 张浩 +2 位作者 曹高萍 韩敏芳 杨裕生 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第12期1261-1265,共5页
以十六烷基三甲基溴化铵（CTAB）为模板剂,通过高温氨解还原V2O5前驱体制得了具有丰富介孔的VN纳米材料,采用XRD与TEM分析观察样品的结构和形貌,用N2吸附测试样品的比表面积和孔径分布.XRD分析表明,介孔VN纳米材料属于立方晶系的晶体结... 以十六烷基三甲基溴化铵（CTAB）为模板剂,通过高温氨解还原V2O5前驱体制得了具有丰富介孔的VN纳米材料,采用XRD与TEM分析观察样品的结构和形貌,用N2吸附测试样品的比表面积和孔径分布.XRD分析表明,介孔VN纳米材料属于立方晶系的晶体结构.TEM和N2吸附测试结果表明,VN纳米材料的颗粒粒径大约为10 nm,比表面积为88 m2/g,有比较丰富的2~6 nm的介孔.在1 mol/L KOH电解液中进行循环伏安和恒流充放电测试研究其电容性能,结果显示,VN电极同时具有双电层电容性能和氧化–还原反应的准电容性能,1 mV/s的扫描速率下能获得517 F/g的比电容;当扫描速率增大到10 mV/s时,其比电容仍有275 F/g. 展开更多
关键词 电化学电容器 介孔材料 vn纳米晶 比表面积 比电容
下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部