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SrO分子在GaN(0001)表面吸附的密度泛函理论研究
1
作者
黄平
梁晓琴
杨春
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第20期20033-20036,共4页
建立了SrO/GaN（0001）2×2表面吸附模型,采用基于第一性原理的密度泛函理论平面波超软赝势方法对SrO分子的吸附生长进行了计算,详细研究了SrO分子在表面的吸附位置、吸附能及表面化学键特性。计算发现,SrO分子在GaN（0001）表面吸...
建立了SrO/GaN（0001）2×2表面吸附模型,采用基于第一性原理的密度泛函理论平面波超软赝势方法对SrO分子的吸附生长进行了计算,详细研究了SrO分子在表面的吸附位置、吸附能及表面化学键特性。计算发现,SrO分子在GaN（0001）表面吸附不会发生分解,最稳定吸附位为Ga桥位,吸附能达到7.257～7.264 eV。通过电荷布居数和态密度分析,SrO分子吸附后O与表面的一个Ga原子形成的化学键表现出共价键特征,电子由SrO转移给表面部分Ga原子,GaN（0001）仍存在表面态。
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关键词
GaN(0001)表面
sro
分子
密度泛函理论
吸附
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职称材料
题名
SrO分子在GaN(0001)表面吸附的密度泛函理论研究
1
作者
黄平
梁晓琴
杨春
机构
四川师范大学物理与电子工程学院
四川师范大学可视化计算与虚拟现实四川省重点实验室
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第20期20033-20036,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(51172150)
四川省科技厅资助项目(2014JY0091)
文摘
建立了SrO/GaN（0001）2×2表面吸附模型,采用基于第一性原理的密度泛函理论平面波超软赝势方法对SrO分子的吸附生长进行了计算,详细研究了SrO分子在表面的吸附位置、吸附能及表面化学键特性。计算发现,SrO分子在GaN（0001）表面吸附不会发生分解,最稳定吸附位为Ga桥位,吸附能达到7.257～7.264 eV。通过电荷布居数和态密度分析,SrO分子吸附后O与表面的一个Ga原子形成的化学键表现出共价键特征,电子由SrO转移给表面部分Ga原子,GaN（0001）仍存在表面态。
关键词
GaN(0001)表面
sro
分子
密度泛函理论
吸附
Keywords
GaN（0001） surface
sro
DFT
adsorption
分类号
O484 [理学—固体物理]
TB383 [理学—物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
SrO分子在GaN(0001)表面吸附的密度泛函理论研究
黄平
梁晓琴
杨春
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014
0
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职称材料
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