期刊文献+
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
GaAs(100)上外延Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3(101)铁电薄膜的制备与性能研究
1
作者 李争刚 朱俊 +1 位作者 刘兴鹏 周云霞 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2018年第8期40-44,共5页
采用激光分子束外延技术,在GaAs(100)衬底上,利用SrTiO_3(STO)/TiO_2复合缓冲层生长外延Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3(PZT)铁电薄膜。TiO_2/STO复合缓冲层的引入用来减小晶格失配和界面互扩散,达到提高外延PZT铁电薄膜的结晶质量和电学性... 采用激光分子束外延技术,在GaAs(100)衬底上,利用SrTiO_3(STO)/TiO_2复合缓冲层生长外延Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3(PZT)铁电薄膜。TiO_2/STO复合缓冲层的引入用来减小晶格失配和界面互扩散,达到提高外延PZT铁电薄膜的结晶质量和电学性能的目的。TiO_2和STO的生长通过原位反射高能电子衍射仪(RHEED)实时监控。该异质结构的面外外延关系为PZT(101)//STO(110)//TiO_2(110)//GaAs(100)。PZT/STO/TiO_2/GaAs异质结构在电场为-250×10~3V/cm时漏电流密度低于1×10^(-6)A/cm^2,剩余极化强度(2P_r)高达24×10^(-6)C/cm^2。此外,在模拟太阳光(AM1.5G)照明下,这种异质结构通过剩余极化增强的光电转换效率为10.01%。 展开更多
关键词 激光分子束外延 外延PZT GAAS衬底 srtio3(sto)/tio2缓冲 铁电性能 光伏性能
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部