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纳米压印技术在制造领域的应用 被引量:1
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作者 姚志军 《印制电路信息》 2020年第12期51-56,共6页
微纳米加工技术作为一种典型的先进制造技术,其制造精度可达到纳米级别,在小型甚至微型元器件、微型芯片及生物传感器的制造、批量化生产中具有不可取代的作用。纳米压印技术作为新型的光刻技术,具有成本低、分辨率高、效率高、制造流... 微纳米加工技术作为一种典型的先进制造技术,其制造精度可达到纳米级别,在小型甚至微型元器件、微型芯片及生物传感器的制造、批量化生产中具有不可取代的作用。纳米压印技术作为新型的光刻技术,具有成本低、分辨率高、效率高、制造流程便捷等优点。文章围绕纳米压印技术的主流方法进行介绍,对纳米热压印、紫外纳米压印、纳米电极光刻等方法的特点及原理进行了阐述,并对纳米压印技术的应用做出了总结和展望。 展开更多
关键词 微纳米加工技术 纳米热压印 紫外纳米压印 纳米电极光刻
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新型高抗粘紫外纳米压印光刻胶的工艺研究 被引量:1
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作者 李中杰 林宏 +2 位作者 姜学松 王庆康 印杰 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2010年第3期179-182,192,共5页
为了减少紫外纳米压印技术脱模过程中的接触粘附力,开发了一种新型高流动、抗粘的紫外纳米压印光刻胶。光刻胶以BMA为聚合单体,添加特定配比的交联剂和光引发剂配置而成。紫外纳米压印实验在本课题组自主研发的IL-NP04型纳米压印机上完... 为了减少紫外纳米压印技术脱模过程中的接触粘附力,开发了一种新型高流动、抗粘的紫外纳米压印光刻胶。光刻胶以BMA为聚合单体,添加特定配比的交联剂和光引发剂配置而成。紫外纳米压印实验在本课题组自主研发的IL-NP04型纳米压印机上完成。实验得到光刻胶掩膜膜厚为1.21μm,结构尺寸深246nm,周期937.5nm。实验结果表明,在没有对石英模板表面进行修饰的情况下,该光刻胶依然表现出高可靠性和高图形转移分辨率,有效减少了紫外纳米压印工艺中的模板抗粘修饰的工艺步骤。 展开更多
关键词 紫外纳米压印 微/纳米尺寸图形 硅片衬底修饰 抗粘连层 图案复制
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紫外纳米压印技术的研究进展 被引量:6
3
作者 殷敏琪 孙洪文 王海滨 《微纳电子技术》 北大核心 2017年第5期347-354,共8页
传统的紫外纳米压印(UV-NIL)虽然不受曝光波长的限制,但是存在气泡残留、压印不均匀、模具寿命短等问题。为解决这些问题产生了各种新型UV-NIL工艺,针对这些工艺阐述了紫外纳米压印技术工艺要素的最新研究进展,包括模具、光刻胶的材料... 传统的紫外纳米压印(UV-NIL)虽然不受曝光波长的限制,但是存在气泡残留、压印不均匀、模具寿命短等问题。为解决这些问题产生了各种新型UV-NIL工艺,针对这些工艺阐述了紫外纳米压印技术工艺要素的最新研究进展,包括模具、光刻胶的材料与制备技术的现状,并列举了步进-闪光压印光刻(S-FIL)、卷对卷式紫外纳米压印光刻(R2R-NIL)等工艺的流程及其特点。紫外纳米压印的图形质量目前仍受光刻胶填充、固化、脱模等物理行为影响。结合最近的实验研究,从理论方面概述了紫外纳米压印的基本原理,主要指出了光刻胶流动行为以及模具降解等问题。最后介绍了一些紫外纳米压印技术的尖端应用。 展开更多
关键词 紫外纳米压印光刻(uv-NIL) 抗蚀剂 热压印光刻(T-NIL) 步进-闪光压印光刻(S-FIL) 卷对卷纳米压印光刻(R2R-NIL)
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紫外纳米压印抗蚀剂的研究进展
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作者 肖时卓 邹应全 《信息记录材料》 2009年第5期47-52,共6页
本文介绍了纳米压印技术的基本原理。总结了紫外纳米压印抗蚀剂的种类以及组分。具体包括丙烯酸酯体系、环氧树脂体系和乙烯基醚体系的配方组成及单体合成方法。比较了各个体系的优缺点。本文还分析了目前国内纳米压印抗蚀剂的研究现状... 本文介绍了纳米压印技术的基本原理。总结了紫外纳米压印抗蚀剂的种类以及组分。具体包括丙烯酸酯体系、环氧树脂体系和乙烯基醚体系的配方组成及单体合成方法。比较了各个体系的优缺点。本文还分析了目前国内纳米压印抗蚀剂的研究现状并对其研究方向进行了分析与展望。 展开更多
关键词 紫外纳米压印抗蚀剂 纳米压印技术(NIL) 丙烯酸酯 环氧树脂 乙烯基醚
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纳米压印光刻技术——下一代批量生产的光刻技术(英文) 被引量:2
5
作者 R.Pelzer P.Lindner +5 位作者 T.Glinsner B.Vratzov C.Gourgon S.Landis P.Kettner C.Schaefer 《电子工业专用设备》 2004年第7期3-9,共7页
纳米压印光刻技术已被证实是纳米尺寸大面积结构复制的最有前途的下一代技术之一。这种速度快、成本低的方法成为生物化学、μ级流化学、μ-TAS和通信器件制造以及纳米尺寸范围内广泛应用的一种日渐重要的方法,如生物医学、纳米流体学... 纳米压印光刻技术已被证实是纳米尺寸大面积结构复制的最有前途的下一代技术之一。这种速度快、成本低的方法成为生物化学、μ级流化学、μ-TAS和通信器件制造以及纳米尺寸范围内广泛应用的一种日渐重要的方法,如生物医学、纳米流体学、纳米光学应用、数据存储等领域。由于标准光刻系统的波长限制、巨大的开发工作量、以及高昂的工艺和设备成本,纳米压印光刻技术可能成为主流IC产业中一种真正富有竞争性方法。对细小到亚10nm范围内的极小复制结构,纳米压印技术没有物理极限。从几种纳米压印光刻技术中选择两种前景广阔的方法——热压印光刻(HEL)和紫外压印光刻(UV-NIL)技术给予介绍。两种技术对各种各样的材料以及全部作图的衬底大批量生产提供了快速印制。重点介绍了HEL和UV-NIL两种技术的结果。全片压印尺寸达200mm直径,图形分辨力高,拓展到纳米尺寸范围。 展开更多
关键词 纳米压印技术 热压印 紫外压印 电铸光刻
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软膜紫外光固化纳米压印中Amonil光刻胶的刻蚀参数优化(英文) 被引量:1
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作者 陈静 石剑 +2 位作者 刘正堂 DECANINI Dominique HAGHIRI-GOSNET Anne-Marie 《纳米技术与精密工程》 EI CAS CSCD 2012年第1期52-58,共7页
报道了反应离子刻蚀转移图形过程中对Amonil光刻胶的刻蚀参数优化的结果.利用软膜紫外光固化纳米压印技术,首先制备了线宽/间距均为200 nm的纳米光栅结构.然后采用反应离子刻蚀的方法去除残留的Amonil光刻胶.研究了不同的气体组成、射... 报道了反应离子刻蚀转移图形过程中对Amonil光刻胶的刻蚀参数优化的结果.利用软膜紫外光固化纳米压印技术,首先制备了线宽/间距均为200 nm的纳米光栅结构.然后采用反应离子刻蚀的方法去除残留的Amonil光刻胶.研究了不同的气体组成、射频功率、压强和气体流量对刻蚀形貌、表面粗糙度以及刻蚀速度的影响.在优化的工艺条件下,获得了理想的具有垂直侧壁形貌和较小表面粗糙度的纳米光栅阵列.结果表明,选择优化的刻蚀工艺参数,既能有效地改善图形转移的性能,同时也能提高所制备结构的光学应用特性. 展开更多
关键词 软膜紫外光固化纳米压印 反应离子刻蚀 刻蚀形貌 表面粗糙度
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软膜紫外光固化纳米压印制备等离子体纳米孔结构的工艺优化
7
作者 陈静 刘正堂 Anne-Marie Haghiri-Gosnet 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第4期899-903,908,共6页
利用软膜紫外光固化纳米压印技术和反应离子刻蚀技术在玻璃衬底上制备了等离子体纳米孔阵列。为了实现高分辨低成本软膜紫外光固化纳米压印技术在生物传感领域的应用和产业化,必须对压印的一些具体工艺参数如压印压力进行优化。在这项... 利用软膜紫外光固化纳米压印技术和反应离子刻蚀技术在玻璃衬底上制备了等离子体纳米孔阵列。为了实现高分辨低成本软膜紫外光固化纳米压印技术在生物传感领域的应用和产业化,必须对压印的一些具体工艺参数如压印压力进行优化。在这项工作中,压印压力最小化到10 psi,结果表明这一数值足以保证图案的精确复制以及图案转移的保真度。最后,利用反应离子刻蚀的方法去除残余光胶,并用剥离的方法进行图案转移,成功地制备出了均匀性良好的金纳米孔阵列。为了证明金属纳米周期结构在生物传感上的应用,使该阵列表面吸附蛋白质分子,结果观察到明显的透射峰偏移。 展开更多
关键词 软膜紫外光固化纳米压印 等离子体纳米孔阵列 生物传感
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Mold deformation in soft UV-nanoimprint lithography 被引量:1
8
作者 LAN HongBo DING YuCheng +4 位作者 LIU HongZhong QUE YeRong TAO WeiWei LI HanSong LU BingHeng 《Science China(Technological Sciences)》 SCIE EI CAS 2009年第2期294-302,共9页
UV-nanoimprint lithography (UV-NIL) using a soft mold is a promising technique with low cost and high throughput for producing the submicron scale large-area patterns. However, the deformations of the soft mold during... UV-nanoimprint lithography (UV-NIL) using a soft mold is a promising technique with low cost and high throughput for producing the submicron scale large-area patterns. However, the deformations of the soft mold during imprinting process which can cause serious consequences have to be understood for the practical application of the process. This paper investigated the deformation of the soft mold by theoretical analyses, numerical simulations, and experimental studies. We simulated the mold deformation using a simplified model and finite element method. The simulation and the related experimental results agree well with each other. Through the investigation, the mechanism and affected factors of the mold deformation are revealed, and some useful conclusions have been achieved. These results will be valuable in optimizing the imprinting process conditions and mold design for improving the quality of transferred patterns. 展开更多
关键词 uv-nanoimprint LITHOGRAPHY (uv-NIL) SOFT MOLD DEFORMATION numerical simulation finite element model
原文传递
含氟紫外纳米压印光刻胶的研制 被引量:5
9
作者 赵彬 周伟民 +5 位作者 张静 刘彦伯 王金合 张燕萍 施利毅 张剑平 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2012年第7期471-477,共7页
从主体树脂性质、光引发剂的选择、助剂的选择、溶剂的设计等多个方面论述了含氟纳米压印光刻胶的研制工艺。在纯有机材料为主体的光刻胶中引入了全氟丙烯酸酯助剂,解释了含氟助剂在光刻胶中的作用。使用接触角法评估了全氟丙烯酸酯对... 从主体树脂性质、光引发剂的选择、助剂的选择、溶剂的设计等多个方面论述了含氟纳米压印光刻胶的研制工艺。在纯有机材料为主体的光刻胶中引入了全氟丙烯酸酯助剂,解释了含氟助剂在光刻胶中的作用。使用接触角法评估了全氟丙烯酸酯对光刻胶表面性质的影响,并通过接触角数据预测了光刻胶的脱模能力。通过旋涂、压印、刻蚀等实验验证了光刻胶的性能,并通过实验数据筛选出了最佳配方。研制出的光刻胶样品图形保真度高、分辨率好,对底材有良好的黏附力,且具有良好的脱模能力。 展开更多
关键词 紫外纳米压印 光刻胶 含氟助剂 接触角 脱模
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纳米压印光刻胶 被引量:2
10
作者 赵彬 张静 +5 位作者 周伟民 王金合 刘彦伯 张燕萍 施利毅 张剑平 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2011年第9期606-612,共7页
光刻胶是纳米压印的关键材料,其性能将影响压印图形复制精度、图形缺陷率和图形向底材转移时刻蚀选择性。提出了成膜性能、硬度黏度、固化速度、界面性质和抗刻蚀能力等压印光刻胶的性能指标。并根据工艺特点和材料成分对光刻胶分类,介... 光刻胶是纳米压印的关键材料,其性能将影响压印图形复制精度、图形缺陷率和图形向底材转移时刻蚀选择性。提出了成膜性能、硬度黏度、固化速度、界面性质和抗刻蚀能力等压印光刻胶的性能指标。并根据工艺特点和材料成分对光刻胶分类,介绍了热压印光刻胶、紫外压印光刻胶、步进压印式光刻胶和滚动压印式光刻胶的特点以及碳氧类纯有机材料、有机氟材料、有机硅材料做压印光刻胶的优缺点。列举了热压印、紫外压印、步进压印工艺中具有代表性的光刻胶实例,详细分析了其配方中各组分的比例和作用。介绍了可降解光刻胶的原理。展望了压印光刻胶的发展趋势。 展开更多
关键词 纳米压印(NIL) 热压印光刻胶 紫外压印光刻胶 氟聚合物 有机硅聚合物
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