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制备工艺参数对TiN_x/Ag/TiN_x低辐射膜性能的影响 被引量:2
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作者 蒋攀 黄佳木 +1 位作者 郝晓培 董思勤 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第22期87-91,共5页
采用射频磁控溅射法在玻璃基片上沉积了TiNx/Ag/TiNx低辐射膜,研究了制备工艺参数对低辐射膜光学性能的影响以及低辐射膜的耐腐蚀性能。结果表明,TiNx薄膜可对膜系起到很好的保护作用,当膜系的TiNx保护层厚度为32nm、内层TiNx膜厚为16nm... 采用射频磁控溅射法在玻璃基片上沉积了TiNx/Ag/TiNx低辐射膜,研究了制备工艺参数对低辐射膜光学性能的影响以及低辐射膜的耐腐蚀性能。结果表明,TiNx薄膜可对膜系起到很好的保护作用,当膜系的TiNx保护层厚度为32nm、内层TiNx膜厚为16nm(氮气流量为55sccm)、Ag层厚度为16nm时,制备的低辐射膜系具有优良的透过率、低辐射性能和耐腐蚀性能。 展开更多
关键词 磁控溅射 tinx/ag/tinx 低辐射 耐腐蚀性能 透过率
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