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GaAs(100)上外延Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3(101)铁电薄膜的制备与性能研究
1
作者
李争刚
朱俊
+1 位作者
刘兴鹏
周云霞
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第8期40-44,共5页
采用激光分子束外延技术,在GaAs(100)衬底上,利用SrTiO_3(STO)/TiO_2复合缓冲层生长外延Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3(PZT)铁电薄膜。TiO_2/STO复合缓冲层的引入用来减小晶格失配和界面互扩散,达到提高外延PZT铁电薄膜的结晶质量和电学性...
采用激光分子束外延技术,在GaAs(100)衬底上,利用SrTiO_3(STO)/TiO_2复合缓冲层生长外延Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3(PZT)铁电薄膜。TiO_2/STO复合缓冲层的引入用来减小晶格失配和界面互扩散,达到提高外延PZT铁电薄膜的结晶质量和电学性能的目的。TiO_2和STO的生长通过原位反射高能电子衍射仪(RHEED)实时监控。该异质结构的面外外延关系为PZT(101)//STO(110)//TiO_2(110)//GaAs(100)。PZT/STO/TiO_2/GaAs异质结构在电场为-250×10~3V/cm时漏电流密度低于1×10^(-6)A/cm^2,剩余极化强度(2P_r)高达24×10^(-6)C/cm^2。此外,在模拟太阳光(AM1.5G)照明下,这种异质结构通过剩余极化增强的光电转换效率为10.01%。
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关键词
激光分子束外延
外延PZT
GAAS衬底
srtio
3(
sto
)/
tio
2
缓冲
层
铁电性能
光伏性能
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职称材料
题名
GaAs(100)上外延Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3(101)铁电薄膜的制备与性能研究
1
作者
李争刚
朱俊
刘兴鹏
周云霞
机构
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
出处
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第8期40-44,共5页
基金
国家重点研究与发展计划(2016YFB0700201)
国家自然科学基金(51372030)
文摘
采用激光分子束外延技术,在GaAs(100)衬底上,利用SrTiO_3(STO)/TiO_2复合缓冲层生长外延Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3(PZT)铁电薄膜。TiO_2/STO复合缓冲层的引入用来减小晶格失配和界面互扩散,达到提高外延PZT铁电薄膜的结晶质量和电学性能的目的。TiO_2和STO的生长通过原位反射高能电子衍射仪(RHEED)实时监控。该异质结构的面外外延关系为PZT(101)//STO(110)//TiO_2(110)//GaAs(100)。PZT/STO/TiO_2/GaAs异质结构在电场为-250×10~3V/cm时漏电流密度低于1×10^(-6)A/cm^2,剩余极化强度(2P_r)高达24×10^(-6)C/cm^2。此外,在模拟太阳光(AM1.5G)照明下,这种异质结构通过剩余极化增强的光电转换效率为10.01%。
关键词
激光分子束外延
外延PZT
GAAS衬底
srtio
3(
sto
)/
tio
2
缓冲
层
铁电性能
光伏性能
Keywords
laser molecular beam epitaxy
epitaxial Pb(Zr0.5
2
Ti0.48)O
3
GaAs substrate
srtio
3
/
tio
2 buffer layers
photovoltaic property
ferroelectric properties
分类号
O484.1 [理学—固体物理]
O484.41 [理学—物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
GaAs(100)上外延Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3(101)铁电薄膜的制备与性能研究
李争刚
朱俊
刘兴鹏
周云霞
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2018
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职称材料
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