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基于器件结构提高TADF-OLED器件的发光性能 被引量:8
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作者 刘婷婷 李淑红 +5 位作者 王文军 刘云龙 都辉 王庆林 赵玲 高学喜 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第1期77-85,共9页
为了提高以TADF材料作为主体、天蓝色荧光材料作为客体的混合薄膜的OLED器件光电性能,我们调整了器件结构,使主体材料发挥其优势。制备了基本结构为ITO/NPB(40 nm)/DMAC-DPS∶x%BUBD-1(40 nm)/Bphen(30 nm)/LiF(0.5 nm)/Al的OLED器件。... 为了提高以TADF材料作为主体、天蓝色荧光材料作为客体的混合薄膜的OLED器件光电性能,我们调整了器件结构,使主体材料发挥其优势。制备了基本结构为ITO/NPB(40 nm)/DMAC-DPS∶x%BUBD-1(40 nm)/Bphen(30 nm)/LiF(0.5 nm)/Al的OLED器件。研究了主-客体材料在不同掺杂浓度下的OLED器件的光电特性。为了提高主体材料的利用率,在空穴传输层和发光层之间加入10 nm的DMAC-DPS作为间隔层;然后,在阳极和空穴传输层之间加入HAT-CN作为空穴注入层,形成HAT-CN/NPB结构的PN结,有效降低了器件的启亮电压(2.7 V)。测量了有无HAT-CN的单空穴器件的阻抗谱。结果表明,在最佳掺杂比例(2%)下,器件的外量子效率(EQE)达到4.92%,接近荧光OLED的EQE理论极限值;加入10 nm的DMAC-DPS作为间隔层,使得器件的EQE达到5.37%;HAT-CN/NPB结构的PN结有效地降低了器件的启亮电压(2.7 V),将OLED器件的EQE提高到5.76%;HAT-CN的加入提高了器件的空穴迁移率,降低了单空穴器件的阻抗。TADF材料作为主体材料在提高OLED器件的光电性能方面具有很大的潜力。 展开更多
关键词 热活化延迟荧光材料 tadf-oled 单空穴器件 阻抗谱
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器件结构对蓝光TADF-OLED光电性能的影响
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作者 杨凤 杨宇东 《实验技术与管理》 CAS 北大核心 2021年第3期34-39,44,共7页
采用真空热蒸镀法,以热活化延迟荧光(TADF)材料为主体材料、发光材料为客体材料制备混合薄膜发光层,以提高蓝色荧光材料的OLED发光效率。当OLED器件结构为ITO/HAT-CN(5 nm)/TAPC(30 nm)/TCTA(10 nm)/Blue-Or:DMAC-DPS(30%,30 nm)/DPEPO(... 采用真空热蒸镀法,以热活化延迟荧光(TADF)材料为主体材料、发光材料为客体材料制备混合薄膜发光层,以提高蓝色荧光材料的OLED发光效率。当OLED器件结构为ITO/HAT-CN(5 nm)/TAPC(30 nm)/TCTA(10 nm)/Blue-Or:DMAC-DPS(30%,30 nm)/DPEPO(10 nm)/Bphen(30 nm)/LiF(1 nm)/Al(70 nm)时,器件的光电性能最佳。此蓝光TADF-OLED器件的外量子效率为12.39%,电流效率为21.68 cd/A,功率效率为19.44 lm/W。研究发现改变TADF-OLED的掺杂主体材料和添加空穴注入层均可有效地提高器件的光电特性。实验内容与该领域的前沿科学研究相结合,OLED器件的光电性能稳定、实验现象显著,适于引入本科实验课程。通过该综合实验学生可以夯实实验基础、了解研究热点、掌握最新的科研动态。 展开更多
关键词 热活化延迟荧光材料 tadf-oled 光电性能 实验教学
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