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Al-18Si-5Ti合金中TiAlSi金属间化合物的形成 被引量:3
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作者 高通 刘相法 《精密成形工程》 2017年第5期50-56,共7页
目的选取Al-18Si-5Ti合金为研究对象,研究Ti Al Si金属间化合物成分、结构和形貌的形成规律。方法通过调整制备工艺(如熔体反应法、液固反应法),改变制备温度和原料(Ti源),可得到板片状或块状的Ti_7Al_5Si_(12)或Ti(Al_(1–x),Si_x)_3... 目的选取Al-18Si-5Ti合金为研究对象,研究Ti Al Si金属间化合物成分、结构和形貌的形成规律。方法通过调整制备工艺(如熔体反应法、液固反应法),改变制备温度和原料(Ti源),可得到板片状或块状的Ti_7Al_5Si_(12)或Ti(Al_(1–x),Si_x)_3相。结果使用海绵Ti为原料时,高的熔炼温度倾向于合成板片状Ti_7Al_5Si_(12),而低温则易于形成块状Ti_7Al_5Si_(12);当使用K_2TiF_6、Al-10Ti中间合金或以Al粉、Si粉及Ti粉为原料时,可通过熔体反应或液固扩散反应合成块状的Ti_7Al_5Si_(12)或Ti(Al_(1–x),Si_x)_3相。结论通过对熔体参数调整,可实现Al-Si系合金中TiAlSi相的设计。 展开更多
关键词 tiAlSi金属间化合物 熔体参数 ti 相变
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TiO_2对V_2O_5离子储存电极薄膜性能的影响 被引量:1
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作者 巫玮珊 梁小平 +6 位作者 王科翔 樊小伟 杨贵祥 陈鹏 王军 张薇 薛胜贤 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第5期140-145,共6页
采用溶胶-凝胶技术制备出(TiO2)x-V2O5复合离子存储电极薄膜,主要研究了有机、无机Ti源,TiO2掺杂量(x为0、0.05、0.1、0.2、0.3mol)等对V2O5薄膜结构与性能的影响。通过场发射扫描电镜(FE-SEM)、循环伏安测试(CV)、紫外-可见光谱等手段... 采用溶胶-凝胶技术制备出(TiO2)x-V2O5复合离子存储电极薄膜,主要研究了有机、无机Ti源,TiO2掺杂量(x为0、0.05、0.1、0.2、0.3mol)等对V2O5薄膜结构与性能的影响。通过场发射扫描电镜(FE-SEM)、循环伏安测试(CV)、紫外-可见光谱等手段研究了薄膜的表面形貌、电化学性能和光学性能。结果表明,TiO2掺杂降低了V2O5薄膜离子储存容量,采用无机Ti源四氯化钛较有机Ti源钛酸丁酯掺杂的复合薄膜具有更高的可见光透过率以及离子储存容量,与V2O5薄膜相比,透射率增大了20%。随着无机Ti源掺量增多,薄膜离子储存容量降低,但在循环过程中降低趋势减缓并逐渐保持稳定,50次循环后纯V2O5薄膜储存容量降低了25%,掺杂TiO2后平均降低16%,V2O5薄膜循环稳定性有所提高。TiO2掺杂显著降低了V2O5阴极的着色效应,随着TiO2掺量的增加,复合薄膜光透过性增强。 展开更多
关键词 V2O5 离子储存电极薄膜 溶胶-凝胶 tiO2掺杂 ti
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