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SrCO_3的热分解动力学及其影响因素 被引量:16
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作者 刘相果 彭晓东 +1 位作者 谢卫东 魏群义 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期287-292,共6页
利用DSC-TG法对制备的SrCO3进行非等温热分解试验研究,并用Kissinger法计算其热分解反应动力学参数;此外对添加剂Al2O3、SiO2、C对SrCO3分解过程的影响也做了一定的研究.结果表明:高纯SrCO3在930-950℃左右发生多晶型转变,由斜方晶系α-... 利用DSC-TG法对制备的SrCO3进行非等温热分解试验研究,并用Kissinger法计算其热分解反应动力学参数;此外对添加剂Al2O3、SiO2、C对SrCO3分解过程的影响也做了一定的研究.结果表明:高纯SrCO3在930-950℃左右发生多晶型转变,由斜方晶系α-SrCO3转变为三方晶系β-SrCO3;高纯SrCO3在900℃左右开始分解,至1150℃以上基本完全分解成SrO.高纯SrCO3的非等温热分解过程主要有两个吸热峰,而分解反应基本在第二个吸热峰进行.添加剂Al2O3、SiO2、C可改变SrCO3的分解反应方式,降低其分解反应温度约100℃,其中C的效果最佳. 展开更多
关键词 无机非金属材料 碳酸锶 非等温热分解 动力学参数 影响因素
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CaZrO_3掺杂对(Ba,Sr)TiO_3铁电电容器陶瓷性能的影响 被引量:12
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作者 黄新友 李军 +1 位作者 高春华 陈志刚 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期402-406,共5页
研究了CaZrO3掺杂量对(Ba,Sr)TiO3(bariumstrontiumtitanate,BST)铁电电容器陶瓷介电性能的影响,得到了CaZrO3掺杂量与 BST性能的关系。用扫描电镜和X射线衍射研究了CaZrO3掺杂量对BST陶瓷微观结构和相结构的影响,探讨了CaZrO3掺杂改性... 研究了CaZrO3掺杂量对(Ba,Sr)TiO3(bariumstrontiumtitanate,BST)铁电电容器陶瓷介电性能的影响,得到了CaZrO3掺杂量与 BST性能的关系。用扫描电镜和X射线衍射研究了CaZrO3掺杂量对BST陶瓷微观结构和相结构的影响,探讨了CaZrO3掺杂改性BST陶瓷 的机理。结果表明:适量的CaZrO3掺杂,可得到最佳综合性能的BST。CaZrO3掺杂明显促使BST细晶化,有较强的移峰和压峰效应,能使四 方相晶轴比(c/a)降低,提高材料的介电常数并改善材料的介温特性,过量CaZrO3掺杂使衍射峰宽化,会使材料的介电常数下降。通过研究获 得了高介高压高稳定的电容器陶瓷。 展开更多
关键词 锆酸钙 电容器陶瓷 钛酸钡锶 铁电
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太阳能吸附制冷用复合吸附剂制备及其吸附机理探讨 被引量:19
3
作者 崔群 陈海军 姚虎卿 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期182-188,共7页
以乙醇为吸附质,选取13X分子筛、凹凸楱土和氯化锶等为主要吸附材料,通过混合法制备了一系列有着优良吸附能的复合吸附剂。测定了乙醇在主要吸附材料和自制复合吸附剂上的吸附量,用TG DTA法对主要吸附材料的热稳定性和自制吸附剂DTA脱... 以乙醇为吸附质,选取13X分子筛、凹凸楱土和氯化锶等为主要吸附材料,通过混合法制备了一系列有着优良吸附能的复合吸附剂。测定了乙醇在主要吸附材料和自制复合吸附剂上的吸附量,用TG DTA法对主要吸附材料的热稳定性和自制吸附剂DTA脱附乙醇峰端温度进行了分析。对吸附剂原料复合比例和扩孔剂种类等制备条件进行了实验研究。结果表明:自制复合吸附剂比单一吸附材料对乙醇有着更大的吸附能力;DTA分析的脱乙醇峰端温度明显低于单一吸附材料;加入扩孔剂E1或E2,可增加自制复合吸附剂孔容和孔径,改善其吸附性能;自制复合吸附剂对乙醇的吸附量显著高于活性炭。其中,M4 0003和M1 0001复合吸附剂对乙醇的平衡吸附量约为活性炭的2 5~4倍;M1 0001—乙醇工质对的吸附制冷量是活性炭—乙醇的2~6倍。对吸附剂复合的机理初步探讨表明:增加复合吸附剂弱吸附中心数,可降低其脱附温度。 展开更多
关键词 太阳能 吸附制冷 复合吸附剂 热分析 吸附机理
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Eu^(3+)掺杂的硼酸锶系列荧光体的合成及其发光性能 被引量:14
4
作者 王海英 王如骥 +1 位作者 张玥 李亚栋 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期1367-1372,共6页
采用溶胶-凝胶法和高温固相反应法合成了Eu3+掺杂的SrB4O7、SrB2O4、Sr2B2O5、Sr3B2O6荧光体.荧光光谱测试结果表明在不同基质中Eu3+的荧光发射是有区别的,Sr2B2O5:Eu3+、Sr3B2O7:Eu3+发射峰在610nm左右的红光区,SrB2O4:Eu3+的发射峰在5... 采用溶胶-凝胶法和高温固相反应法合成了Eu3+掺杂的SrB4O7、SrB2O4、Sr2B2O5、Sr3B2O6荧光体.荧光光谱测试结果表明在不同基质中Eu3+的荧光发射是有区别的,Sr2B2O5:Eu3+、Sr3B2O7:Eu3+发射峰在610nm左右的红光区,SrB2O4:Eu3+的发射峰在593nm的橙色区,而SrB4O7:Eu3+则表现出了Eu2+离子的特征峰,产生这种区别主要是由Eu3+所处的配位环境不同造成的.荧光体SrB4O7:Eu3+、SrB2O4:Eu3+、Sr2B2O5:Eu3+、Sr3B2O6:Eu3+的最佳掺杂浓度为2%左右. 展开更多
关键词 硼酸锶 溶胶-凝胶 荧光特性 高温固相
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Si-B-O系BST玻璃陶瓷制备及介电弥散研究 被引量:18
5
作者 王疆瑛 姚熹 张良莹 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期722-724,共3页
 采用硝酸钡、硝酸锶、钛酸丁酯、正硅酸乙脂和硼酸三正丁脂为原料的溶胶凝胶方法制备了Si B O系BaxSr1-xTiO3玻璃陶瓷。通过差热分析(DTA)、热失重(TG)、X射线衍射(XRD)分析Si B O系BST玻璃陶瓷超细粉体合成过程及其相结构变化。采用...  采用硝酸钡、硝酸锶、钛酸丁酯、正硅酸乙脂和硼酸三正丁脂为原料的溶胶凝胶方法制备了Si B O系BaxSr1-xTiO3玻璃陶瓷。通过差热分析(DTA)、热失重(TG)、X射线衍射(XRD)分析Si B O系BST玻璃陶瓷超细粉体合成过程及其相结构变化。采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)描述Si B O系BST玻璃陶瓷烧结体的相结构和显微组织结构变化。阻抗分析仪测量Si B O系BST玻璃陶瓷的-50~100℃介电温谱。实验结果表明:Si B O系BST玻璃陶瓷粉体的相结构为立方钙钛矿相结构,其合成温度为700℃,不存在第二相。Si B O系BST玻璃陶瓷的烧结温度低于传统工艺。Si B O系BST玻璃陶瓷的显微结构呈细晶结构。Si B O系BST玻璃陶瓷的介电常数ε随着烧结温度升高而增大,介电损耗tgδ随测试温度的增加而降低。随着晶粒平均尺寸的减小,Si B O系BST玻璃陶瓷样品的介电峰变低,平坦,宽化,存在介电峰弥散化的现象。 展开更多
关键词 钛酸锶钡 Si-B-O 溶胶凝胶 玻璃陶瓷 介电性能
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钛酸锶钡(BST)薄膜的介电性能研究 被引量:5
6
作者 陈宏伟 杨传仁 +2 位作者 符春林 赵莉 高志强 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期615-617,共3页
 采用射频磁控溅射法制备了BaxSr1-xTiO3(简称BST)薄膜材料,研究了不同膜厚、晶粒尺寸的BST薄膜的介电系数温度特性(εr T)、频率特性(εr f)、电压特性(εr U)及损耗的温度特性(tgδ T)、频率特性(tgδ f),找出了BST薄膜的非线性、损...  采用射频磁控溅射法制备了BaxSr1-xTiO3(简称BST)薄膜材料,研究了不同膜厚、晶粒尺寸的BST薄膜的介电系数温度特性(εr T)、频率特性(εr f)、电压特性(εr U)及损耗的温度特性(tgδ T)、频率特性(tgδ f),找出了BST薄膜的非线性、损耗随尺度变化的规律。 展开更多
关键词 钛酸锶钡 薄膜 膜厚 晶粒尺寸 介电性能
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SrCoO_x粉体的合成及其光催化氧化活性 被引量:8
7
作者 刘颖 张高科 +1 位作者 邹曦 龚洁 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期375-379,共5页
采用柠檬酸聚络合法,在800℃焙烧10h合成了纯度较高、具有氧空位的SrCoOx复合金属氧化物。用X射线衍射和扫描电子显微镜 对SrCoOx进行了分析,确定其具有六方晶系结构,所属空间群为P63/mmc(194),晶格参数a为(0.5486±0.006)nm,c为(0.... 采用柠檬酸聚络合法,在800℃焙烧10h合成了纯度较高、具有氧空位的SrCoOx复合金属氧化物。用X射线衍射和扫描电子显微镜 对SrCoOx进行了分析,确定其具有六方晶系结构,所属空间群为P63/mmc(194),晶格参数a为(0.5486±0.006)nm,c为(0.420±0.006)nm。 粉体的颗粒形态相似,大小较为均匀,粒径为250nm左右。在含SrCoOx催化剂悬浮液中进行水溶性偶氮型酸性染料(酸性红G)光催化降解 实验,结果表明:SrCoOx粉体具有较好的催化性能,紫外光照射60min,可将酸性红G完全分解。 展开更多
关键词 钴酸锶 柠檬酸聚络合法 光催化氧化 酸性红G 钙钛矿
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La_(0.67)Sr_(0.33-x)Ag_xMnO_3的室温磁电阻效应 被引量:5
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作者 唐贵德 刘兴民 +7 位作者 刘力虎 赵旭 白一鸣 潘成福 侯登录 余勇 禹日成 靳常青 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期434-436,共3页
 采用溶胶 凝胶(sol gel)法制备了名义组分为La0.67Sr0.33-xAgxMnO3(x=0.15、0.20)的多晶样品,发现用Ag部分替代Sr后样品的室温磁电阻比替代前明显增大。在1.8T下,La0.67Sr0.18Ag0.15MnO3样品的磁电阻在330K出现峰值,其峰值为35%;对于L...  采用溶胶 凝胶(sol gel)法制备了名义组分为La0.67Sr0.33-xAgxMnO3(x=0.15、0.20)的多晶样品,发现用Ag部分替代Sr后样品的室温磁电阻比替代前明显增大。在1.8T下,La0.67Sr0.18Ag0.15MnO3样品的磁电阻在330K出现峰值,其峰值为35%;对于La0.67Sr0.13Ag0.2MnO3样品,磁电阻峰值为26%,且峰的宽度较大,在290~315K之间的磁电阻随着温度变化不大,因此显著提高了室温时样品的磁电阻和磁电阻的温度稳定性,另外,还提高了样品的磁场灵敏度,这对磁电阻的应用有很大意义。 展开更多
关键词 磁电阻效应 锰氧化物 钙钛矿结构 溶胶-凝胶法
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用LSCo作扩散障碍层的极限电流型氧传感器 被引量:4
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作者 李福燊 杨媚 +1 位作者 吴卫江 李丽芬 《北京科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期495-497,共3页
采用简单工艺,制备出以8%Y2O3(摩尔分数)稳定的ZrO2为固体电解质,La0.8Sr0.2CoO3混合导体材料为扩散障碍层的极限电流型氧传感器.该传感器能够很好地给出全范围空燃比的极限电流平台,与小孔或多孔极限电流型传感器相比,具有结构简单、... 采用简单工艺,制备出以8%Y2O3(摩尔分数)稳定的ZrO2为固体电解质,La0.8Sr0.2CoO3混合导体材料为扩散障碍层的极限电流型氧传感器.该传感器能够很好地给出全范围空燃比的极限电流平台,与小孔或多孔极限电流型传感器相比,具有结构简单、响应快、工作可靠、成本低廉等优点. 展开更多
关键词 固体电解质 La1-xSrxCoO3 氧传感器 极限电流 致密扩散障碍层
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CaO-SrO-硅灰-H_2O体系的水热合成产物 被引量:5
10
作者 李玉香 傅依备 +1 位作者 易发成 刘勋 《四川大学学报(工程科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期69-73,共5页
为查明放射性核素锶与硅酸盐水泥(基本组成为CaO和SiO2)-H2O体系之间的作用机制,运用XRD、TG-DSC、SEM等测试技术,研究了80℃,水热条件下,CaO-SrO-硅灰-H2O体系的水化产物,测定了该水化产物的溶解度。结果表明:在实验条件下,Sr2+能取代... 为查明放射性核素锶与硅酸盐水泥(基本组成为CaO和SiO2)-H2O体系之间的作用机制,运用XRD、TG-DSC、SEM等测试技术,研究了80℃,水热条件下,CaO-SrO-硅灰-H2O体系的水化产物,测定了该水化产物的溶解度。结果表明:在实验条件下,Sr2+能取代水化硅酸钙凝胶中Ca2+而形成固溶体,并使CSH凝胶结构更趋无序;SrO能与硅灰、水发生反应,优先生成柱状晶态产物3SrO·2SiO2·nH2O;3SrO·2SiO2·nH2O在290~350℃之间脱去结晶水;水化硅酸钙锶固溶体以絮状凝胶为主,而3SrO·2SiO2·nH2O则为柱状晶体且无交叉连生现象;钙硅比为1的CSH凝胶溶解度为0.567mmol·L-1;3SrO·2SiO2·nH2O比CSH凝胶的溶解度大,约为3倍。 展开更多
关键词 水化硅酸钙 3SrO·2SiO2·nH2O 水热合成 固溶体 溶解度
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中温固体电解质LaGaO_3的制备 被引量:3
11
作者 张乃庆 孙克宁 +1 位作者 吴宁宁 周德瑞 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期448-449,共2页
 分别采用固相反应法、凝胶燃烧法分别制备了镓酸镧基固体电解质粉体(La0.9Sr0.1Ga0.8Mg0.2O3-δ),讨论了煅烧温度对粉体物相的影响,比较了两种方法所制备粉体的特点,X射线衍射分析表明,固相反应法制备需经1250℃下预烧15h,1500℃下煅...  分别采用固相反应法、凝胶燃烧法分别制备了镓酸镧基固体电解质粉体(La0.9Sr0.1Ga0.8Mg0.2O3-δ),讨论了煅烧温度对粉体物相的影响,比较了两种方法所制备粉体的特点,X射线衍射分析表明,固相反应法制备需经1250℃下预烧15h,1500℃下煅烧24h,得到La0.9Sr0.1Ga0.8Mg0.2O3-δ粉体颗粒尺寸在1μm,而凝胶燃烧法仅需在1400℃煅烧10h可以合成La0.9Sr0.1Ga0.8Mg0.2O3-δ粉体,粉体颗粒尺寸150nm。 展开更多
关键词 La0.9Sr0.1Ga0.8Mg0.2O3-δ 固相反应法 凝胶燃烧法
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SrWO_4薄膜的电化学制备及室温光致发光特性 被引量:2
12
作者 高道江 肖定全 +3 位作者 金亿鑫 毕剑 余萍 赖欣 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期711-713,716,共4页
在室温条件下,采用恒电流电化学方法直接在钨片基体上制备了白钨矿结构的SrWO4晶态薄膜。电化学反应的工艺参数为:电流密度为1mA/cm2、电解液的pH值为12.5、电化学处理时间为1.5h。采用XRD、SEM、XPS技术对制备的SrWO4薄膜进行了表征;... 在室温条件下,采用恒电流电化学方法直接在钨片基体上制备了白钨矿结构的SrWO4晶态薄膜。电化学反应的工艺参数为:电流密度为1mA/cm2、电解液的pH值为12.5、电化学处理时间为1.5h。采用XRD、SEM、XPS技术对制备的SrWO4薄膜进行了表征;首次测试了制备的SrWO4薄膜的室温光致发光光谱,结果表明SrWO4薄膜受到波长为325nm的激光激发后,在400nm附近有一较强的发射光谱,同时在450~580nm波段之间有一个宽的谱带。 展开更多
关键词 SrWO4薄膜 电化学制备 白钨矿结构 光致发光
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La_(0.7-x)Dy_xSr_(0.3)MnO_3体系低温磁行为和电阻率的反常 被引量:4
13
作者 刘宁 严国清 +1 位作者 徐素军 童伟 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期433-437,共5页
通过测量样品的磁化强度温度(M T)曲线、电阻率温度(ρT)曲线及磁电阻温度(MR T)曲线,研究了Dy掺杂(0.00≤x≤0.30)对La0.7-xDyxSr0.3MnO3体系磁电性质的影响。实验发现:随Dy掺杂量的增加,体系的磁结构从长程铁磁有序向自旋团簇玻... 通过测量样品的磁化强度温度(M T)曲线、电阻率温度(ρT)曲线及磁电阻温度(MR T)曲线,研究了Dy掺杂(0.00≤x≤0.30)对La0.7-xDyxSr0.3MnO3体系磁电性质的影响。实验发现:随Dy掺杂量的增加,体系的磁结构从长程铁磁有序向自旋团簇玻璃态、反铁磁状态转变。x为0.20,0.30时的低温磁行为发生异常,电行为存在低温电阻率极小值的现象。这些现象不仅来源于掺杂引起的晶格效应,而且来源于掺杂引起的额外磁性耦合。 展开更多
关键词 锰氧化物 低温电阻率反常 晶格效应 额外磁性耦合
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(Ca,Sr)S:Eu,Sm的光激励发光和电子俘获机理的研究 被引量:1
14
作者 何志毅 王永生 +2 位作者 孙力 徐征 徐叙 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第7期729-732,共4页
研究了CaxSr1-xS:Eu,Sm(x=0~1)的光激励发光和吸收性质,测量了样品的红外光激励谱。发现激发后样品在红外区的吸收增强,增强部分的波长分布与光激励谱相同,峰的位置随组分x值而变化,同时在这些谱带上还发现了一些次级结构。由此说明Sm3... 研究了CaxSr1-xS:Eu,Sm(x=0~1)的光激励发光和吸收性质,测量了样品的红外光激励谱。发现激发后样品在红外区的吸收增强,增强部分的波长分布与光激励谱相同,峰的位置随组分x值而变化,同时在这些谱带上还发现了一些次级结构。由此说明Sm3+对陷阱的红外激励吸收的影响。据此提出一个复合陷阱模型,指出电子俘获中心并非Sm3+附近形成的晶格缺陷。 展开更多
关键词 光激励发光 电子俘获 碱土金属硫化物 SM EU
原文传递
卤化锶激光器的实验研究 被引量:3
15
作者 姚志欣 潘佰良 +2 位作者 陈钢 方本民 陈星 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期110-112,共3页
采用卤化锶替代金属锶作为激光工作物质 ,获得多组锶激光振荡 ,包括波长 6 45 μm的锶原子自终止激光 ,波长 1 0 3 1 0 9μm的锶离子自终止激光和波长 416 2 430 5nm的锶离子复合激光。展望了卤化锶激光器的发展前景。
关键词 卤化锶 金属蒸气 激光器 实验研究
原文传递
杂质离子在Sr(NO_3)_2晶体中分凝行为的研究 被引量:2
16
作者 吴立军 陈万春 粱敬魁 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期163-167,共5页
本工作研究了Ba2 + ,Pb2 + ,Ca2 + 等 9种金属离子在Sr(NO3) 2 晶体生长过程中的分凝行为 .采用蒸发溶剂方法生长晶体 .蒸发溶剂的温度固定在 45℃ .掺杂离子在初始溶液中的浓度的摩尔分数为 0 .2 %~ 0 .0 2 % .使用等离子发射光谱和... 本工作研究了Ba2 + ,Pb2 + ,Ca2 + 等 9种金属离子在Sr(NO3) 2 晶体生长过程中的分凝行为 .采用蒸发溶剂方法生长晶体 .蒸发溶剂的温度固定在 45℃ .掺杂离子在初始溶液中的浓度的摩尔分数为 0 .2 %~ 0 .0 2 % .使用等离子发射光谱和电子探针测定了杂质离子在溶液和晶体中的分布 .研究发现 :主体相Sr(NO3) 2 和杂质硝酸盐结构的类同性 ,是杂质离子易于进入晶格的关键因素 ;杂质硝酸盐的溶解度越小 ,杂质越容易进入晶体 ;在同一晶体中Ba2 + 离子在 (10 0 )扇形富集 ,它与晶体在不同结晶方向的表面结构有关 . 展开更多
关键词 溶液晶体生长 Sr(NO3)2晶体 杂质分凝 非线性光学晶体
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黄色荧光粉Sr_3SiO_5:Eu^(2+)相转变机理 被引量:2
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作者 王婷 周航 +3 位作者 张新 徐旭辉 邱建备 余雪 《中国科技论文》 CAS 北大核心 2014年第2期207-211,共5页
高温固相法合成Sr3SiO5:Eu2+过程中,杂质相Sr2SiO4:Eu2+的存在会不同程度影响Sr3SiO5:Eu2+的光致发光性能及余辉性能。本文通过压片烧结和燃烧法两种方法制备Sr3SiO5:Eu2+,结合热重-差热分析和X射线衍射分析,研究了Sr3SiO5:Eu2+在合成... 高温固相法合成Sr3SiO5:Eu2+过程中,杂质相Sr2SiO4:Eu2+的存在会不同程度影响Sr3SiO5:Eu2+的光致发光性能及余辉性能。本文通过压片烧结和燃烧法两种方法制备Sr3SiO5:Eu2+,结合热重-差热分析和X射线衍射分析,研究了Sr3SiO5:Eu2+在合成过程中的相变化规律以及动力学过程。研究表明:原料与坩埚的接触处形成的界面以及原料在升温过程经过Sr2SiO4:Eu2+的合成温度区间是导致杂质相产生的主要原因。在升温过程中,当温度经过1 200℃左右的温度区间时,由于原料与坩埚接触处可以看作是两组不同物质的分界面,Sr2SiO4:Eu2+的合成首先在该分界面处合成,而更多的原料需要扩散通过生成物层才能进一步反应;但随着温度的升高,原料随后进入Sr3SiO5:Eu2+的合成过程,从而导致了Sr2SiO4:Eu2+杂质相的生成。 展开更多
关键词 发光二极管 硅酸盐 锶化合物 固相反应 相变 杂质相
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异质外延MgO/SrTiO_3薄膜中界面应力研究 被引量:1
18
作者 郑亮 张鹰 +5 位作者 李金隆 蒋书文 姬洪 艾万勇 陈寅 李言荣 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期10-13,共4页
本文利用激光分子束外延 (LMBE)技术在SrTiO3 (10 0 )单晶基片上外延生长MgO薄膜 ,同时又在MgO(10 0 )单晶基片上外延生长SiTiO3 (STO)薄膜。通过反射高能电子衍射 (RHEED)仪原位实时监测薄膜生长 ,研究薄膜的生长过程。并结合X射线衍射... 本文利用激光分子束外延 (LMBE)技术在SrTiO3 (10 0 )单晶基片上外延生长MgO薄膜 ,同时又在MgO(10 0 )单晶基片上外延生长SiTiO3 (STO)薄膜。通过反射高能电子衍射 (RHEED)仪原位实时监测薄膜生长 ,研究薄膜的生长过程。并结合X射线衍射 (XRD)仪来分析在不同的生长条件下 ,不同应力对薄膜外延生长的影响。在压应力情况下 ,MgO薄膜在STO基片上以单个晶胞叠层的方式生长 ,即以“CubiconCubic”方式进行外延 ;在张应力情况下 ,由于膜内位错较多 ,STO薄膜在MgO基片上以晶胞镶嵌的方式进行生长 ,即以“Mosaic”结构进行外延 ;提高生长温度 ,可以减少膜内位错 ,提高外延质量 ,使STO薄膜在MgO基片上以较好的层状方式外延生长。 展开更多
关键词 薄膜生长 基片 外延生长 界面应力 单晶 晶胞 位错 异质外延 叠层 反射高能电子衍射
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高纯致密的长余辉块体材料的制备方法的研究 被引量:1
19
作者 李娜 瞿志学 +2 位作者 徐晓伟 范慧俐 郑延军 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期595-596,599,共3页
在高温固相法的基础上,通过在900℃对原料进行预处理,成功制备出一种高纯、致密的长余辉块体材料。通过扫描电镜对其表面形态进行表征,结果表明该块体材料致密、均匀、无裂纹;并通过XRD 测试分析发现预处理后SrAl2O4 相已基本形成。
关键词 高温固相法 预处理 高纯 致密
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SrTiO_3斜切基片上外延生长YBa_2Cu_3O_(7-δ)薄膜的扫描探针显微镜研究
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作者 时东霞 巴德纯 +3 位作者 庞世瑾 胡文斐 李林 高鸿钧 《真空科学与技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期100-103,共4页
采用激光脉冲沉积法在钛酸锶SrTiO3 (0 0 1)斜切基片上外延生长YBa2 Cu3 O7 δ薄膜 ,在大气环境下采用扫描探针显微镜对YBa2 Cu3 O7 δ薄膜的表面纳米形貌进行直接观察。发现YBa2 Cu3 O7 δ薄膜具有相对光滑的表面形貌 ,薄膜表面由沿SrT... 采用激光脉冲沉积法在钛酸锶SrTiO3 (0 0 1)斜切基片上外延生长YBa2 Cu3 O7 δ薄膜 ,在大气环境下采用扫描探针显微镜对YBa2 Cu3 O7 δ薄膜的表面纳米形貌进行直接观察。发现YBa2 Cu3 O7 δ薄膜具有相对光滑的表面形貌 ,薄膜表面由沿SrTiO3台阶趋向外延生长的纳米台阶组成 ,薄膜生长模式主要以台阶媒体生长为主。 展开更多
关键词 SrTiO3斜切基片 外延生长 扫描探针显微镜 YBA2CU3O7-Δ 薄膜 表面形貌 钛酸锶
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