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3D IC集成与硅通孔(TSV)互连
被引量：
28
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作者
童志义
《电子工业专用设备》
2009年第3期27-34,共8页
介绍了3维封装及其互连技术的研究与开发现状,重点讨论了垂直互连的硅通孔(TSV)互连工艺的关键技术及其加工设备面临的挑战,提出了工艺和设备开发商的应对措施并探讨了3DTSV封装技术的应用前景。
关键词
3D封装
芯片互连
深硅
刻蚀
硅通孔(
tsv
)
tsv
刻蚀
系统
下载PDF
职称材料
题名
3D IC集成与硅通孔(TSV)互连
被引量：
28
1
作者
童志义
机构
中国电子科技集团公司第四十五研究所
出处
《电子工业专用设备》
2009年第3期27-34,共8页
文摘
介绍了3维封装及其互连技术的研究与开发现状,重点讨论了垂直互连的硅通孔(TSV)互连工艺的关键技术及其加工设备面临的挑战,提出了工艺和设备开发商的应对措施并探讨了3DTSV封装技术的应用前景。
关键词
3D封装
芯片互连
深硅
刻蚀
硅通孔(
tsv
)
tsv
刻蚀
系统
Keywords
3D package
Die interconnect
Deep silicon etching
Through-silicon-via
tsv
etch system
分类号
TN405.97 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
3D IC集成与硅通孔(TSV)互连
童志义
《电子工业专用设备》
2009
28
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