镀制了多种氧化物介质薄膜。用R on 1方法测定了膜层的激光损伤阈值。引入数据处理方法,对测试数据进行分析。结果表明,基片清洗后,若放置一段时间再镀膜,则会影响到镀膜后膜层损伤阈值的均匀性,但对损伤阈值自身大小没有影响。测试... 镀制了多种氧化物介质薄膜。用R on 1方法测定了膜层的激光损伤阈值。引入数据处理方法,对测试数据进行分析。结果表明,基片清洗后,若放置一段时间再镀膜,则会影响到镀膜后膜层损伤阈值的均匀性,但对损伤阈值自身大小没有影响。测试激光参数对阈值均匀性也有一定影响。展开更多
分别采用离子注入隔离凹栅工艺、自隔离平面工艺、离子注入隔离平面工艺在非掺杂半绝缘 Ga As衬底上制备 MESFET,对三种工艺制备的 MESFET的阈值电压均匀性进行了研究。结果表明 ,器件工艺对 MESFET阈值电压有一定的影响 ,开展 Ga As ME...分别采用离子注入隔离凹栅工艺、自隔离平面工艺、离子注入隔离平面工艺在非掺杂半绝缘 Ga As衬底上制备 MESFET,对三种工艺制备的 MESFET的阈值电压均匀性进行了研究。结果表明 ,器件工艺对 MESFET阈值电压有一定的影响 ,开展 Ga As MESFET阈值电压均匀性研究应采用适宜的工艺 ,以尽可能减少工艺引起的偏差。展开更多
文摘分别采用离子注入隔离凹栅工艺、自隔离平面工艺、离子注入隔离平面工艺在非掺杂半绝缘 Ga As衬底上制备 MESFET,对三种工艺制备的 MESFET的阈值电压均匀性进行了研究。结果表明 ,器件工艺对 MESFET阈值电压有一定的影响 ,开展 Ga As MESFET阈值电压均匀性研究应采用适宜的工艺 ,以尽可能减少工艺引起的偏差。
