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太赫兹CMOS场效应管模型及实验分析
被引量：
2
1
作者
张镜水
孔令琴
+1 位作者
董立泉
赵跃进
《光学精密工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017年第12期3128-3136,共9页
针对商业CMOS(互补金属氧化物半导体)场效应管模型在高频下易失效的问题,运用ADS软件构建了基于经典动力学理论的非线性RCL传输线模型,并结合实测数据说明了本文模型的精准性及太赫兹波段场效应管的工作原理。构建了基于经典动力学理论...
针对商业CMOS(互补金属氧化物半导体)场效应管模型在高频下易失效的问题,运用ADS软件构建了基于经典动力学理论的非线性RCL传输线模型,并结合实测数据说明了本文模型的精准性及太赫兹波段场效应管的工作原理。构建了基于经典动力学理论的非线性RCL传输线模型仿真系统,并将其与商业模型仿真结果进行对比,分析了在太赫兹波段本文模型与商业模型的区别。测试了现有场效应管探测器的频率响应,并对实测数据与两种模型仿真数据进行对比,说明本文模型提高了预测精度。最后,结合3σ原则分析了场效应管沟道尺寸对载流子散射效应的影响,以及场效应管进入弹道工作模式的条件。实验结果表明:本文模型与商业模型的区别主要在于模型中是否存在电感部分,该部分可作为场效应管沟道中载流子动量是否守恒及散射效应是否可以忽略的表征参数。相较于商业模型,本文模型对探测器最佳频率工作点的预测精准度可提高0.3%,对探测器带宽的预测精准度可提高约10%。该项研究为CMOS场效应管模型的精确建立及仿真分析提供了良好基础。
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关键词
太赫兹
cmos
场效应管
场效应管探测器
场效应管模型
散射效应
下载PDF
职称材料
模拟电子技术发展的新趋势
被引量：
2
2
作者
于晓权
赖凡
付晓君
《微电子学》
CAS
北大核心
2021年第6期773-777,共5页
半导体科技是未来信息和通信技术发展的主要推动力,模拟电子技术是半导体科技的不可或缺的组成部分。文章阐述了受未来信息系统更大处理能力、更高传输能力、更低延时感知等需求的拉动,模拟电子技术在智能化感知和执行、新计算处理架构...
半导体科技是未来信息和通信技术发展的主要推动力,模拟电子技术是半导体科技的不可或缺的组成部分。文章阐述了受未来信息系统更大处理能力、更高传输能力、更低延时感知等需求的拉动,模拟电子技术在智能化感知和执行、新计算处理架构、高能量效率、整体协同开发平台等方面的几大主要技术发展趋势。讨论了模拟电子技术在晶体管、电路、模拟学习架构、先进工艺技术等基础层面以及通信领域中的重要研究方向。该综述研究显示了未来十年模拟电子关键技术的发展轮廓。
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关键词
模拟电子
半导体
信息和通信技术
智能化感知和执行
模拟生物启发学习
模拟ML架构
能量效率
硅突触晶体管
太赫兹
cmos
晶体管
FPAA
神经形态ADC/DAC
异构集成
整体协同开发
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职称材料
题名
太赫兹CMOS场效应管模型及实验分析
被引量：
2
1
作者
张镜水
孔令琴
董立泉
赵跃进
机构
北京理工大学光电学院
出处
《光学精密工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017年第12期3128-3136,共9页
基金
国家自然科学基金资助项目(No.61377109)
文摘
针对商业CMOS(互补金属氧化物半导体)场效应管模型在高频下易失效的问题,运用ADS软件构建了基于经典动力学理论的非线性RCL传输线模型,并结合实测数据说明了本文模型的精准性及太赫兹波段场效应管的工作原理。构建了基于经典动力学理论的非线性RCL传输线模型仿真系统,并将其与商业模型仿真结果进行对比,分析了在太赫兹波段本文模型与商业模型的区别。测试了现有场效应管探测器的频率响应,并对实测数据与两种模型仿真数据进行对比,说明本文模型提高了预测精度。最后,结合3σ原则分析了场效应管沟道尺寸对载流子散射效应的影响,以及场效应管进入弹道工作模式的条件。实验结果表明:本文模型与商业模型的区别主要在于模型中是否存在电感部分,该部分可作为场效应管沟道中载流子动量是否守恒及散射效应是否可以忽略的表征参数。相较于商业模型,本文模型对探测器最佳频率工作点的预测精准度可提高0.3%,对探测器带宽的预测精准度可提高约10%。该项研究为CMOS场效应管模型的精确建立及仿真分析提供了良好基础。
关键词
太赫兹
cmos
场效应管
场效应管探测器
场效应管模型
散射效应
Keywords
terahertz
cmos
transistor
detector
transistor
detector
model
scattering
effect
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
模拟电子技术发展的新趋势
被引量：
2
2
作者
于晓权
赖凡
付晓君
机构
中国电子科技集团公司第二十四研究所
模拟集成电路国家级重点实验室
出处
《微电子学》
CAS
北大核心
2021年第6期773-777,共5页
基金
模拟集成电路国家级重点实验室基金资助项目(614280201140117)。
文摘
半导体科技是未来信息和通信技术发展的主要推动力,模拟电子技术是半导体科技的不可或缺的组成部分。文章阐述了受未来信息系统更大处理能力、更高传输能力、更低延时感知等需求的拉动,模拟电子技术在智能化感知和执行、新计算处理架构、高能量效率、整体协同开发平台等方面的几大主要技术发展趋势。讨论了模拟电子技术在晶体管、电路、模拟学习架构、先进工艺技术等基础层面以及通信领域中的重要研究方向。该综述研究显示了未来十年模拟电子关键技术的发展轮廓。
关键词
模拟电子
半导体
信息和通信技术
智能化感知和执行
模拟生物启发学习
模拟ML架构
能量效率
硅突触晶体管
太赫兹
cmos
晶体管
FPAA
神经形态ADC/DAC
异构集成
整体协同开发
Keywords
analog
electronics
semiconductor
information
and
communication
technology
sensing
and
executive
intelligence
analog
bio-inspired
learning
analog
ML
architecture
energy
efficiency
silicon
synaptic
transistor
terahertz
cmos
transistor
FPAA
neuromorphic
ADC/DAC
heterogeneous
integration
holistic
co-development
分类号
TN401 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
太赫兹CMOS场效应管模型及实验分析
张镜水
孔令琴
董立泉
赵跃进
《光学精密工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017
2
下载PDF
职称材料
2
模拟电子技术发展的新趋势
于晓权
赖凡
付晓君
《微电子学》
CAS
北大核心
2021
2
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
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