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一种基于AlGaN和石墨烯的紫外-红外双色探测器 被引量:3
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作者 刘翌寒 曹伟 +5 位作者 李绍娟 李洋 孙世闯 付凯 陈长清 张宝顺 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第10期1167-1170,共4页
通过MOCVD和CVD生长技术,利用高Al组分Al Ga N和单层石墨烯材料进行纵向集成,成功制备了日盲紫外-近红外双色探测器。在工作温度为室温、调制频率为209 Hz以及工作电压分别为10 V和5 V的工作条件下,所制备的双色探测器在紫外波段263 nm... 通过MOCVD和CVD生长技术,利用高Al组分Al Ga N和单层石墨烯材料进行纵向集成,成功制备了日盲紫外-近红外双色探测器。在工作温度为室温、调制频率为209 Hz以及工作电压分别为10 V和5 V的工作条件下,所制备的双色探测器在紫外波段263 nm处的响应度为5.9 m A/W,在近红外波段1.15μm处的响应度为0.67 m A/W,并且探测器的响应度均随着工作电压的增加而增大。 展开更多
关键词 ALGAN 石墨烯 紫外-红外双色探测器
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