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提高通用IC测试系统瞬态大电流测试可靠性的研究
1
作者
刘汝刚
孙曦东
《微处理机》
2017年第6期25-29,共5页
对瞬态大电流的参数进行测试,实质上就是测试桥式驱动集成电路的MOSFET短路电流持续时间。现有的测试手段无法在IC测试系统上实现可靠的全参数测试。鉴于此,以现有的IC测试系统为平台,特别是依托国产IC测试系统,尝试解决瞬态大电流参数...
对瞬态大电流的参数进行测试,实质上就是测试桥式驱动集成电路的MOSFET短路电流持续时间。现有的测试手段无法在IC测试系统上实现可靠的全参数测试。鉴于此,以现有的IC测试系统为平台,特别是依托国产IC测试系统,尝试解决瞬态大电流参数测试结果的可靠性问题,实现桥式驱动集成电路自动化、全参数的测试,最终提高集成电路测试结果的准确性和可靠性。
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关键词
VMOS工艺
驱动
测试
J750测试系统
数字波形
绝缘栅双极晶体管
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职称材料
题名
提高通用IC测试系统瞬态大电流测试可靠性的研究
1
作者
刘汝刚
孙曦东
机构
中国电子科技集团公司第四十七研究所
出处
《微处理机》
2017年第6期25-29,共5页
文摘
对瞬态大电流的参数进行测试,实质上就是测试桥式驱动集成电路的MOSFET短路电流持续时间。现有的测试手段无法在IC测试系统上实现可靠的全参数测试。鉴于此,以现有的IC测试系统为平台,特别是依托国产IC测试系统,尝试解决瞬态大电流参数测试结果的可靠性问题,实现桥式驱动集成电路自动化、全参数的测试,最终提高集成电路测试结果的准确性和可靠性。
关键词
VMOS工艺
驱动
测试
J750测试系统
数字波形
绝缘栅双极晶体管
Keywords
VMOS process
Driver
Test
J750
Digital waveform
IGBT
分类号
TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
提高通用IC测试系统瞬态大电流测试可靠性的研究
刘汝刚
孙曦东
《微处理机》
2017
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