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V-4Cr-4Ti/Ti复合材料界面的辐照损伤特性研究 被引量:1
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作者 李然然 张一帆 +4 位作者 耿殿程 张高伟 渡边英雄 韩文妥 万发荣 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第21期233-240,共8页
采用透射电子显微镜和纳米压痕技术研究了高能Fe10+离子注入后V-4Cr-4Ti/Ti复合材料界面辐照硬化、辐照缺陷以及微观结构的变化.根据样品成分和微观结构的特征,将该复合材料分成V-4Cr-4Ti基体、界面I、界面II和Ti基体四个区域.纳米压痕... 采用透射电子显微镜和纳米压痕技术研究了高能Fe10+离子注入后V-4Cr-4Ti/Ti复合材料界面辐照硬化、辐照缺陷以及微观结构的变化.根据样品成分和微观结构的特征,将该复合材料分成V-4Cr-4Ti基体、界面I、界面II和Ti基体四个区域.纳米压痕结果表明,辐照后样品均发生了辐照硬化,但界面处的辐照硬化远低于两基体,说明异质材料界面表现出了良好的抗辐照硬化能力.透射电子显微镜结果表明,辐照后界面处的辐照缺陷密度较小、尺寸较大、分布较均匀;而在两基体中辐照缺陷密度大、尺寸小且大量缠结.辐照后V-4Cr-4Ti基体、界面I区和界面II区均有一些富Ti析出物,但界面I的析出物数量和尺寸均高于界面II和V-4Cr-4Ti基体.由于Ti的析出改变了样品中局部的V/Ti比,导致界面I部分区域由b-Ti转变为a-Ti,形成a+b Ti共存区. 展开更多
关键词 v-4cr-4ti/ti 异质材料界面 析出物 辐照缺陷
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V-4Cr-4Ti/Ti扩散连接的初步研究 被引量:3
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作者 张高伟 韩文妥 +1 位作者 崔丽娟 万发荣 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第5期1537-1542,共6页
利用锻造加工进行了V-4Cr-4Ti/Ti两种材料的扩散连接,并通过OM,SEM,EDS,剪切实验等手段初步分析和研究了扩散接头的微观结构及其结合强度。微观结构分析结果表明,扩散接头平滑无缺陷,其总宽度约为100μm,并明显地分为Ⅰ、Ⅱ两部分:靠近T... 利用锻造加工进行了V-4Cr-4Ti/Ti两种材料的扩散连接,并通过OM,SEM,EDS,剪切实验等手段初步分析和研究了扩散接头的微观结构及其结合强度。微观结构分析结果表明,扩散接头平滑无缺陷,其总宽度约为100μm,并明显地分为Ⅰ、Ⅱ两部分:靠近Ti基体侧的Ⅰ区较宽,由致密的针状魏氏组织组成;靠近V-4Cr-4Ti合金一侧的Ⅱ区是宽度均匀的β-Ti带状组织,其宽度只有Ⅰ区的一半左右。根据材料基体和扩散接头的硬度分布规律,可以将它们进一步分为A^F 6个区域,其中C区的硬度最高,其与钛基体交界区域的最大硬度高达3320MPa,远高于基体材料的硬度(钛基体的平均硬度为1900MPa,钒合金基体为2580 MPa),而E区的硬度较低,最低仅为1820MPa。剪切实验结果表明,扩散接头的抗剪切强度大于165.2MPa,且断裂发生在靠近扩散接头的钛基边界区域,这里同时也是硬度最大的区域,可能是钛基体在冷却过程中发生相变而导致局部区域应力集中所造成的。 展开更多
关键词 v-4cr-4ti/ti扩散连接 锻造加工 断面形貌 剪切强度
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