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碲锌镉晶体的铟碲共掺杂退火研究
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作者 戴伟 雷宇 +4 位作者 李州 王许琛 宋宏甲 钟向丽 王金斌 《现代应用物理》 2024年第2期26-33,41,共9页
针对生长态碲锌镉晶体缺陷密度大和电学性能无法满足室温核辐射探测器的制备要求等问题,研究了铟碲共掺杂退火对碲锌镉晶体碲夹杂和电学性能的影响。利用分子动力学方法模拟了不同温度下铟原子在碲锌镉晶体中的扩散过程,获得了铟原子的... 针对生长态碲锌镉晶体缺陷密度大和电学性能无法满足室温核辐射探测器的制备要求等问题,研究了铟碲共掺杂退火对碲锌镉晶体碲夹杂和电学性能的影响。利用分子动力学方法模拟了不同温度下铟原子在碲锌镉晶体中的扩散过程,获得了铟原子的扩散系数表达式,计算了铟原子扩散至碲锌镉晶体所需理论时长,在此基础上开展了铟碲共掺杂退火实验,进一步优化了退火工艺。实验结果表明,铟碲共掺杂退火70 h的碲锌镉晶体碲夹杂密度下降至27.61 mm^(-2),体电阻率接近1011Ω·cm、漏电流低于4 nA(400 V),电学性能达到核辐射探测器应用要求。 展开更多
关键词 碲锌镉 分子动力学模拟 退火 碲夹杂 电学性能
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原位退火对CdZnTe晶体性能的影响 被引量:2
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作者 张涛 闵嘉华 +3 位作者 梁小燕 滕家琪 时彬彬 王林军 《上海大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2014年第6期701-706,共6页
采用改进的垂直布里奇曼生长法生长Cd Zn Te(CZT)单晶,并在晶体生长后期采取长时间的原位恒温退火.采用红外透射显微镜、I-V特性曲线以及多道能谱仪测试经过原位退火后的晶体内部Te夹杂相分布、电阻率大小以及能谱响应.结果表明,原位退... 采用改进的垂直布里奇曼生长法生长Cd Zn Te(CZT)单晶,并在晶体生长后期采取长时间的原位恒温退火.采用红外透射显微镜、I-V特性曲线以及多道能谱仪测试经过原位退火后的晶体内部Te夹杂相分布、电阻率大小以及能谱响应.结果表明,原位退火可以大幅降低CZT晶体内部大尺寸Te夹杂相的密度,晶体内绝大部分的Te夹杂都集中在5μm以内.此外,原位退火后的晶体电阻率从4.54×108Ω·cm上升至3.73×1010Ω·cm.原位退火后的CZT晶体对241Am@59.5 ke Vγ射线表现出了良好的能量分辨率,为7.29%. 展开更多
关键词 te夹杂相 退火 CDZNte 布里奇曼法 探测器
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ACRT-Te溶液Bridgman法生长的In掺杂CdMnTe界面研究(英文) 被引量:2
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作者 杜园园 介万奇 +3 位作者 郑昕 王涛 白旭旭 于晖 《中国有色金属学会会刊:英文版》 CSCD 2012年第S1期143-147,共5页
采用ACRT-Te溶液垂直布里奇曼法成功制备出直径为30mm、长度为60mm的CdMnTe晶锭。相对于普通布里奇曼法生长的CdMnTe晶锭,Te溶液法生长的 CdMnTe晶锭中的孪晶大大减少。但是由于较高的Te夹杂相密度,红外透过成像显示晶锭生长界面的微观... 采用ACRT-Te溶液垂直布里奇曼法成功制备出直径为30mm、长度为60mm的CdMnTe晶锭。相对于普通布里奇曼法生长的CdMnTe晶锭,Te溶液法生长的 CdMnTe晶锭中的孪晶大大减少。但是由于较高的Te夹杂相密度,红外透过成像显示晶锭生长界面的微观形貌既不均匀也不规则。同时,采用激光共聚焦显微镜也观察到CdMnTe富Te区存在无规律沉积的含有孔洞的不规则形状Te相。如果采用合适的生长工艺得到较为平直的生长界面,Te溶液垂直布里奇曼法可以有效减少CdMnTe晶体中的孪晶。 展开更多
关键词 溶液法生长 垂直Bridgman法 CDMNte 孪晶 生长界面 te夹杂相
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Cd/Zn气氛退火过程中CdZnTe晶体内Te夹杂的迁移研究 被引量:2
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作者 周岩 介万奇 +6 位作者 何亦辉 蔺云 郭欣 刘惠敏 王涛 徐亚东 查钢强 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第7期7135-7138,共4页
通过红外透过成像研究了 Cd/Zn 气氛退火过程中 Cd0.9 Zn0.1 Te∶In 晶体内 Te 夹杂的密度及尺寸分布的演变.结果发现,Cd/Zn 气氛退火前,晶体中的 Te 夹杂密度分布比较均匀;退火后,晶体高温端近表面区域的 Te 夹杂密度较退火前提高了... 通过红外透过成像研究了 Cd/Zn 气氛退火过程中 Cd0.9 Zn0.1 Te∶In 晶体内 Te 夹杂的密度及尺寸分布的演变.结果发现,Cd/Zn 气氛退火前,晶体中的 Te 夹杂密度分布比较均匀;退火后,晶体高温端近表面区域的 Te 夹杂密度较退火前提高了1个数量级,而晶体内部的 Te 夹杂密度则较退火前降低了1个数量级,且其密度沿温度梯度方向逐渐增加.退火前,晶体表面和内部的 Te 夹杂的直径主要分布在1~25μm;退火后,在晶体表面,直径<45μm 的 Te 夹杂密度显著增大;而在晶体内部,直径<5μm 和>25μm的 Te 夹杂密度显著增大.导致这些现象的原因是退火过程中,Te 夹杂沿着温度梯度方向不断向晶体表面迁移,在迁移过程中尺寸相近的 Te 夹杂通过合并长大,尺寸相差较大的 Te 夹杂则以 Ostwald 熟化方式长大,并使小尺寸的 Te 夹杂更小.但由于熟化不充分,在 Ostwald 熟化长大过程中留下了很多尺寸<5μm 的 Te 夹杂颗粒. 展开更多
关键词 CDZNte CD ZN合金 退火 te夹杂 迁移机制
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Defects in CdMnTe crystals for nuclear detector applications 被引量:1
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作者 杜园园 介万奇 +3 位作者 徐亚东 郑昕 王涛 于晖 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2013年第4期15-19,共5页
A laser scanning confocal microscope (LSCM) and a field-emission scanning electron microscope (FE- SEM) were used to study the defects in CdMnTe crystals, such as twin boundaries, Te inclusions, and dislocations. ... A laser scanning confocal microscope (LSCM) and a field-emission scanning electron microscope (FE- SEM) were used to study the defects in CdMnTe crystals, such as twin boundaries, Te inclusions, and dislocations. Twin boundaries were usually decorated with Te inclusions, which could induce dislocations. The optical, elec- trical properties and detector performance of CdMnTe crystals with twins and free of twins were compared. The results showed that the wafers with a high density of twins usually had lower average IR transmittance and poorer crystalline quality. Besides, the energy spectra indicated that twin boundaries in a CdMnTe detector had a negative effect on detector performance; the values of both the energy resolution and (μτ)e were nearly half of those for a single crystal detector. 展开更多
关键词 CDMNte twin boundary te inclusions dislocations detector response
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坩埚中自由空间量对Bridgman法生长的CdZnTe晶体缺陷的影响 被引量:1
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作者 李辉 闵嘉华 +3 位作者 王林军 夏义本 张继军 叶邦角 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第8期790-794,共5页
采用Bridgman法生长CdZnTe晶体.分别采用红外透过显微镜和正电子湮灭寿命谱仪研究了CdZnTe晶体中的Te夹杂相、Cd空位等缺陷与坩埚中的自由空间量大小的关系.结果表明:随着坩埚自由空间量的减小,晶体中Te夹杂相密度从6.67×104/cm2... 采用Bridgman法生长CdZnTe晶体.分别采用红外透过显微镜和正电子湮灭寿命谱仪研究了CdZnTe晶体中的Te夹杂相、Cd空位等缺陷与坩埚中的自由空间量大小的关系.结果表明:随着坩埚自由空间量的减小,晶体中Te夹杂相密度从6.67×104/cm2降低到2.36×103/cm2,且Te夹杂相尺寸减小;晶体的正电子平均寿命值随着坩埚自由空间量的减小从325.4 ps降低到323.4 ps,表明晶体的Cd空位浓度及微结构缺陷减少;晶体的红外透过率和电阻率则随着坩埚自由空间量的减小大幅提高,进一步表明坩埚中自由空间量的减小能够有效地降低晶体中的缺陷浓度. 展开更多
关键词 CDZNte 缺陷 正电子寿命 te夹杂
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降温速率对CdZnTe晶体内Te夹杂相的影响
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作者 张涛 闵嘉华 +5 位作者 梁小燕 滕家琪 时彬彬 杨升 张继军 王林军 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第10期2541-2544,共4页
采用改进的垂直布里奇曼生长法生长CdZnTe(CZT)单晶。生长完成后,选取了10-60 K/h不同速率降温处理。采用红外透射显微镜和多道能谱仪分别测试不同降温速率的晶片内部Te夹杂相分布和能谱响应。结果表明,10-30K/h之间的慢速降温会导致... 采用改进的垂直布里奇曼生长法生长CdZnTe(CZT)单晶。生长完成后,选取了10-60 K/h不同速率降温处理。采用红外透射显微镜和多道能谱仪分别测试不同降温速率的晶片内部Te夹杂相分布和能谱响应。结果表明,10-30K/h之间的慢速降温会导致晶体内部出现较大尺寸的Te夹杂(〉10μm),40 K/h以上的快速降温所得到的晶体内部主要以小尺寸(〈10μm)为主。同时快速降温会导致晶体内部的Te夹杂浓度大量增加,并且降温速率越快,Te夹杂浓度越大。此外,降温速率过慢所得到晶片的能谱分辨率较差,但是降温速率过快也会影响到晶片的性能。40 K/h的降温速率所得到的晶片能谱性能较好,实验结果表明:大尺寸或者高浓度的Te夹杂都不利于能谱响应,保留一定浓度的小尺寸Te夹杂的晶体能谱性能较佳。 展开更多
关键词 te夹杂相 降温速率 CDZNte
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