为了满足设计功率放大器时对晶体管精确测试的要求,设计了一种工作在S波段的氮化镓晶体管专用微波测试夹具,根据TRL校准原理制作了相应的校准件来完成夹具的去嵌入。实际测试结果表明,该测试夹具及TRL校准件达到了预期的效果,仿真值与...为了满足设计功率放大器时对晶体管精确测试的要求,设计了一种工作在S波段的氮化镓晶体管专用微波测试夹具,根据TRL校准原理制作了相应的校准件来完成夹具的去嵌入。实际测试结果表明,该测试夹具及TRL校准件达到了预期的效果,仿真值与实测值一致性好,损耗误差为0.3 d B,去嵌入之后得到的夹具差损<0.4 d B,S11和S22<-15 d B,用该夹具测得的晶体管参数与其数据手册给出的值相吻合。展开更多
采用光敏BCB介质工艺制作了In P基TRL校准件和无源器件,研究了这种毫米波片上集成技术。光敏BCB工艺包括三层金属和一层BCB介质。为了验证工艺可行性,采用电磁仿真器设计了TRL校准件和两种无源电路。使用TRL去嵌技术,得到两种无源电路在...采用光敏BCB介质工艺制作了In P基TRL校准件和无源器件,研究了这种毫米波片上集成技术。光敏BCB工艺包括三层金属和一层BCB介质。为了验证工艺可行性,采用电磁仿真器设计了TRL校准件和两种无源电路。使用TRL去嵌技术,得到两种无源电路在75~110 GHz内的本征特性。通过比较去嵌后本征特性和仿真结果,发现与仿真结果相比S11/S22的幅度波动小于5 d B,S12/S21的幅度波动小于0.3 d B。仿真结果与去嵌后的本征结果重合度比较好,这进一步说明光学BCB工艺比较适合毫米波校准件的研制。展开更多
文摘为了满足设计功率放大器时对晶体管精确测试的要求,设计了一种工作在S波段的氮化镓晶体管专用微波测试夹具,根据TRL校准原理制作了相应的校准件来完成夹具的去嵌入。实际测试结果表明,该测试夹具及TRL校准件达到了预期的效果,仿真值与实测值一致性好,损耗误差为0.3 d B,去嵌入之后得到的夹具差损<0.4 d B,S11和S22<-15 d B,用该夹具测得的晶体管参数与其数据手册给出的值相吻合。
文摘采用光敏BCB介质工艺制作了In P基TRL校准件和无源器件,研究了这种毫米波片上集成技术。光敏BCB工艺包括三层金属和一层BCB介质。为了验证工艺可行性,采用电磁仿真器设计了TRL校准件和两种无源电路。使用TRL去嵌技术,得到两种无源电路在75~110 GHz内的本征特性。通过比较去嵌后本征特性和仿真结果,发现与仿真结果相比S11/S22的幅度波动小于5 d B,S12/S21的幅度波动小于0.3 d B。仿真结果与去嵌后的本征结果重合度比较好,这进一步说明光学BCB工艺比较适合毫米波校准件的研制。
