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题名高功率CMOS太赫兹压控振荡器设计
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作者
高明杰
高海军
郑原野
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机构
杭州电子科技大学电子信息学院
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出处
《杭州电子科技大学学报（自然科学版）》
2018年第2期20-24,共5页
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基金
国家自然科学基金资助项目(61372021)
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文摘
在太赫兹频段,受有源器件截止频率、击穿电压以及无源器件较低品质因素的限制,信号源很难实现高功率输出。基于CMOS工艺实现高功率太赫兹压控振荡器,首先运用有源状态分析MOSFET器件,并采用多层共面波导MCPW结构优化无源器件,提高其品质因数,实现了振荡器的基波频率接近有源器件的最高振荡频率;其次,采用Triple-push结构实现三次谐波输出,并利用功率合成技术提升了谐波输出功率,实现了同时具有高频率、高功率特性的CMOS太赫兹压控振荡器。基于GF 65nm CMOS工艺的仿真结果表明,振荡频率为291GHz时,输出功率可达-9.4dBm。
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关键词
太赫兹
压控振荡器
高功率
多层共面波导
triple-push
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Keywords
terahertz
voltage controlled oscillator
high power
multilayer coplanar waveguide
triple-push
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分类号
TN752
[电子电信—电路与系统]
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