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Ta_(2)NiSe_(5)/GaN范德华异质结用于具有超高响应性和耐恶劣环境的紫外光电探测器
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作者 雷剑鹏 郑涛 +6 位作者 吴望龙 郑照强 郑筌升 王小周 肖文波 李京波 杨孟孟 《Science China Materials》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第3期863-870,共8页
氮化镓由于其直接带隙、固有的紫外吸收和高击穿电压引起了人们对其在紫外光电探测领域的极大研究兴趣.在本工作中,我们成功地将新型三元硫族化合物Ta_(2)NiSe_(5)与非故意掺杂的GaN堆叠,形成了具有典型I型能带排列的混合维度的Ta_(2)Ni... 氮化镓由于其直接带隙、固有的紫外吸收和高击穿电压引起了人们对其在紫外光电探测领域的极大研究兴趣.在本工作中,我们成功地将新型三元硫族化合物Ta_(2)NiSe_(5)与非故意掺杂的GaN堆叠,形成了具有典型I型能带排列的混合维度的Ta_(2)NiSe_(5)/GaN(2D/3D)范德瓦尔斯异质结构.该异质结构表现出优异的紫外探测性能(光开关比为10~7,响应度为1.22×10^(4)A W^(-1)).此外,在365 nm的光照和4 V的偏压下,探测度提高至1.3×10^(16)Jones,并表现出1.22/31.6 ms的快速响应速率.值得注意的是,该器件还具有优异的稳定性、可重复性和抗恶劣环境条件(包括高温和酸性条件)的耐受性.得益于光电探测器的高响应度、探测度和光开关比,我们成功地将该异质结构器件集成到紫外光通信中,证明了Ta_(2)NiSe_(5)/GaN光电探测器在信息传输中有着优异的应用前景. 展开更多
关键词 GAN ta_(2)nise_(5) HETEROJUNCTION UV photodetector super-high responsivity harsh environment-resistant
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Ta_(2)NiSe_(5) nanosheets as a novel broadband saturable absorber for solid-state pulse laser generation 被引量:1
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作者 Bingzheng Yan Haowen Guo +5 位作者 Guanbai He Jiajia Mao Feifei Wang Kejian Yang Baitao Zhang Jingliang He 《Science China Materials》 SCIE EI CAS CSCD 2021年第6期1468-1476,共9页
Two-dimensional(2D)ternary chalcogenides have attracted great attentions because of their novel chemical and physical properties arising from the synergistic effect and stoichiometric variation with the additional thi... Two-dimensional(2D)ternary chalcogenides have attracted great attentions because of their novel chemical and physical properties arising from the synergistic effect and stoichiometric variation with the additional third element compared with their binary counterparts.Here,high-quality 2D tantalum nickel selenide(Ta_(2)NiSe_(5))nanosheets are successfully fabricated by a liquid-phase exfoliation(LPE)method.The ultrafast excited carrier relaxation time and nonlinear optical absorption response are investigated and reveal that the prepared 2D Ta_(2)NiSe_(5)nanosheets have excellent broadband saturable absorption properties,which are further illustrated by three passively Q-switched(PQS)allsolid-state lasers operating at 1.0,2.0 and 2.8μm with the Ta_(2)NiSe_(5)nanosheet-based saturable absorber(SA).Furthermore,mode-locked laser operation with the pulse width as short as 356 fs is also realized at 1.0μm.This work not only demonstrates the excellent nonlinear optical proprieties and optical modulation performance of Ta_(2)NiSe_(5),but also paves the way for exploring the photonic and optoelectronic proprieties of ternary chalcogenide materials. 展开更多
关键词 ta_(2)nise_(5) saturable absorbers passively Q-switched lasers ultrafast lasers
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MoTe_(2)/Ta_(2)NiSe_(5)/MoTe_(2)范德华双异质结实现超快、宽带和偏振敏感光电探测器
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作者 张洁莲 黎思娜 +9 位作者 朱玲玉 郑涛 李翎 邓群睿 潘志东 江美华 杨亚妮 林月蓉 李京波 霍能杰 《Science China Materials》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第7期2182-2192,共11页
高效光电探测器在监控、热成像、光通信和环境监测等领域具有广泛、迫切的应用需求.优化光电探测器参数如微型化、高量子效率、超快响应速度等,仍然是一项艰巨的任务.我们提出了一种由顶部/底部MoTe_(2)和中间Ta_(2)NiSe_(5)层组成的双... 高效光电探测器在监控、热成像、光通信和环境监测等领域具有广泛、迫切的应用需求.优化光电探测器参数如微型化、高量子效率、超快响应速度等,仍然是一项艰巨的任务.我们提出了一种由顶部/底部MoTe_(2)和中间Ta_(2)NiSe_(5)层组成的双范德华异质结.利用双异质结界面增强光收集效率和产生两个对立的内置电场,使得器件具有400到1550 nm的宽光谱响应,并表现出优异的性能,包括82.9%的外量子效率和3.5/4.2μs的快速响应速度.此外,利用二维Ta_(2)NiSe_(5)纳米片的面内各向异性,我们实现了在635和1550 nm波长下的极化灵敏度,分别为16.3和8.1.这项研究为开发高性能和多功能光电探测器提供了平台,为先进光电器件的设计和应用提供了新的方向. 展开更多
关键词 polarimetric photodetector taznises/MoTe_(2)het-erojunction PHOTOVOLtaIC polarization sensitivity
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