期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
大功率晶体管刻槽与钝化工艺研究 被引量：2
1
作者 万积庆 廖晓华 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第10期775-780,共6页
本文介绍一种光刻刻蚀造型和聚酰亚胺钝化方法.这一新方法称耗尽层刻蚀,它可以使平面型晶体管达到理想击穿电压,而只需用负角斜面所占面积的一部份,且其实际击穿电压取决于对刻蚀深度的细心控制. 实验证明:采用这一新方法可以改善功率... 本文介绍一种光刻刻蚀造型和聚酰亚胺钝化方法.这一新方法称耗尽层刻蚀,它可以使平面型晶体管达到理想击穿电压,而只需用负角斜面所占面积的一部份,且其实际击穿电压取决于对刻蚀深度的细心控制. 实验证明:采用这一新方法可以改善功率晶体管的击穿特性;减少低压击穿;抑制小电流H_(FE)退化;减小表面漏电和改善高温反向特性. 展开更多
关键词 晶体管 大功率 刻蚀 耗尽层 钝化
下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部