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非均匀场磁共振成像仪物理设计要点和应用定位 被引量：3
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作者 俎栋林 孙春发 +4 位作者 赵旭娜 唐昕 刘文韬 桂之钎 曹学明 《北京大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期377-384,共8页
阐明了单边型非均匀场的特征是垂直和平行于表面方向分别存在巨大梯度和均匀场。揭示了对样品表面层进行磁共振成像(MRI)分析的物理原理。针对这种非均匀场MRI的特定条件,对物理设计要点比如90°,180°RF脉冲、编码方式、脉冲... 阐明了单边型非均匀场的特征是垂直和平行于表面方向分别存在巨大梯度和均匀场。揭示了对样品表面层进行磁共振成像(MRI)分析的物理原理。针对这种非均匀场MRI的特定条件,对物理设计要点比如90°,180°RF脉冲、编码方式、脉冲序列等提出了要求和限制。由对静态巨大梯度引起的扩散效应的定量计算数据对回波时间提出了限制条件,从而确定对编码梯度、RF场强度的要求,以及可实际运行的RF脉冲类型。定量计算了人脑单层面成像的时间,论证了介入应用的禁戒性。指出单边型非均匀场MRI的优势在于轻巧、便携、灵活,不受场合、地域、样品尺度等的限制,可在广阔的领域以非侵入式、非破坏性方式对任意大样品的表面层进行MRI分析和测量。 展开更多
关键词 单边MRI 非均匀场MRI NMR表面检测仪 便携式MRI u形磁体
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