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NSVIP50工艺提升放大器性能
1
作者 空竹 《电子设计应用》 2005年第11期88-88,共1页
关键词 NS vip50 模拟工艺技术 运算放大器 绝缘硅 内置电阻器
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VIP50工艺技术为后盾 NS大幅提升各种放大器性能
2
作者 宫丽华 《电子测试（新电子）》 2005年第10期86-86,共1页
VIP50工艺是美国国家半导体(NS)独家专有的全新绝缘硅(SOI)BiCMOS工艺技术,VIP50的晶体管都装设于SOI圆片之上,然后以沟道互相隔离.这种隔离设计可将寄生电容减至极少,并可大幅提高放大器的带宽/功率比.其工艺优点是可以确保放大器芯片... VIP50工艺是美国国家半导体(NS)独家专有的全新绝缘硅(SOI)BiCMOS工艺技术,VIP50的晶体管都装设于SOI圆片之上,然后以沟道互相隔离.这种隔离设计可将寄生电容减至极少,并可大幅提高放大器的带宽/功率比.其工艺优点是可以确保放大器芯片能在0.9V～12V之间的供电电压范围内操作. 展开更多
关键词 vip50工艺 绝缘硅 放大器 芯片 供电电压 增益带宽积
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