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图形衬底量子线生长制备与荧光特性研究
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作者 王秀平 杨晓红 +8 位作者 韩勤 鞠研玲 杜云 朱彬 王杰 倪海桥 贺继方 王国伟 牛智川 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期170-174,共5页
报道了在V型槽图形衬底上利用分子束外延技术外延生长的GaAs/AlGaAs量子线.外延截面在扫描电子显微镜下可以看到在V型槽底部形成了弯月型量子线结构,量子线尺寸约为底边60nm高14nm的近三角形.低温87K下光致发光谱测试在793.7和799.5nm... 报道了在V型槽图形衬底上利用分子束外延技术外延生长的GaAs/AlGaAs量子线.外延截面在扫描电子显微镜下可以看到在V型槽底部形成了弯月型量子线结构,量子线尺寸约为底边60nm高14nm的近三角形.低温87K下光致发光谱测试在793.7和799.5nm处出现峰值,验证了量子线的存在.理论近似计算结果显示,相比等宽度量子阱有8meV的蓝移正是由于横向量子限制引起的. 展开更多
关键词 v型槽图形衬底 量子线 GAAS
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