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前缘凹坑及涡流发生器对风力机翼型气动性能影响
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作者 冯学斌 凡盛 +3 位作者 詹佳普 胡杰桦 梁鹏程 戴龙侠 《机械设计与研究》 CSCD 北大核心 2023年第4期247-251,256,共6页
通过风洞试验,对相对厚度为21%的风力机翼型及前缘凹坑进行研究。前缘凹坑损伤是采用三维软件进行建模,并利用3D打印技术对模型进行加工的。本次风洞试验考虑了光滑模型、前缘凹坑模型以及增加涡流发生器(VG)后翼型的气动性能。通过对... 通过风洞试验,对相对厚度为21%的风力机翼型及前缘凹坑进行研究。前缘凹坑损伤是采用三维软件进行建模,并利用3D打印技术对模型进行加工的。本次风洞试验考虑了光滑模型、前缘凹坑模型以及增加涡流发生器(VG)后翼型的气动性能。通过对升力系数及压力系数的分析进行流态判读,并采用荧光丝线方式进行流动显示,揭示了翼型失速过程。同时,测试结果表明,前缘凹坑会降低翼型的升力系数,增加翼型的阻力系数。而在前缘带凹坑的翼型上安装VG后,可以改善前缘凹坑翼型的气动性能。 展开更多
关键词 风洞试验 3D打印 前缘凹坑 VG 荧光丝线
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三峡左岸电站VGS机组推力轴承瓦温分析 被引量:1
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作者 张晓澍 杨年浩 张承俊 《水电站机电技术》 2007年第4期5-7,共3页
针对三峡左岸电站VGS水轮发电机组推力轴承运行时瓦温偏高的现象,介绍了VGS水轮发电机组推力轴承的结构、运行及技术改造情况,重点分析了瓦温与推力轴承工作特性之间的关系,这对三峡上游蓄水156m后机组稳定运行具有重要的意义。
关键词 vgs 推导轴承 温度
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主动敏感器系统用于自动交会对接 被引量:3
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作者 Richard T.Howard 焦强 《控制工程(北京)》 1998年第5期58-64,共7页
NASA马歇尔空间飞行中心开发出一种主动敏感器系统——视频引导传感器(VGS),以提供近距离相对位置和姿态数据。VGS是自动交会对接系统的一部分。VGS确定主动敏感器和被动目标间的相对位置和姿态(共有6个自由度)。它利用激光二极管照射... NASA马歇尔空间飞行中心开发出一种主动敏感器系统——视频引导传感器(VGS),以提供近距离相对位置和姿态数据。VGS是自动交会对接系统的一部分。VGS确定主动敏感器和被动目标间的相对位置和姿态(共有6个自由度)。它利用激光二极管照射目标中的逆反射器来工作,固态摄象机探测目标反射器的回波,帧捕获器和数字信号处理器把视频信息转换为相对位置和姿态。当前该传感器的设计是几年来开发与试验的结果,现在正在研制以使其成为航天飞机上的试验载荷。VGS系统的视场为相对方位角±10.5°,相对仰角±8°。该系统在上述视场内从1m到110m距离和±10°的相对滚动角、相对俯仰角和相对偏航角范围内捕获和跟踪目标。传感器以5Hz输出数据,目标和传感器软件的设计允许两个独立传感器同时工作以提供冗余。 展开更多
关键词 主动敏感器 对接 vgs 自动交会对接
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儿童青少年双眼跳跃功能的发展特性 被引量:2
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作者 静进 张小庄 森永良子 《中华儿科杂志》 CAS CSCD 北大核心 2000年第8期497-500,共4页
目的 了解儿童双眼视觉诱导性眼跳跃 (VGS)和记忆诱导性眼跳跃 (MGS)随年龄发展的特性。方法 采用组合式眼动仪附加多视角定位测试法 ,对 5~ 19岁健康男性儿童青少年按年龄分为 8组 ,每组 8人进行双眼跳跃功能测定。二极管红色闪烁点... 目的 了解儿童双眼视觉诱导性眼跳跃 (VGS)和记忆诱导性眼跳跃 (MGS)随年龄发展的特性。方法 采用组合式眼动仪附加多视角定位测试法 ,对 5~ 19岁健康男性儿童青少年按年龄分为 8组 ,每组 8人进行双眼跳跃功能测定。二极管红色闪烁点 (LED)定位于中央点、水平方向、垂直方向和斜方向 ,各方向视角分别有 5、10、15、2 0、30、40度 6个点 ,共计 49个闪烁点 ,指标包括潜伏期、振幅准确率以及最大角速度。结果 VGS和MGS潜伏期均随年龄增长而缩短 ,5~ 13岁儿童期VGS潜伏期在 2 0 0~ 40 0ms范围内 ,15~ 19岁以后稳定于 2 0 0ms;MGS潜伏期 9岁以下平均为 46 1ms,11~15岁为 381ms ,17~ 19岁为 2 72ms。VGS和MGS振幅准确度均随年龄而呈递增趋势 ,MGS更加明显。VGS和MGS最大角速度亦随年龄增长而呈缩短趋势 ,表明随年龄递增 ,眼动稳定性增强 ,振幅准确率提高 ;比较而言 ,MGS较VGS发展特性与年龄相关更密切 ,提示MGS与阅读时的眼动和大脑基底核功能相关 ,可作为临床检测指标。结论 儿童双眼跳跃功能随年龄增长而提高 ,阅读时的双眼跳跃主要受MGS作用影响。 展开更多
关键词 儿童 视觉 记忆 眼跳跃 vgs MGS
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贴片场效应晶体管的参数速查资料
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作者 李光成 《家电检修技术》 2014年第12期57-58,共2页
关键词 DMOS FP vgs 内部电路
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Fabrication and Characterization of 1700 V 4H-SiC Vertical Double-Implanted Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors
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作者 申华军 唐亚超 +6 位作者 彭朝阳 邓小川 白云 王弋宇 李诚瞻 刘可安 刘新宇 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2015年第12期109-112,共4页
The fabrication and characterization of 1700 V 7 A 4H-SiC vertical double-implanted metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (VDMOSFETs) are reported. The drift layer is 17μm in thickness with 5 × 10... The fabrication and characterization of 1700 V 7 A 4H-SiC vertical double-implanted metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (VDMOSFETs) are reported. The drift layer is 17μm in thickness with 5 × 10^15 cm^-3 n-type doping, and the channel length is 1μm. The MOSFETs show a peak mobility of 17cm2/V.s and a typical threshold voltage of 3 V. The active area of 0.028cm2 delivers a forward drain current of 7A at Vcs = 22 V and VDS= 15 V. The specific on-resistance (Ron,sv) is 18mΩ.cm2 at VGS= 22 V and the blocking voltage is 1975 V (IDS 〈 lOOnA) at VGS = 0 V. 展开更多
关键词 SiC Fabrication and Characterization of 1700 V 4H-SiC Vertical Double-Implanted Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors vgs VDS MOSFET
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功率MOSFET基本知识——功率MOSFET的特性曲线
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作者 方佩敏 《无线电》 2004年第5期57-58,共2页
功率MOSFET几个参数之间通常有一定的关系,一般可用特性曲线来表达,最重要的有:输出特性曲线、转移特性曲线和不同VGS、ID与RDS(ON)的特性曲线。本文主要介绍这三种特性曲线。
关键词 功率MOSFET 特性曲线 输出特性曲线 转移特性曲线 vgs RDS
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面向动态ORing和热插拔应用的MOSFET
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《今日电子》 2009年第9期67-68,共2页
IRF6718在新款大罐式DirectFET封装中融入了IR新一代硅技术,可提供极低的通态电阻(在10V Vgs时典型值为0.5m(2),同时kgD2PAK的占位面积缩小60%,高度缩小85%。新器件大幅减少了有关旁路元件的传导损耗,
关键词 MOSFET DirectFET封装 热插拔 应用 通态电阻 传导损耗 硅技术 vgs
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Investigation on interaction of L-aspartic acid with Vctoria Green S and its application
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作者 LU Li-yuan ZHAO Dan-hua ZI Yan-qin 《Journal of Chemistry and Chemical Engineering》 2008年第6期38-43,51,共7页
The interaction of L-Aspartic acid (Asp) with Vctoria Green S (VGS) in pH 6.0 Britton-Robinson buffer solution has been investigated by UV/Vis spectropbotometry and resonance light scattering (RLS) technique. Th... The interaction of L-Aspartic acid (Asp) with Vctoria Green S (VGS) in pH 6.0 Britton-Robinson buffer solution has been investigated by UV/Vis spectropbotometry and resonance light scattering (RLS) technique. The non-covalent interactions such as hydrogen bond, salt linkage and hydrophobic bond were proposed to explain the interaction between VGS and Asp. It indicated that Asp could link each other to form a long chain by salt linkages and hydrogen bonds in aqueous medium. Then the long chain surrounded the hydrophobic groups of VGS via hydrophobic interaction and reacted with VGS by salt linkages and hydrogen bonds to form a macromolecular aggregation. The aggregation was much bigger than VGS itself. So the color became deeper and the system's absorption and RLS intensity increased. The increase in the absorbance at 617nm was proportional to the concentration of Asp, providing a basis for the quantitative determination of Asp. This method was simple and efficient than the ordinary methods and had been applied to the direct determination of Asp with satisfactory results. 展开更多
关键词 L-Aspartic acid Vctoria Green S SPECTROPHOTOMETRY resonance light scattering non-covalent bond
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利用内容基因系统提升IPTV 内容运营质量
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作者 田芳 《数字传媒研究》 2021年第9期64-67,共4页
基于多方内容汇聚(互联网+牌照方+第三方内容提供商)的VGS(Video GenomeSystem)内容基因系统,是一个通用的IPTV内容基因库,通过沉淀内容基因,完善内容编目,汇聚全网热点内容信息,为IPTV内容运营赋能,提供更加精准、有效、丰富的内容支撑... 基于多方内容汇聚(互联网+牌照方+第三方内容提供商)的VGS(Video GenomeSystem)内容基因系统,是一个通用的IPTV内容基因库,通过沉淀内容基因,完善内容编目,汇聚全网热点内容信息,为IPTV内容运营赋能,提供更加精准、有效、丰富的内容支撑,为内容引入提供指导及决策依据。 展开更多
关键词 vgs 内容基因系统 内容编目 内容基因库 IPTV
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最新模拟器快报
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作者 Monster 《家用电脑与游戏机》 2000年第4期89-90,共2页
关键词 模拟器 vgs 模拟速度 PlayStation游戏
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SiC MOSFET短路特性及过流保护研究 被引量:12
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作者 王占扩 童朝南 黄伟超 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2020年第18期5751-5759,共9页
为了提高电力电子装置中SiC MOSFET可靠性,对SiC MOSFET短路特性和过流保护进行研究。首先在不同的母线电压和环境温度下,对处于短路状态的SiC MOSFET的电流IDS和导通压降VDS(ON)进行测量和分析,在此基础上设计基于VDS(ON)检测的过流保... 为了提高电力电子装置中SiC MOSFET可靠性,对SiC MOSFET短路特性和过流保护进行研究。首先在不同的母线电压和环境温度下,对处于短路状态的SiC MOSFET的电流IDS和导通压降VDS(ON)进行测量和分析,在此基础上设计基于VDS(ON)检测的过流保护电路,比较两种消隐电路对保护的影响,实验证明,在消隐电路工作时,较大的充电电流可有效缩短保护时间,但电路功率消耗较大。针对半桥直通短路,根据SiC MOSFET的工作特性,提出一种基于门极电压VGS检测的直通短路保护方法,将半桥两只SiC MOSFET的VGS电压于门极阈值电压比较,如果同时超过阈值电压,可判断发生直通短路,实验表明,提出的保护方法具有保护时间快,短路电流小的特点,与VDS(ON)检测的过流保护电路配合,可以有效地保护SiC MOSFET。 展开更多
关键词 SiC MOSFET 特性短路 过流保护 VDS(ON)检测 vgs检测
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三峡左岸电站VGS水轮发电机组轴线调整及总装 被引量:7
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作者 戴昆 《水电站机电技术》 2004年第2期1-4,共4页
简要介绍三峡左岸电站VGS机组结构特点,总装特点,盘车及轴线调整的程序、计算方法,程序修改情况及对工期的影响等。
关键词 三峡左岸电站 vgs水轮发电机组 轴线 盘车 总装
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三峡左岸电站VGS 700MW水轮发电机组结构特点及安装技术 被引量:6
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作者 王启茂 《水电站机电技术》 2004年第2期106-112,共7页
针对三峡左岸电站VGS机组的结构设计和机组安装的特点,介绍其安装过程中的新技术和新方法,为今后特大型水轮发电机组的安装提供可借鉴的宝贵经验。
关键词 三峡左岸电站 vgs水轮发电机组 安装 调试 通航建筑物
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Enhancing urban resilience in hot humid climates:A conceptual framework for exploring the environmental performance of vertical greening systems(VGS) 被引量:1
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作者 Aya Gamal Osama Abo Eleinen +1 位作者 Sara Eltarabily Dalia Elgheznawy 《Frontiers of Architectural Research》 CSCD 2023年第6期1260-1284,共25页
Vertical greening systems(VGS)are promising green infrastructure(GI)techniques for addressing urban resilience issues,like mitigating high temperatures and air pollution.This research aims to develop a conceptual fram... Vertical greening systems(VGS)are promising green infrastructure(GI)techniques for addressing urban resilience issues,like mitigating high temperatures and air pollution.This research aims to develop a conceptual framework to help designers better understand the VGS’effects on buildings and urban areas,focusing on thermal performance and air quality improvement in hot,humid climates.The framework consists of three steps:(1)Identifying climate problems that hinder the improvement of built environment resilience in hot climates;(2)Selecting VGS as a type of GI that can enhance urban resilience;(3)Identifying the common key factors that impact both thermal performance and air quality while developing VGS at the urban and building scales.The results show that the framework can be customized to suit hot climate conditions.However,when applying VGS in built environment with specified climate conditions,the construction of VGS,greenery coverage ratio,plant species,facade orientation,and VGS formation have the most significant influences on their environmental performance.Additionally,the air gap between VGS and the facade has optimal performance in hot,humid climates.The paper concludes with some recommendations for future research and practice on VGSs in hot and humid climates. 展开更多
关键词 Vertical greening systems(vgs) Green infrastructure(GI) RESILIENCE Thermal performance Air quality Street canyon Climate change
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热水解污泥厌氧消化过程中肠球菌抗生素抗性基因与毒力基因的转归 被引量:3
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作者 李慧莉 裴媛玫 +4 位作者 李姗 何芙蓉 杨月婷 魏源送 佟娟 《环境科学》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第7期3270-3275,共6页
城市污泥中含有大量肠球菌,可携带抗生素抗性基因(antibiotic resistance genes,ARGs)和毒力基因(virulence gene,VGs),从而具有潜在的耐药性和致病性,对人类健康存在巨大威胁.为此考察了热水解污泥在中温(40℃)/高温(55℃)厌氧消化过... 城市污泥中含有大量肠球菌,可携带抗生素抗性基因(antibiotic resistance genes,ARGs)和毒力基因(virulence gene,VGs),从而具有潜在的耐药性和致病性,对人类健康存在巨大威胁.为此考察了热水解污泥在中温(40℃)/高温(55℃)厌氧消化过程中肠球菌的耐药表型、基因型及携带VGs的变化规律.结果表明,厌氧进泥中肠球菌对阿奇霉素的耐药率均显著高于螺旋霉素和四环素.高温厌氧对肠球菌的数量及耐药性具有更好地控制及削减效果.高温厌氧消化可能会促进四环素类抗性基因在肠球菌的表达.中温、高温厌氧消化可促进ARGs在肠球菌中发生水平转移,导致其潜在双重甚至多重耐药性增加.中温厌氧消化可降低肠球菌同时具有潜在致病性和耐药性的几率,而高温厌氧消化则会增加此风险. 展开更多
关键词 热水解污泥 厌氧消化 肠球菌 抗生素抗性基因(ARGs) 毒力基因(vgs)
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三峡VGS发电机定子铁芯叠装技术 被引量:5
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作者 王启茂 《水电站机电技术》 2004年第2期23-25,28,共4页
对于超大型定子的安装,如何保证铁芯的叠装质量,从而保证机组安全运行,铁芯叠装是一个非常关键的工序,本文主要介绍了三峡VGS机组定子铁芯的结构特点和现场的叠装工艺。
关键词 三峡工程 浮动式结构 vgs发电机 定子 铁芯叠装 水轮发电机
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Simplified mathematical model of inter-turn short circuit of field windings in hydro-generators and its application 被引量:5
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作者 HAO LiangLiang WU JunYong +1 位作者 SUN YuGuang WANG XiangHeng 《Science China(Technological Sciences)》 SCIE EI CAS 2013年第4期898-909,共12页
Inter-turn short circuit of field windings is a common electrical fault of generators.Simulation is an important method of investigating the fault and providing data support for fault monitoring.However,huge numbers o... Inter-turn short circuit of field windings is a common electrical fault of generators.Simulation is an important method of investigating the fault and providing data support for fault monitoring.However,huge numbers of pole pairs and damper loops in large hydro-generators would lead to lengthy calculation time,hindering scientific research and engineering application.To deal with this problem,we analyze a theoretical basis for a damper winding simplified model and then propose an equivalent treatment method.Through the analysis of steady-state current harmonic characteristics of generators with different stator winding configurations during the fault,the simplified models suitable for steady-state calculation are derived from two aspects,namely,additional rotor harmonic current frequency characteristics and the relationship of the amplitude as well as the phase of each branch current of the stator.The calculation and experimental results of the two simplified models are then compared to verify the models' correctness.A calculation example of the Three Gorges left bank VGS generator shows few deviations between the calculation results of the simplified model and the original model.Moreover,the calculation time using the simplified model is 1/1500 that using the original model,which provides a more effective tool for on-line fault monitoring.Finally,the sensitivity-verification application of the fault-monitoring scheme based on the stator steady-state unbalanced current RMS is depicted.The result shows that the scheme can monitor two-turn short circuits of field windings in the Three Gorges generator and provide high sensitivity. 展开更多
关键词 HYDRO-GENERATOR field windings inter-turn short circuit simplified model on-line monitoring
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退火工艺对注F MOSFET辐照特性的影响 被引量:4
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作者 张国强 余学锋 +5 位作者 高文钰 任迪远 严荣良 赵元富 胡浴红 王英明 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1993年第1期45-49,共5页
比较了注F后900℃ N_2退火30分钟和950℃ N_2退火10分钟两种退火方式制作的P沟MOSFET和N沟MOSFET的电离辐照行为。结果发现,注F后900℃ N_2退火30分钟具有较强的抑制辐射感生氧化物电荷和界面态增长的能力。用退火工艺影响栅介质中缺陷... 比较了注F后900℃ N_2退火30分钟和950℃ N_2退火10分钟两种退火方式制作的P沟MOSFET和N沟MOSFET的电离辐照行为。结果发现,注F后900℃ N_2退火30分钟具有较强的抑制辐射感生氧化物电荷和界面态增长的能力。用退火工艺影响栅介质中缺陷的消除模型对实验结果进行了讨论。 展开更多
关键词 氧化物 电离辐射 退火 工艺 MOSFET
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一种全MOS低温漂电压基准源的研究 被引量:1
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作者 宋文青 于奇 +3 位作者 冯纯益 张军 朱波 郑杰 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2013年第2期210-212,217,共4页
通过利用改进型低压Tracking-VGS结构的栅源电压差ΔVGS,对NMOS晶体管的阈值电压进行补偿,提出一种全MOS低温漂电压基准源结构,获得了电源抑制特性较好的低温漂基准电压。基于2.5V65nm标准CMOS工艺,对电路进行HSPICE仿真验证。结果显示:... 通过利用改进型低压Tracking-VGS结构的栅源电压差ΔVGS,对NMOS晶体管的阈值电压进行补偿,提出一种全MOS低温漂电压基准源结构,获得了电源抑制特性较好的低温漂基准电压。基于2.5V65nm标准CMOS工艺,对电路进行HSPICE仿真验证。结果显示:在-40℃~125℃温度范围内,基准电压为1.1V,温度系数为1.6×10-5/℃,电源抑制比为-51dB。 展开更多
关键词 Tracking-vgs 温度补偿 NMOS栅源电压 电压基准源
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