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题名Ta基纳米薄膜扩散阻挡特性的比较研究
被引量：8
- 1
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作者
陈海波
周继承
李幼真
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机构
中南大学物理科学与技术学院
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出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第4期655-658,共4页
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基金
国家自然科学基金(60371046)
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文摘
采用直流磁控溅射方法在p型(100)Si衬底上制备了Cu/Ta、Cu/Ta-N和Cu/Ta-Al-N复合膜,并对薄膜样品进行了卤钨灯快速热退火。用四探针电阻测试仪(FPP)、AFM、SEM、Alpha-step IQ台阶仪和XRD等分析测试方法对样品的形貌结构与特性进行了分析表征,并对N和Al的掺杂机理进行了讨论。实验结果表明,Ta、Ta-N和Ta-Al-N膜层的Cu扩散阻挡特性逐渐增强,Ta/Si界面上的反应和Cu通过多晶Ta膜扩散到Si底并形成Cu_3Si共同导致了Ta阻挡层的失效,而Cu通过Ta-N和Ta-Al-N结晶后产生的晶界扩散到Si底并形成Cu_3Si是两者失效的唯一机制。N的掺入促进了非晶薄膜的形成且有利于消除界面反应,而Al的掺入将进一步提高薄膜的结晶温度和热稳定性。
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关键词
直流磁控溅射
ta基纳米薄膜
Cu扩散阻挡层
阻挡特性
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Keywords
DC magnetron sputtering
ta-based nanoscale thin-film
Cu diffusion barrier
diffusion barrier property
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分类号
TN304.055
[电子电信—物理电子学]
TN305.8
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题名纳米Ta基阻挡层薄膜及其扩散体系电阻特性研究
被引量：5
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作者
陈海波
周继承
李幼真
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机构
中南大学物理科学与技术学院
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出处
《中国科学（E辑）》
CSCD
北大核心
2008年第3期421-427,共7页
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基金
国家自然科学基金资助项目(批准号:60371046)
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文摘
采用直流磁控溅射方法在p型(100)Si衬底上制备了3类Ta基纳米阻挡层薄膜及其对应的Cu/barrier/Si复合膜,并对薄膜样品进行了卤钨灯快速热退火(RTA).用四探针电阻测试仪(FPP),AFM,SEM-EDS,Alpha-step IQ台阶仪和XRD等分析测试方法对样品快速热退火前后的电阻特性和形貌结构进行了分析表征.实验结果表明,热处理过程中,凝聚、氧化和稳态效应同时出现,方块电阻的增大和下降趋势并存;而高温退火后Cu和Si发生互扩散形成的高阻相Cu3Si与更粗糙的表面形貌引起更强烈的电子散射导致了复合膜系方块电阻的急剧增加.
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关键词
直流磁控溅射
ta基纳米薄膜
Cu扩散阻挡层
电阻特性
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分类号
TB383.2
[一般工业技术—材料科学与工程]
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