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模板法制备CdS/TiO_2纳米管复合阵列薄膜及其光电性质 被引量：2
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作者 付冬伟 程轲 +4 位作者 袁占强 庞山 王广君 李蕴才 杜祖亮 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第3期231-238,共8页
采用ZnO纳米棒阵列为模板在氧化铟锡(ITO)导电玻璃衬底上制备了CdS/TiO2纳米管复合薄膜.利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、紫外-可见吸收分光光度计(UV-Vis)及表面光电压谱(SPS)研究了不同CdS沉积时间对复合薄膜的形貌、晶... 采用ZnO纳米棒阵列为模板在氧化铟锡(ITO)导电玻璃衬底上制备了CdS/TiO2纳米管复合薄膜.利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、紫外-可见吸收分光光度计(UV-Vis)及表面光电压谱(SPS)研究了不同CdS沉积时间对复合薄膜的形貌、晶体结构、光电性质的影响.研究结果表明,TiO2纳米管阵列表面沉积5minCdS纳米颗粒后,其表面光电压信号得到增强,并且其吸收光谱可拓展到可见光区;与吸收光谱相对应,在可见光区出现新的光电压谱响应区,这一现象说明与CdS复合可显著提高TiO2纳米管阵列的光电特性;随着CdS纳米颗粒沉积时间的增加,复合纳米管阵列薄膜在可见光区域的光电压强度逐渐减弱,我们用不同的电荷转移机制对此现象进行了详细的讨论和解释.除此之外,我们对TiO2纳米管阵列结构的比表面积对复合结构的光电特性影响也做了深入的讨论. 展开更多
关键词 tio2/cds纳米管阵 列薄膜 模板法 表面光电压谱(SPS) 光电特性 电荷转移
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