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基于器件结构提高TADF-OLED器件的发光性能
被引量:
8
1
作者
刘婷婷
李淑红
+5 位作者
王文军
刘云龙
都辉
王庆林
赵玲
高学喜
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第1期77-85,共9页
为了提高以TADF材料作为主体、天蓝色荧光材料作为客体的混合薄膜的OLED器件光电性能,我们调整了器件结构,使主体材料发挥其优势。制备了基本结构为ITO/NPB(40 nm)/DMAC-DPS∶x%BUBD-1(40 nm)/Bphen(30 nm)/LiF(0.5 nm)/Al的OLED器件。...
为了提高以TADF材料作为主体、天蓝色荧光材料作为客体的混合薄膜的OLED器件光电性能,我们调整了器件结构,使主体材料发挥其优势。制备了基本结构为ITO/NPB(40 nm)/DMAC-DPS∶x%BUBD-1(40 nm)/Bphen(30 nm)/LiF(0.5 nm)/Al的OLED器件。研究了主-客体材料在不同掺杂浓度下的OLED器件的光电特性。为了提高主体材料的利用率,在空穴传输层和发光层之间加入10 nm的DMAC-DPS作为间隔层;然后,在阳极和空穴传输层之间加入HAT-CN作为空穴注入层,形成HAT-CN/NPB结构的PN结,有效降低了器件的启亮电压(2.7 V)。测量了有无HAT-CN的单空穴器件的阻抗谱。结果表明,在最佳掺杂比例(2%)下,器件的外量子效率(EQE)达到4.92%,接近荧光OLED的EQE理论极限值;加入10 nm的DMAC-DPS作为间隔层,使得器件的EQE达到5.37%;HAT-CN/NPB结构的PN结有效地降低了器件的启亮电压(2.7 V),将OLED器件的EQE提高到5.76%;HAT-CN的加入提高了器件的空穴迁移率,降低了单空穴器件的阻抗。TADF材料作为主体材料在提高OLED器件的光电性能方面具有很大的潜力。
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关键词
热活化延迟荧光材料
tadf
-
oled
单空穴器件
阻抗谱
下载PDF
职称材料
器件结构对蓝光TADF-OLED光电性能的影响
2
作者
杨凤
杨宇东
《实验技术与管理》
CAS
北大核心
2021年第3期34-39,44,共7页
采用真空热蒸镀法,以热活化延迟荧光(TADF)材料为主体材料、发光材料为客体材料制备混合薄膜发光层,以提高蓝色荧光材料的OLED发光效率。当OLED器件结构为ITO/HAT-CN(5 nm)/TAPC(30 nm)/TCTA(10 nm)/Blue-Or:DMAC-DPS(30%,30 nm)/DPEPO(...
采用真空热蒸镀法,以热活化延迟荧光(TADF)材料为主体材料、发光材料为客体材料制备混合薄膜发光层,以提高蓝色荧光材料的OLED发光效率。当OLED器件结构为ITO/HAT-CN(5 nm)/TAPC(30 nm)/TCTA(10 nm)/Blue-Or:DMAC-DPS(30%,30 nm)/DPEPO(10 nm)/Bphen(30 nm)/LiF(1 nm)/Al(70 nm)时,器件的光电性能最佳。此蓝光TADF-OLED器件的外量子效率为12.39%,电流效率为21.68 cd/A,功率效率为19.44 lm/W。研究发现改变TADF-OLED的掺杂主体材料和添加空穴注入层均可有效地提高器件的光电特性。实验内容与该领域的前沿科学研究相结合,OLED器件的光电性能稳定、实验现象显著,适于引入本科实验课程。通过该综合实验学生可以夯实实验基础、了解研究热点、掌握最新的科研动态。
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关键词
热活化延迟荧光材料
tadf
-
oled
光电性能
实验教学
下载PDF
职称材料
题名
基于器件结构提高TADF-OLED器件的发光性能
被引量:
8
1
作者
刘婷婷
李淑红
王文军
刘云龙
都辉
王庆林
赵玲
高学喜
机构
聊城大学物理科学与信息工程学院
山东省光通信科学与技术重点实验室
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第1期77-85,共9页
基金
国家自然科学基金(61775089)
山东省重点实验室产业联盟基金(SDKL2016038)
山东省自然科学基金(ZR2017BF009)资助项目~~
文摘
为了提高以TADF材料作为主体、天蓝色荧光材料作为客体的混合薄膜的OLED器件光电性能,我们调整了器件结构,使主体材料发挥其优势。制备了基本结构为ITO/NPB(40 nm)/DMAC-DPS∶x%BUBD-1(40 nm)/Bphen(30 nm)/LiF(0.5 nm)/Al的OLED器件。研究了主-客体材料在不同掺杂浓度下的OLED器件的光电特性。为了提高主体材料的利用率,在空穴传输层和发光层之间加入10 nm的DMAC-DPS作为间隔层;然后,在阳极和空穴传输层之间加入HAT-CN作为空穴注入层,形成HAT-CN/NPB结构的PN结,有效降低了器件的启亮电压(2.7 V)。测量了有无HAT-CN的单空穴器件的阻抗谱。结果表明,在最佳掺杂比例(2%)下,器件的外量子效率(EQE)达到4.92%,接近荧光OLED的EQE理论极限值;加入10 nm的DMAC-DPS作为间隔层,使得器件的EQE达到5.37%;HAT-CN/NPB结构的PN结有效地降低了器件的启亮电压(2.7 V),将OLED器件的EQE提高到5.76%;HAT-CN的加入提高了器件的空穴迁移率,降低了单空穴器件的阻抗。TADF材料作为主体材料在提高OLED器件的光电性能方面具有很大的潜力。
关键词
热活化延迟荧光材料
tadf
-
oled
单空穴器件
阻抗谱
Keywords
thermally activated delayed fluorescent(
tadf
)
tadf
-
oled
device structure hole only devices
impedance spectrum
分类号
TN383+.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
器件结构对蓝光TADF-OLED光电性能的影响
2
作者
杨凤
杨宇东
机构
四川大学化学学院
出处
《实验技术与管理》
CAS
北大核心
2021年第3期34-39,44,共7页
基金
2020年四川大学实验技术立项项目(SCU201038)
四川省科技计划立项项目(18YYJC1638)。
文摘
采用真空热蒸镀法,以热活化延迟荧光(TADF)材料为主体材料、发光材料为客体材料制备混合薄膜发光层,以提高蓝色荧光材料的OLED发光效率。当OLED器件结构为ITO/HAT-CN(5 nm)/TAPC(30 nm)/TCTA(10 nm)/Blue-Or:DMAC-DPS(30%,30 nm)/DPEPO(10 nm)/Bphen(30 nm)/LiF(1 nm)/Al(70 nm)时,器件的光电性能最佳。此蓝光TADF-OLED器件的外量子效率为12.39%,电流效率为21.68 cd/A,功率效率为19.44 lm/W。研究发现改变TADF-OLED的掺杂主体材料和添加空穴注入层均可有效地提高器件的光电特性。实验内容与该领域的前沿科学研究相结合,OLED器件的光电性能稳定、实验现象显著,适于引入本科实验课程。通过该综合实验学生可以夯实实验基础、了解研究热点、掌握最新的科研动态。
关键词
热活化延迟荧光材料
tadf
-
oled
光电性能
实验教学
Keywords
thermally activated delayed fluorescent
tadf
-
oled
photoelectric properties
experimental teaching
分类号
O6-33 [理学—化学]
G642.0 [文化科学—高等教育学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于器件结构提高TADF-OLED器件的发光性能
刘婷婷
李淑红
王文军
刘云龙
都辉
王庆林
赵玲
高学喜
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020
8
下载PDF
职称材料
2
器件结构对蓝光TADF-OLED光电性能的影响
杨凤
杨宇东
《实验技术与管理》
CAS
北大核心
2021
0
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职称材料
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