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超薄Si_3N_4/SiO_2叠层栅介质可靠性研究(英文)
1
作者
钟兴华
徐秋霞
《电子器件》
CAS
2007年第2期361-364,共4页
实验成功地制备出等效氧化层厚度为亚2nm的Nitride/Oxynitride(N/O)叠层栅介质难熔金属栅电极PMOS电容并对其进行了可靠性研究.实验结果表明相对于纯氧栅介质而言,N/O叠层栅介质具有更好的抗击穿特性,应力诱生漏电特性以及TDDB特性.进...
实验成功地制备出等效氧化层厚度为亚2nm的Nitride/Oxynitride(N/O)叠层栅介质难熔金属栅电极PMOS电容并对其进行了可靠性研究.实验结果表明相对于纯氧栅介质而言,N/O叠层栅介质具有更好的抗击穿特性,应力诱生漏电特性以及TDDB特性.进一步研究发现具有更薄EOT的难熔金属栅电极PMOS电容在TDDB特性以及寿命等方面均优于多晶硅栅电极的相应结构.
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关键词
击穿
Si3N4/SiO2(N/O)叠层
可靠性
应力诱生漏电流(SILC)
tddb
特性
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职称材料
题名
超薄Si_3N_4/SiO_2叠层栅介质可靠性研究(英文)
1
作者
钟兴华
徐秋霞
机构
中国科学院微电子研究所
出处
《电子器件》
CAS
2007年第2期361-364,共4页
基金
The Special funds for Major State Basic Research Projects under Grant G2000036504,andin part by National High Technology Research and Development Program of China under Grant2003AA1Z1370
文摘
实验成功地制备出等效氧化层厚度为亚2nm的Nitride/Oxynitride(N/O)叠层栅介质难熔金属栅电极PMOS电容并对其进行了可靠性研究.实验结果表明相对于纯氧栅介质而言,N/O叠层栅介质具有更好的抗击穿特性,应力诱生漏电特性以及TDDB特性.进一步研究发现具有更薄EOT的难熔金属栅电极PMOS电容在TDDB特性以及寿命等方面均优于多晶硅栅电极的相应结构.
关键词
击穿
Si3N4/SiO2(N/O)叠层
可靠性
应力诱生漏电流(SILC)
tddb
特性
Keywords
breakdown
nitride/oxynitride（N/O）
reliability
stress induced leakage current（SILC）
time dependent breakdown（
tddb
）
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
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1
超薄Si_3N_4/SiO_2叠层栅介质可靠性研究(英文)
钟兴华
徐秋霞
《电子器件》
CAS
2007
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