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V高掺杂量对ZnO(GGA+U)导电性能和吸收光谱影响的研究
被引量：
3
1
作者
侯清玉
吕致远
赵春旺
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第19期288-295,共8页
目前,在V高掺杂ZnO中,当V掺杂量摩尔数为0.03125—0.04167的范围内,掺杂量越增加,电阻率越增加或越减小的两种实验结果均有文献报道.为解决这个矛盾,本文采用密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法,构建未掺杂ZnO,V高掺杂的Zn1-xV...
目前,在V高掺杂ZnO中,当V掺杂量摩尔数为0.03125—0.04167的范围内,掺杂量越增加,电阻率越增加或越减小的两种实验结果均有文献报道.为解决这个矛盾,本文采用密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法,构建未掺杂ZnO,V高掺杂的Zn1-xVxO(x=0.03125,0.04167)两种超胞模型,首先,对所有体系进行几何结构优化,在此基础上,采用GGA+U的方法,计算所有体系的能带结构分布、态密度分布、吸收光谱分布.结果表明,当掺杂量摩尔数为0.03125—0.04167的范围内,V掺杂量越增加,掺杂体系体积越增加,总能量越下降,形成能越减小,掺杂体系越稳定,相对电子浓度越减小,迁移率越减小,电导率越减小,最小光学带隙越增加,吸收光谱蓝移越显著.计算结果与实验结果相一致.
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关键词
v
高掺杂
zno
电导率
吸收光谱
第一性原理
原文传递
题名
V高掺杂量对ZnO(GGA+U)导电性能和吸收光谱影响的研究
被引量：
3
1
作者
侯清玉
吕致远
赵春旺
机构
内蒙古工业大学理学院物理系
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第19期288-295,共8页
基金
国家自然科学基金(批准号:61366008
51261017)
+1 种基金
教育部"春晖计划"项目
内蒙古自治区高等学校科学研究项目(批准号:NJZZ13099)资助的课题~~
文摘
目前,在V高掺杂ZnO中,当V掺杂量摩尔数为0.03125—0.04167的范围内,掺杂量越增加,电阻率越增加或越减小的两种实验结果均有文献报道.为解决这个矛盾,本文采用密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法,构建未掺杂ZnO,V高掺杂的Zn1-xVxO(x=0.03125,0.04167)两种超胞模型,首先,对所有体系进行几何结构优化,在此基础上,采用GGA+U的方法,计算所有体系的能带结构分布、态密度分布、吸收光谱分布.结果表明,当掺杂量摩尔数为0.03125—0.04167的范围内,V掺杂量越增加,掺杂体系体积越增加,总能量越下降,形成能越减小,掺杂体系越稳定,相对电子浓度越减小,迁移率越减小,电导率越减小,最小光学带隙越增加,吸收光谱蓝移越显著.计算结果与实验结果相一致.
关键词
v
高掺杂
zno
电导率
吸收光谱
第一性原理
Keywords
v
heavy
doped
to
zno
conducti
v
ity
absorption
spectrum
first-principles
分类号
O483 [理学—固体物理]
O433.51 [理学—物理]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
V高掺杂量对ZnO(GGA+U)导电性能和吸收光谱影响的研究
侯清玉
吕致远
赵春旺
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014
3
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