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运算放大器总剂量效应的PSPICE模拟计算 被引量：4
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作者 赵雯 郭红霞 +3 位作者 何宝平 张凤祁 罗尹虹 姚志斌 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第10期1297-1302,共6页
对双极及体硅CMOS工艺的单一和复合运算放大器的总剂量效应进行了PSPICE模拟计算,模拟通过改变运算放大器总剂量效应的敏感参数来实现,双极运算放大器的敏感参数是补偿电容和晶体管的电流放大倍数,CMOS型运算放大器的敏感参数是MOS管的... 对双极及体硅CMOS工艺的单一和复合运算放大器的总剂量效应进行了PSPICE模拟计算,模拟通过改变运算放大器总剂量效应的敏感参数来实现,双极运算放大器的敏感参数是补偿电容和晶体管的电流放大倍数,CMOS型运算放大器的敏感参数是MOS管的阈值电压。模拟结果表明随着总剂量辐照的增加,双极及CMOS运算放大器出现增益降低,带宽变小,转换速率下降的现象;在总剂量辐照效应下,两种工艺的复合运算放大器的抗总剂量性能优于单一运算放大器。 展开更多
关键词 总辐射剂量效应 运算放大器 PSPICE
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