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可用于弱光探测器的量子线研究进展
被引量：
1
1
作者
鞠研玲
杨晓红
+6 位作者
韩勤
杜云
倪海桥
黄社松
王鹏飞
贺继方
牛智川
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第1期11-15,共5页
以量子线作为导电沟道的场效应弱光探测器可在低工作电压下达到很高灵敏度。文章主要对可用于此种弱光探测器的V型和脊形量子线的生长机理和制备方法进行综述,给出了量子线的PL测试结果。采用MBE外延生长法在V型槽图形衬底上生长了GaAs/...
以量子线作为导电沟道的场效应弱光探测器可在低工作电压下达到很高灵敏度。文章主要对可用于此种弱光探测器的V型和脊形量子线的生长机理和制备方法进行综述,给出了量子线的PL测试结果。采用MBE外延生长法在V型槽图形衬底上生长了GaAs/AlGaAs量子线FET外延结构,扫描电子显微镜下初步判定在V型槽底部形成了截面近三角形的量子线结构。
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关键词
光电探测器
v
型
槽
量子
线
量子
线
下载PDF
职称材料
题名
可用于弱光探测器的量子线研究进展
被引量：
1
1
作者
鞠研玲
杨晓红
韩勤
杜云
倪海桥
黄社松
王鹏飞
贺继方
牛智川
机构
中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室
中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室
出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第1期11-15,共5页
基金
国家"973"计划项目(2007CB936304
2006cB302802)
国家"863"计划项目(2007AA03Z421)
文摘
以量子线作为导电沟道的场效应弱光探测器可在低工作电压下达到很高灵敏度。文章主要对可用于此种弱光探测器的V型和脊形量子线的生长机理和制备方法进行综述,给出了量子线的PL测试结果。采用MBE外延生长法在V型槽图形衬底上生长了GaAs/AlGaAs量子线FET外延结构,扫描电子显微镜下初步判定在V型槽底部形成了截面近三角形的量子线结构。
关键词
光电探测器
v
型
槽
量子
线
量子
线
Keywords
photodetector
v
-groo
v
ed quantum wires
quantum wires （QWRs）
分类号
TN471.1 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
可用于弱光探测器的量子线研究进展
鞠研玲
杨晓红
韩勤
杜云
倪海桥
黄社松
王鹏飞
贺继方
牛智川
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2009
1
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