TGS系列晶体生长与性质的研究 被引量：5

1

作者 王希敏 常新安 张克从 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 1991年第1期95-102,共8页

本文采用水溶液降温法系统地研究了TGS、DTGs、LATGS、TGSP和LATGSP等TGS系列晶体生长。测定了TGS和LATGS等溶液的溶解度及其准稳定区。对晶体生长期间的降温速率总结出一个经验公式。研究对比了晶体的生长习性。通过晶体的X射线粉末衍... 本文采用水溶液降温法系统地研究了TGS、DTGs、LATGS、TGSP和LATGSP等TGS系列晶体生长。测定了TGS和LATGS等溶液的溶解度及其准稳定区。对晶体生长期间的降温速率总结出一个经验公式。研究对比了晶体的生长习性。通过晶体的X射线粉末衍射与红外光谱对比了晶体性质。讨论了氘化、掺杂等因素对晶体生长的影响。并生长出上述五种优质大尺寸晶体。 展开更多

关键词 硫酸三甘肽 tgs晶体 晶体生长

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一种改性的TGS:Be^(2+)热释电单晶体 被引量：3

2

作者 李兆阳 郑吉民 车云霞 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第1期62-64,共3页

本文报道了在ＴＧＳ中掺入适量的金属铍离子的新晶体生长特性，晶体形貌分析，同时测定了新晶体的热释电系数（Ｐ）、介电常数（ε）、居里温度（Ｔｃ）。实验表明，在ＴＧＳ中掺入金属铍离子生成的ＴＧＡＳ：Ｂｅ２＋晶体的优值比明显... 本文报道了在ＴＧＳ中掺入适量的金属铍离子的新晶体生长特性，晶体形貌分析，同时测定了新晶体的热释电系数（Ｐ）、介电常数（ε）、居里温度（Ｔｃ）。实验表明，在ＴＧＳ中掺入金属铍离子生成的ＴＧＡＳ：Ｂｅ２＋晶体的优值比明显提高。 展开更多

关键词 热释电 晶体生长 单晶体 改性 水溶液法 tgs晶体

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TGS晶体生长多形性和其表面扩散生长机制 被引量：2

3

作者 孙大亮 于锡玲 +1 位作者 王燕 顾庆天 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第9期1873-1877,共5页

选取了TGS晶体的 (0 0 1) ,(110 ) ,(0 10 )和 (10 0 )四个面为研究对象 ,分析讨论了TGS晶体的表面扩散螺位错生长机制 ,发现生长基元的脱水化进入表面层过程与表面扩散过程相比 ,前者在TGS晶体的生长过程中起着更重要的作用 ;同时 ,在... 选取了TGS晶体的 (0 0 1) ,(110 ) ,(0 10 )和 (10 0 )四个面为研究对象 ,分析讨论了TGS晶体的表面扩散螺位错生长机制 ,发现生长基元的脱水化进入表面层过程与表面扩散过程相比 ,前者在TGS晶体的生长过程中起着更重要的作用 ;同时 ,在较高的相对过饱和度下 ,观察到了TGS自然结晶体的两种简单晶形 . 展开更多

关键词 tgs晶体 生长多形性 表面扩散 晶体生长

原文传递

TGS和ATGSP晶体溶液状态的研究 被引量：4

4

作者 王庆武 房昌水 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 1992年第1期17-21,共5页

本文报道了不同 pH 值下 TGS 和 ATGSP 晶体的溶解度曲线。研究了不同 pH 值下 TGS 和ATGSP 晶体的(010)面的生长速度随过饱和度的变化关系和 pH 值对溶液亚稳区的影响,并从溶液结构、晶体的溶解度和溶液粘度等方面进行了讨论。给出了实... 本文报道了不同 pH 值下 TGS 和 ATGSP 晶体的溶解度曲线。研究了不同 pH 值下 TGS 和ATGSP 晶体的(010)面的生长速度随过饱和度的变化关系和 pH 值对溶液亚稳区的影响,并从溶液结构、晶体的溶解度和溶液粘度等方面进行了讨论。给出了实现 TGS 和 ATGSP 晶体快速生长的最佳溶液条件。 展开更多

关键词 tgs晶体 AtgsP晶体 溶液状态

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快速生长的TGS晶体的介电、热释电性能 被引量：4

5

作者 王庆武 房昌水 +1 位作者 卓洪升 王民 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 1992年第3期304-307,共4页

本文测量了生长速度为2mm/d 和7mm/d 的两种 TGS 晶体的介电常数(ε)、自发极化强度(P_s)和热释电系数(λ)随温度的变化关系。结果表明:生长速度快的晶体的介电常数增加,居里点附近的介电峰值降低,自发极化强度和热释电系数都增大,热释... 本文测量了生长速度为2mm/d 和7mm/d 的两种 TGS 晶体的介电常数(ε)、自发极化强度(P_s)和热释电系数(λ)随温度的变化关系。结果表明:生长速度快的晶体的介电常数增加,居里点附近的介电峰值降低,自发极化强度和热释电系数都增大,热释电优值与按正常速度生长的晶体的大致相同,最后从晶体缺陷的角度对实验结果进行了讨论。 展开更多

关键词 快速生长 tgs晶体 介电性 热释电性

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ATGSP晶体缺陷的X射线形貌术研究 被引量：2

6

作者 董胜明 房昌水 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 1991年第1期78-81,共4页

用X射线形貌术研究了ATGSP晶体的缺陷。讨论了缺陷的性质、产生的原因和对晶体性能的影响。发现该晶体的缺陷分布比较特殊,即缺陷集中于晶体的-b方向区域。同时我们与TCS晶体作了貌相比较,研究了它们之间的差别。

关键词 tgs晶体 AtgsP晶体 热释电晶体

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快速生长的TGS晶体缺陷的X射线形貌术研究 被引量：2

7

作者 王庆武 董胜明 +1 位作者 房昌水 卓洪昇 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 1993年第3期268-271,共4页

本文用 X 射线形貌术研究了生长速度不同的 TGS 晶体的缺陷,得到了与浸蚀法一致的结果;比较发现,快速生长的 TGS 晶体中缺陷密度较高;并对缺陷的性质和形成原因进行了讨论。文章还指出了快速生长的晶体与正常晶体性能间的差别主要是由... 本文用 X 射线形貌术研究了生长速度不同的 TGS 晶体的缺陷,得到了与浸蚀法一致的结果;比较发现,快速生长的 TGS 晶体中缺陷密度较高;并对缺陷的性质和形成原因进行了讨论。文章还指出了快速生长的晶体与正常晶体性能间的差别主要是由于晶体中缺陷密度的不同引起的。 展开更多

关键词 tgs晶体 晶体缺陷 X射线形貌术

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掺三氟乙酸TGS晶体生长及其性能研究 被引量：1

8

作者 常新安 艾琳 +2 位作者 臧和贵 肖卫强 涂衡 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期641-644,650,共5页

本文以三氟乙酸作为掺质,分别按4.4mol%、9.4mol%、13.4mol%、18.4mol%的配比进行了掺质TGS晶体生长,并对其作X射线粉末衍射分析及晶体热释电性能的测试。结果表明,三氟乙酸的掺入虽然使热释电性能有一定程度下降,但却使得晶体铁电-顺... 本文以三氟乙酸作为掺质,分别按4.4mol%、9.4mol%、13.4mol%、18.4mol%的配比进行了掺质TGS晶体生长,并对其作X射线粉末衍射分析及晶体热释电性能的测试。结果表明,三氟乙酸的掺入虽然使热释电性能有一定程度下降,但却使得晶体铁电-顺电相转变延迟,提高了晶体的居里点,并产生了一定的内偏压场。 展开更多

关键词 三氟乙酸 tgs晶体 晶体生长 居里点

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Sm^(3+) :TGS 晶体的生长习性、结构及铁电、热电性能 被引量：1

9

作者 强亮生 陈连发 +4 位作者 李耽 蒋丽萍 郭慎满 朱春城 林红 《哈尔滨工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第3期109-111,共3页

选择Ｓｍ３＋为掺杂阳离子，ＤＬ丙氨酸和Ｌ－谷氨酸部分取代甘氨酸分子，生长了掺杂ＴＧＳ晶体。生长和测试实验表明，Ｓｍ３＋：ＴＧＳ晶体较纯ＴＧＳ晶体易于生长，且对称性不变，是有应用前景的热释电材料。

关键词 tgs晶体 铁电性能 热释电性能 晶体生长 钐

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双有机取代基TGS系列晶体的研究 被引量：1

10

作者 张克从 李波 王希敏 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第1期12-17,共6页

本文采用水溶液缓慢降温法生长了 4种双有机取代基TGS系列晶体。双有机取代基分别为L α 丙氨酸 +乙酸 ,L α 丙氨酸 +丙酸 ,L α 丙氨酸 +乳酸 ,L α 丙氨酸 +异丙醇胺。系统地研究了有机双取代基TGS系列晶体的生长形态、晶胞参数、主... 本文采用水溶液缓慢降温法生长了 4种双有机取代基TGS系列晶体。双有机取代基分别为L α 丙氨酸 +乙酸 ,L α 丙氨酸 +丙酸 ,L α 丙氨酸 +乳酸 ,L α 丙氨酸 +异丙醇胺。系统地研究了有机双取代基TGS系列晶体的生长形态、晶胞参数、主要的介电、热释电和铁电性能参数等 ,发现这几种双有机取代基TGS晶体的品质因子有不同程度地提高。并从结构的角度出发探讨了双有机取代基对晶体生长形态和晶体性能的影响机制 ,提出了有机取代基分子本身的结构特征和有机取代基中的功能基团是影响TGS晶体形态和性能的两大因素。 展开更多

关键词 tgs晶体 双有机取代基 晶体生长形态 热释电性能

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TGS系列晶体的研究进展概况 被引量：1

11

作者 郭慎满 孙莹 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1993年第5期42-46,共5页

随着热释电传感器应用的不断扩大,具有优异热释电性能的TOS系列晶体的研究日益引起重视.本文将从TGS系列晶体的生长、改性及应用等方面,对其国内外研究进展加以简要概述.

关键词 tgs晶体 生长方法 应用研究

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两种TGS晶体在低温下的热电和介电性

12

作者 李翠平 赵焕绥 +3 位作者 房昌水 张沛霖 钟维烈 张磊 《山东大学学报（自然科学版）》 CSCD 1989年第1期39-43,共5页

测量了TGS、ATGSP两种晶体在室温至20K温度范围内的介电常数K_(22)和热电系数p_2。这两种参数都随温度降低而单调下降,不显示相变的迹象。在此范围内的任一温度,ATGSP的热电系数p_2和优值p_2/K_(22)均较TGS的大。优值p_2/K_(22)随温度... 测量了TGS、ATGSP两种晶体在室温至20K温度范围内的介电常数K_(22)和热电系数p_2。这两种参数都随温度降低而单调下降,不显示相变的迹象。在此范围内的任一温度,ATGSP的热电系数p_2和优值p_2/K_(22)均较TGS的大。优值p_2/K_(22)随温度下降而减小,与自发极化的温度特性不相一致。 展开更多

关键词 tgs晶体 AtgsP晶体 热电性 介电性

原文传递

稀土和双有机取代基TGS晶体生长和性能研究

13

作者 储召华 郝桂霞 《江西化工》 2009年第4期104-106,共3页

选择稀土离子Ce3+、Nd3+、Eu3+作为掺杂阳离子,采用水溶液降温法生长了7种双有机取代基TGS晶体。研究了其晶胞参数、主要的热释电和铁电性能参数。发现这几种掺杂TGS晶体的品质因子有了提高。

关键词 tgs晶体 双有机取代基 稀土离子 热释电性能 铁电性能

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掺杂TGS晶体的生长及热释电性能的研究

14

作者 赵淑梅 林红 朱春城 《哈尔滨理工大学学报》 CAS 1998年第5期81-84,共4页

选择稀土离子Dy^(3+)作为掺杂阳离子，DL－丙氨酸和L-谷氨酸部分取代甘氨酸分子，进行了不同掺杂配比的TGS晶体生长研究．实验表明，掺杂TGS晶体易于生长，且晶体对称性仍为C_2，易领定极化，热释电性能较纯TGS晶体有显著提高．

关键词 稀土 氨基酸 掺杂 tgs晶体 热释电性能

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极性声子频率色散关系的简化形式及其应用

15

作者 蒋毅坚 廖理几 陈纲 《光散射学报》 1992年第1期28-33,共6页

在 qcω条件下,得到了极性声子频率色散关系的简化形式。将此结果应用于 TGS 晶体,修正了 Tashiro 等人的计算结果,并与红外谱的实验结果比较,基本吻合。

关键词 tgs晶体 极化声子 声子 喇曼效应

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三氟乙酸和丙三醇双掺TGS晶体生长与性能研究

16

作者 艾琳 常新安 +2 位作者 臧和贵 肖卫强 涂衡 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期98-101,共4页

利用水溶液降温法生长了单掺4.4mol%三氟乙酸TGS晶体及双掺4.4mol%三氟乙酸和4.4mol%丙三醇TGS晶体,研究了晶体生长习性,并对其热释电系数、介电常数、居里点及电滞回线进行了测试,实验表明,单掺可将晶体的居里点提高至53.6℃,内偏压场... 利用水溶液降温法生长了单掺4.4mol%三氟乙酸TGS晶体及双掺4.4mol%三氟乙酸和4.4mol%丙三醇TGS晶体,研究了晶体生长习性,并对其热释电系数、介电常数、居里点及电滞回线进行了测试,实验表明,单掺可将晶体的居里点提高至53.6℃,内偏压场得到一定改善,而在此基础上双掺可将晶体居里点进一步提高至55℃,同时其热释电性能得到显著提高,晶体优值可提高为纯TGS晶体的3.3倍。 展开更多

关键词 三氟乙酸 丙三醇 tgs晶体 热释电系数 介电常数 居里温度

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掺杂TGS晶体抑制杂晶方法的研究

17

作者 陈连发 丁斌 +1 位作者 关昶 强亮生 《哈尔滨工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第7期256-258,共3页

首次采用二次下晶法，有效地抑制杂晶的出现，加快了晶体生长速率．同时对晶体生长过程中出现的一些问题进行了探讨．将掺杂晶体生长溶液的pH值控制在1～4，可改变掺杂晶体的结晶习性．

关键词 tgs晶体 二次下晶法 抑制杂晶 PH值

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TGS铁电相变的时域方法研究

18

作者 符史流 《汕头大学学报（自然科学版）》 1993年第1期35-39,共5页

利用时域方法在 TGS 单晶居里点附近以±0.001℃的恒温精度研究了铁电相变的过程,观察到驰豫机构可分为晶格和电子云畸变、电畴运动、和自发极化电偶极矩的屏蔽电荷的激发三种成分.介电损耗在10^(-3)—10~3Hz 频程的峰值表明,在铁... 利用时域方法在 TGS 单晶居里点附近以±0.001℃的恒温精度研究了铁电相变的过程,观察到驰豫机构可分为晶格和电子云畸变、电畴运动、和自发极化电偶极矩的屏蔽电荷的激发三种成分.介电损耗在10^(-3)—10~3Hz 频程的峰值表明,在铁电相变过程中晶体和外界的能量交换主要来自屏蔽电荷的激发. 展开更多

关键词 铁电相变 驰豫时间 时域法 tgs晶体

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掺杂TGS晶体的生长及热释电性能研究 被引量：1

19

作者 陈连发 关昶 +1 位作者 丁斌 强亮生 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期390-395,380,共7页

选择重稀土离子Dy3+为掺杂阳离子,DL-丙氨酸与L-谷氨酸部分取代甘氨酸分子,生长了不同掺杂配比的TGS晶体。生长和测试实验表明,掺杂TGS晶体较纯TGS晶体易于生长。将掺杂晶体生长溶液的pH值控制在1~4,可改变掺杂晶体的结晶习性。用ICP发... 选择重稀土离子Dy3+为掺杂阳离子,DL-丙氨酸与L-谷氨酸部分取代甘氨酸分子,生长了不同掺杂配比的TGS晶体。生长和测试实验表明,掺杂TGS晶体较纯TGS晶体易于生长。将掺杂晶体生长溶液的pH值控制在1~4,可改变掺杂晶体的结晶习性。用ICP发射光谱测试了掺杂晶体中稀土元素的含量,用X射线粉末衍射法测定了晶格参数,结果表明:元素已进入晶体,晶格参数稍有变化,但掺杂晶体的对称性仍为C2-2。通过测量掺杂晶体的电滞回线,得到了内偏压场,还测量了各样品的热释电系数、自发极化强度,作了温度曲线,并分析了各掺杂剂对提高热释电性能和锁定极化的作用。结果表明:是有应用前景的热释电材料。 展开更多

关键词 掺杂tgs晶体 稀土与氨基酸掺杂 铁电性能 热释电性能

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Nd^(3+):L-Lys:thiourea:TGS晶体的生长与性能研究

20

作者 储召华 郝桂霞 《化工时刊》 CAS 2009年第12期47-48,共2页

利用水溶液降温法生长了掺杂稀土离子Nd3+、L-赖氨酸和硫脲的TGS晶体。测试了掺杂TGS晶体的晶胞参数和热释电性能。实验表明,三掺杂的TGS晶体的热释电系数、热释电优值比和内偏压场大于纯TGS。

关键词 掺杂tgs晶体 热释电性质 晶体生长 稀土

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