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(Ti,Ta)N三元薄膜的制备和表征
被引量:
2
1
作者
李立
焦新莹
刘鸿鹏
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第8期689-693,共5页
在用真空阴极弧制备TiN和TaN两种薄膜的基础上,采用两个独立的金属弧源同时放电的方法成功制备出(Ti,Ta)N三元薄膜。通过X射线衍射、X射线光电子能谱、原子力显微镜对TiN、TaN和(Ti,Ta)N薄膜的微结构、化学组分、表面形貌进行了比较分析...
在用真空阴极弧制备TiN和TaN两种薄膜的基础上,采用两个独立的金属弧源同时放电的方法成功制备出(Ti,Ta)N三元薄膜。通过X射线衍射、X射线光电子能谱、原子力显微镜对TiN、TaN和(Ti,Ta)N薄膜的微结构、化学组分、表面形貌进行了比较分析,发现制备的(Ti,Ta)N三元薄膜是以立方结构为主的固溶体相构成,另外还存在单斜结构的Ta3N5相。与两种二元薄膜相比,其XRD图谱的衍射峰显著变宽,择优取向(200)的择优程度进一步加强。三元薄膜表面的Ti∶Ta∶N比为0.46∶0.34∶1,晶粒大小为纳米尺度。
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关键词
氮化钛
薄膜
氮化钽
薄膜
(Ti
ta
)
n
三元
薄膜
真空阴极弧沉积
下载PDF
职称材料
题名
(Ti,Ta)N三元薄膜的制备和表征
被引量:
2
1
作者
李立
焦新莹
刘鸿鹏
机构
中国民航大学理学院
出处
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第8期689-693,共5页
基金
中国民航大学大学生创新创业训练计划(IEKCAUC2018008,201810059049)
文摘
在用真空阴极弧制备TiN和TaN两种薄膜的基础上,采用两个独立的金属弧源同时放电的方法成功制备出(Ti,Ta)N三元薄膜。通过X射线衍射、X射线光电子能谱、原子力显微镜对TiN、TaN和(Ti,Ta)N薄膜的微结构、化学组分、表面形貌进行了比较分析,发现制备的(Ti,Ta)N三元薄膜是以立方结构为主的固溶体相构成,另外还存在单斜结构的Ta3N5相。与两种二元薄膜相比,其XRD图谱的衍射峰显著变宽,择优取向(200)的择优程度进一步加强。三元薄膜表面的Ti∶Ta∶N比为0.46∶0.34∶1,晶粒大小为纳米尺度。
关键词
氮化钛
薄膜
氮化钽
薄膜
(Ti
ta
)
n
三元
薄膜
真空阴极弧沉积
Keywords
Ti
ta
n
ium
n
itride thi
n
film
ta
n
ta
lum
n
itride thi
n
film
(Ti,
ta
)
n
ter
n
ary thi
n
film
Cathodic arc depositio
n
分类号
TG174.44 [金属学及工艺—金属表面处理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
(Ti,Ta)N三元薄膜的制备和表征
李立
焦新莹
刘鸿鹏
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019
2
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职称材料
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