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基于V_(BE)线性化与分段补偿技术的带隙基准电压源 被引量：2
1
作者 王永泽 《数字技术与应用》 2018年第12期54-55,共2页
基于SMIC 0.18μm CMOS工艺,采用VBE线性化补偿技术与温度分段补偿技术设计了一种高精度的带隙基准电压源。仿真结果显示,所设计的带隙基准电压源在-40℃～125℃内获得了0.47ppm/℃的温漂系数,在低频处获得了-60dB的电源抑制。
关键词 带隙基准 vbe线性化补偿 温度分段补偿 电源抑制
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一种高精度带隙基准电压源 被引量：2
2
作者 郭涛 《集成电路应用》 2020年第2期22-23,共2页
基于华虹0.35μm BCD工艺,采用VBE补偿与分段线性补偿技术,设计了一种高精度带隙基准电压源。仿真结果显示在-40~125℃内获得了0.47 ppm/℃的温漂系数,在低频处获得了-58.26 dB的电源抑制比。
关键词 基准电压源 分段线性补偿 电源抑制比 vbe线性补偿
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