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张应变、长波长In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)/InP量子阱材料的光荧光谱实验研究
1
作者
丁国庆
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1998年第4期54-58,共5页
给出了具有二三个量子阱的Ｉｎ１－ｘＧａｘＡｓｙＰ１－ｙ／ＩｎＰ张应变量子阱材料的光荧光谱及ｘ射线双晶衍射摇摆曲线，指出了光荧光峰为量子阱中导带子带和价带子带间本征复合机构所致。理论上分析了光荧光谱中双峰强度比随温度变...
给出了具有二三个量子阱的Ｉｎ１－ｘＧａｘＡｓｙＰ１－ｙ／ＩｎＰ张应变量子阱材料的光荧光谱及ｘ射线双晶衍射摇摆曲线，指出了光荧光峰为量子阱中导带子带和价带子带间本征复合机构所致。理论上分析了光荧光谱中双峰强度比随温度变化的关系，理论计算和实测结果基本一致。
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关键词
张应变
光荧光谱
量子阱材料
半导体材料
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职称材料
题名
张应变、长波长In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)/InP量子阱材料的光荧光谱实验研究
1
作者
丁国庆
机构
武汉电信器件公司
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1998年第4期54-58,共5页
文摘
给出了具有二三个量子阱的Ｉｎ１－ｘＧａｘＡｓｙＰ１－ｙ／ＩｎＰ张应变量子阱材料的光荧光谱及ｘ射线双晶衍射摇摆曲线，指出了光荧光峰为量子阱中导带子带和价带子带间本征复合机构所致。理论上分析了光荧光谱中双峰强度比随温度变化的关系，理论计算和实测结果基本一致。
关键词
张应变
光荧光谱
量子阱材料
半导体材料
Keywords
tensile
strain
photoluminescence
spectrums
quantum
well
material
分类号
TN304.01 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
张应变、长波长In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)/InP量子阱材料的光荧光谱实验研究
丁国庆
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1998
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