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Mg_(12)O_(12)纳米线掺杂3d过渡金属元素的第一性原理计算研究
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作者 王志腾 王翠军 +2 位作者 陈轩 陆树伟 段海明 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2023年第4期79-84,共6页
基于密度泛函第一性原理计算,系统研究了Mg_(12)O_(12)笼状团簇组装一维纳米线及其掺杂3d族元素体系的几何结构与电子结构.结果表明:Mg_(12)O_(12)团簇组装一维纳米线为非磁性半导体,带隙值为3.16 eV;掺杂Sc和V后,体系由半导体转变为金... 基于密度泛函第一性原理计算,系统研究了Mg_(12)O_(12)笼状团簇组装一维纳米线及其掺杂3d族元素体系的几何结构与电子结构.结果表明:Mg_(12)O_(12)团簇组装一维纳米线为非磁性半导体,带隙值为3.16 eV;掺杂Sc和V后,体系由半导体转变为金属;掺杂Ti、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu后体系仍然保持半导体特性、但带隙值明显减小,而掺杂Zn时带隙值变化不大;掺杂V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu后纳米线具有磁性. 展开更多
关键词 第一性原理 纳米线 过渡族原子掺杂 Mg_(12)O_(12)团簇
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