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TFD模型和余氏理论对材料设计的应用 被引量：42
1
作者 程开甲 程漱玉 《自然科学进展（国家重点实验室通讯）》 1993年第5期417-432,共16页
本文提出了一个改进的TFD模型的理论。此模型在给出正确的原子边界条件后,可以处理金属化合物的状态方程和生成能。这一模型能够完全描述电子系统的实际特性。模型给出了经验电子论中的参数。本文采用该模型计算了各电子态的电子数,其... 本文提出了一个改进的TFD模型的理论。此模型在给出正确的原子边界条件后,可以处理金属化合物的状态方程和生成能。这一模型能够完全描述电子系统的实际特性。模型给出了经验电子论中的参数。本文采用该模型计算了各电子态的电子数,其结果与余氏经验电子论所给数据一致。因此,改进了的TFD模型可以作为固态物理理论研究的一个“探针”,为实际材料设计工作提供了方法和手段。 展开更多
关键词 共价键 EOS 生成能 tfd模型
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不锈钢和Ti基体上Cu,Ag,Ni膜中的内应力研究 被引量：6
2
作者 任凤章 郑茂盛 +2 位作者 周根树 赵文轸 顾海澄 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第7期706-709,共4页
用电镀工艺在不锈钢基体上镀制了Cu,Ag,Ni膜和Ti基体上制备了Ni膜,并用悬臂梁法和X射线法测量了膜中的残余应力。并基于改进的TFD模型,对任意膜厚下由界面电子转移引起的膜内应力作了理论估算。结果表明,理论估算所给出的膜内应力与实... 用电镀工艺在不锈钢基体上镀制了Cu,Ag,Ni膜和Ti基体上制备了Ni膜,并用悬臂梁法和X射线法测量了膜中的残余应力。并基于改进的TFD模型,对任意膜厚下由界面电子转移引起的膜内应力作了理论估算。结果表明,理论估算所给出的膜内应力与实验测量值具有可比性。这说明理论计算模型具有较高的准确性和膜内残余应力主要由界面电子转移引起。 展开更多
关键词 薄膜 内应力 悬臂梁法 电子密度 tfd模型
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C^+离子注入与CoSi_2薄膜应力的研究 被引量：5
3
作者 王若楠 刘继峰 冯嘉猷 《自然科学进展》 北大核心 2002年第12期1296-1300,共5页
根据改进的Thomas-Fermi-Dirac模型,分析了CoSi_2薄膜中本征应力的起源,证明了基体与薄膜的原子表面电子密度差是薄膜本征应力的来源。实验在Si(100)基体注入碳离子(C^+),然后沉积钴(Co)薄膜,再进行快速退火(Rapid Thermal Annealing,简... 根据改进的Thomas-Fermi-Dirac模型,分析了CoSi_2薄膜中本征应力的起源,证明了基体与薄膜的原子表面电子密度差是薄膜本征应力的来源。实验在Si(100)基体注入碳离子(C^+),然后沉积钴(Co)薄膜,再进行快速退火(Rapid Thermal Annealing,简称 RTA)形成二硅化钴(CoSi_2)薄膜,发现薄膜中的应力随C^+离子注入剂量的增加而减少,理论计算了由C^+离子注入引起的应力减小的数值,并与实验结果进行了比较。 展开更多
关键词 C^+离子注入 CoSi2薄膜 本征应力 原子表面电子密谋 tfd模型 二硅化钴薄膜
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