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场发射阴极及其应用的回顾与展望 被引量:16
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作者 李兴辉 白国栋 +3 位作者 李含雁 丁明清 冯进军 廖复疆 《真空电子技术》 2015年第2期50-63,共14页
本文综述了Spindt阴极、碳纳米管、碳纤维等场发射阴极的发展历史及国内外最新研究进展,以及以场发射阴极作为电子源,在行波管、X射线管、显示器件、太赫兹真空器件及真空纳米三极管中应用的发展情况。根据场发射阴极研究现状,分别分析... 本文综述了Spindt阴极、碳纳米管、碳纤维等场发射阴极的发展历史及国内外最新研究进展,以及以场发射阴极作为电子源,在行波管、X射线管、显示器件、太赫兹真空器件及真空纳米三极管中应用的发展情况。根据场发射阴极研究现状,分别分析了场发射阴极各自具有的优势,以及其在电子器件中应用存在的问题,并探讨了相应的改进措施。 展开更多
关键词 场发射阴极 spindt阴极 碳纳米管 碳纤维 微波真空器件 X射线管 显示器件 太赫兹真空器件 真空纳米三极管
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真空微电子学的研究方向与主要内容
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作者 沈一喆 皮德富 《真空电子技术》 北大核心 1996年第5期22-27,共6页
综述了真空微电子学这一新兴学科的研究方向和主要内容,基本的理论基础,总结了近年来国内外在模拟数值计算和工艺实践中报道的对现有理论体系的一些补充性成果,以期对该学科有一比较完整的了解和认识。
关键词 真空微电子学 spindt阴极 几何因子 尖端效应
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Spindt阴极金属颗粒粘附失效分析 被引量:3
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作者 李兴辉 白国栋 +3 位作者 李含雁 丁明清 冯进军 廖复疆 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第4期418-423,共6页
Spindt型场发射阴极,在初期老炼过程中容易失效,其表现为发射尖锥和栅极间短路、漏电,或是真空电弧损伤。引起Spindt阴极失效的一个主要原因,分析认为是存在于发射尖锥表面、栅极边缘以及承载尖锥的二氧化硅空腔中的金属颗粒附着。这些... Spindt型场发射阴极,在初期老炼过程中容易失效,其表现为发射尖锥和栅极间短路、漏电,或是真空电弧损伤。引起Spindt阴极失效的一个主要原因,分析认为是存在于发射尖锥表面、栅极边缘以及承载尖锥的二氧化硅空腔中的金属颗粒附着。这些金属颗粒,产生于双向沉积制作发射尖锥过程中,它们在牺牲层剥离时脱落,并且没有在随后的纯水清洗过程中得到有效去除。这些金属颗粒的存在,即便没有导致初期阴极失效,也可能成为阴极大电流应用,如微波真空功率器件应用的潜在障碍。研究中提出了在常规清洗工艺中引入超声波清洗和兆声波清洗,初步试验研究表明,振动频率28 k Hz的超声波清洗,容易造成阴极损伤,并且对微小颗粒的去除效果不好,而频率1 MHz的兆声波清洗,则可近似无损地将阴极失效率大幅降低。 展开更多
关键词 spindt阴极 微波真空功率器件 大电流应用 阴极失效 牺牲层 超声波清洗 兆声波清洗
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Spindt阴极制作中剥离层的研究 被引量:3
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作者 李兴辉 白国栋 +3 位作者 李含雁 丁明清 冯进军 廖复疆 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第4期303-308,共6页
在Spindt场发射阴极制作工艺流程中,剥离层对于形成良好的发射尖锥形状至关重要,同时它也是实现阴极阵列中尖锥均匀性的关键因素。本文研究了几种常用的剥离层材料包括金属铜,Al2O3以及水溶性的NaCl和Na2CO3。实验表明NaCl和Na2CO3用作... 在Spindt场发射阴极制作工艺流程中,剥离层对于形成良好的发射尖锥形状至关重要,同时它也是实现阴极阵列中尖锥均匀性的关键因素。本文研究了几种常用的剥离层材料包括金属铜,Al2O3以及水溶性的NaCl和Na2CO3。实验表明NaCl和Na2CO3用作剥离层,可以被去离子水迅速、容易地去除,并同时实现很好的腐蚀选择性。但用这些水溶性材料得到的发射尖锥形状不很规则且表面粗糙,由此也会带来整个阴极阵列上尖锥的不均匀性。使用Al2O3作为剥离层则较为理想,可以得到光滑的栅极收口和很好的尖锥阵列。但传统用来腐蚀Al2O3的热H3PO4,对于加热制作的Al2O3剥离层腐蚀较为困难。尝试了使用基于NaOH的腐蚀液来剥离加热Al2O3层,通过严格的工艺参数控制,如腐蚀液浓度和刻蚀时间,可以制作出质量较好尖锥发射体阵列。 展开更多
关键词 spindt阴极 剥离层 选择性腐蚀 水溶性材料 氧化铝
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Spindt阴极电容模型
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作者 黄庆安 翟宏洲 +2 位作者 向涛 秦明 张会珍 《电子器件》 CAS 1994年第3期113-115,共3页
本文用数值方法,计算了Spindt阴极的电容,给出了—族曲线,与实验结果比较接近,对真空微电子微波三极管的设计有一定意义。
关键词 spindt阴极 电容 微波器件 模型
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纳米球制备Spindt阴极及其场致发射特性仿真 被引量:1
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作者 张鹛枭 马玉龙 +6 位作者 周虎 周旺 周利华 向伟 赵兴海 曾葆青 崔莹 《兰州大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2017年第5期706-710,共5页
结合聚苯乙烯纳米球自组装技术和微机械制造技术提供了一种制备Spindt场致发射阵列阴极的新方法,并成功制备了集成度较高且均匀分布的微孔阵列,微孔孔径为300~500 nm,绝缘层厚度为500 nm,孔间距为750 nm,微孔集成度达到10~8个/cm^2,是... 结合聚苯乙烯纳米球自组装技术和微机械制造技术提供了一种制备Spindt场致发射阵列阴极的新方法,并成功制备了集成度较高且均匀分布的微孔阵列,微孔孔径为300~500 nm,绝缘层厚度为500 nm,孔间距为750 nm,微孔集成度达到10~8个/cm^2,是普通光刻技术的10倍以上.利用CST粒子工作室的质点网格求解器对该工艺方法制备的Spindt阴极的场致发射特性进行了数值仿真,结果表明发射尖端曲率半径、栅极孔径以及尖端相对栅极的高度是影响发射电流的决定因素. 展开更多
关键词 场致发射 spindt阴极 聚苯乙烯纳米球 质点网格法
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Spindt阴极可靠性物理问题 被引量:1
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作者 廖复疆 《真空电子技术》 2017年第6期7-11,38,共6页
本文研究了Spindt阴极不可靠的主要原因,是其结构中的肖特基二极管。将肖特基二极管从Spindt阴极中移去,可消除其打火现象;用浇铸法或其他方法在金属基片上制造微尖阵列,可以实现可靠的场致发射阴极;双栅极微尖阵列可以改善电子注的聚... 本文研究了Spindt阴极不可靠的主要原因,是其结构中的肖特基二极管。将肖特基二极管从Spindt阴极中移去,可消除其打火现象;用浇铸法或其他方法在金属基片上制造微尖阵列,可以实现可靠的场致发射阴极;双栅极微尖阵列可以改善电子注的聚焦特性,有助于推动其在微波管和太赫兹管中的应用。 展开更多
关键词 spindt阴极 场致发射 肖特基二极管
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多绝缘层结构Spindt阴极设计及工艺实现
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作者 姜琪 韩攀阳 +3 位作者 杜婷 李兴辉 蔡军 冯进军 《真空电子技术》 2022年第4期60-66,共7页
介绍了以SiO_(2)/Si_(3)N_(4)/SiO_(2)为绝缘层的夹层结构Spindt阴极并探索了两种工艺实验方法。将干法和湿法腐蚀相结合实现了侧壁崎岖的绝缘层空腔。通过精确调节绝缘层干法刻蚀时间,结合N-甲基吡咯烷酮和等离子体去胶的工艺,解决了... 介绍了以SiO_(2)/Si_(3)N_(4)/SiO_(2)为绝缘层的夹层结构Spindt阴极并探索了两种工艺实验方法。将干法和湿法腐蚀相结合实现了侧壁崎岖的绝缘层空腔。通过精确调节绝缘层干法刻蚀时间,结合N-甲基吡咯烷酮和等离子体去胶的工艺,解决了光刻胶变性难以去除的问题。在扫描电子显微镜下观察到顶层SiO_(2)直径3.8μm、底层SiO_(2)直径2μm、中间层Si_(3)N_(4)和自对准钼栅孔直径1.1μm、尖锥高度1.1μm的冷阴极结构形貌。研究表明,这种崎岖的侧壁能够在测试时阻断沿路放电,在大电压下能够缓解电弧放电现象,降低冷阴极的损坏。 展开更多
关键词 多绝缘层结构 spindt阴极 变性光刻胶去除 微加工
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平面型纳米真空三极管的计算机模拟
9
作者 何建澄 柳建龙 曾葆青 《真空电子技术》 2022年第5期63-66,76,共5页
平面纳米真空三极管只需要平面工艺,与现有的微电子工艺兼容,与基于经典Spindt阴极的真空微电子三极管相比,具有工艺相对简单等特点,同样具备纳米真空电子器件抗辐射、温度稳定性好等优点。本文采用粒子模拟方法对平面型纳米真空三极管... 平面纳米真空三极管只需要平面工艺,与现有的微电子工艺兼容,与基于经典Spindt阴极的真空微电子三极管相比,具有工艺相对简单等特点,同样具备纳米真空电子器件抗辐射、温度稳定性好等优点。本文采用粒子模拟方法对平面型纳米真空三极管的场发射特性进行了计算机模拟研究,模拟中考虑了空间电荷的影响。典型器件的模拟结果表明,平面型纳米真空三极管具有信号响应速度快,工作电压较低等优点。研究了该三极管结构中的尖端曲率半径、尖端相对高度、栅极电压和阳极电压对场发射特性的影响,有助于设计和优化该类器件结构。这种平面型纳米真空三极管可望成为真空集成电路的基础器件,并在卫星等航空航天领域等需要抗辐射领域获得应用。 展开更多
关键词 纳米真空三极管 模拟仿真 场发射特性 spindt阴极
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新型Spindt阴极阵列磁敏传感器的研究
10
作者 邓宁 朱长纯 《半导体杂志》 2000年第2期27-31,共5页
提出了一种检测三维磁场的真空微电子磁敏传感器。该传感器采用Spindt阴极阵列作为电子源 ,阳极分为五个区域 ,以便检测发射电子在磁场作用下的偏移。通过不同阴极电压下电子束流的偏移量的差值 ,可求出器件所在位置磁场的三个分量。对... 提出了一种检测三维磁场的真空微电子磁敏传感器。该传感器采用Spindt阴极阵列作为电子源 ,阳极分为五个区域 ,以便检测发射电子在磁场作用下的偏移。通过不同阴极电压下电子束流的偏移量的差值 ,可求出器件所在位置磁场的三个分量。对传感器的灵敏度和误差进行了模拟计算 ,并研究了它们与阳极电压、阴 阳极间距及阳极电压变化步长的关系。结果表明该传感器的灵敏度约为 80 0 % ,相对误差为 3%。 展开更多
关键词 真空微电子 spindt阴极 磁敏传感器
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同轴双栅极SPINDT阴极的模拟与分析
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作者 蔡军 李兴辉 +2 位作者 李莉 李炳炎 廖复疆 《真空电子技术》 2005年第3期9-12,共4页
描述了双栅极场致发射阴极的电子束聚焦问题。通过IESLORENTZ-2D对单栅极单个SPINDT微尖的模拟,表明模拟与实验数据符合得很好。对带有同轴聚焦电极的单个SPINDT微尖也进行了模拟,并且分析了影响电子束聚焦的各种几何和电参数。结果表明... 描述了双栅极场致发射阴极的电子束聚焦问题。通过IESLORENTZ-2D对单栅极单个SPINDT微尖的模拟,表明模拟与实验数据符合得很好。对带有同轴聚焦电极的单个SPINDT微尖也进行了模拟,并且分析了影响电子束聚焦的各种几何和电参数。结果表明,为了满足设计标准,应当同时考虑聚焦效果和发射特性。 展开更多
关键词 spindt阴极 电子束聚焦 同轴聚焦
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真空微电子器件的场发射理论计算模型
12
作者 刘卫东 郑修麟 +1 位作者 刘云鹏 罗恩泽 《电子器件》 CAS 1994年第3期28-32,共5页
本文建立了个真空微电子器件场发射理论计算模型;
关键词 场发射 计算模型 真空微电子器件 spindt阴极
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Spindt型阴极的研制 被引量:2
13
作者 彭自安 柯春 +1 位作者 冯进军 李兴辉 《电子器件》 CAS 1994年第3期76-76,共1页
本文概述Spindt型阴极的发展水平及其应用,介绍了在我们现在有工艺条件下,研制Spindt型阴极的情况。利用改装的蒸发沉积设备及射频磁控溅射技术在基片上的微孔阵列中制作发射尖锥,以制成场发射阴极。在真空条件下测量了... 本文概述Spindt型阴极的发展水平及其应用,介绍了在我们现在有工艺条件下,研制Spindt型阴极的情况。利用改装的蒸发沉积设备及射频磁控溅射技术在基片上的微孔阵列中制作发射尖锥,以制成场发射阴极。在真空条件下测量了该阴极的发射特性,并利用这种平面阴极制作了荧光屏显示原理性样管显示出足够亮度的光点;在此基础上,对该阴极在平板显示器件上的应用提出了一个设计,对实现这一设计的材料和工艺作了论证. 展开更多
关键词 spindt阴极 掠角沉积 工艺 场发射阴极
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场发射显示器研究现状 被引量:9
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作者 邓江 林祖伦 张义德 《现代显示》 2005年第4期8-11,共4页
目前,场发射显示阴极仍以Spindt型为主。碳纳米管由于其独特的性质,也成为了各国研究的热点问题之一。本文概述了Spindt-FED和CNT-FED各自所具有的特点,并且对目前存在的问题及国内外的发展动态进行了综述。
关键词 场发射显示 spindt阴极 碳纳米管
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用有限元方法计算X光源场发射阴极电流 被引量:1
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作者 解滨 陈波 +2 位作者 韩邦诚 尼启良 巩岩 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 2004年第2期221-225,共5页
针对场致发射阵列建立了有效的三维有限元模型来分析单个尖锥的发射电流。考虑到场致发射阵列的周期性和尖锥的轴对称性,仅对一个尖锥单元的1/4进行分析。对模型的表面施加电压边界条件,计算得到尖锥表面电场强度分布,电场强度在尖锥顶... 针对场致发射阵列建立了有效的三维有限元模型来分析单个尖锥的发射电流。考虑到场致发射阵列的周期性和尖锥的轴对称性,仅对一个尖锥单元的1/4进行分析。对模型的表面施加电压边界条件,计算得到尖锥表面电场强度分布,电场强度在尖锥顶点最强,场发射电流在此处也最强。由Fowler Nordheim函数可得到尖锥表面的场致发射电流密度分布,对整个尖锥表面进行积分后得到了单个尖锥的场致发射电流约为7μA。计算了在100V门电压下不同顶端半径的场致发射电流。结果显示,场发射对顶端半径有很强的依赖性。计算了100个顶端半径为8nm的尖锥在不同门电压下的总场致发射电流,发射电流与开启电压与实际测量值符合得很好。 展开更多
关键词 场发射阴极 有限元 spindt阴极 发射电流 Fowler-Nordheim函数 计算 X光源
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敷ZrC的Mo Spindt阵列阴极的发射性能 被引量:1
16
作者 李含雁 丁明清 +3 位作者 冯进军 李兴辉 张甫权 白国栋 《真空电子技术》 2006年第3期57-60,共4页
对Spin&阵列阴极表面涂敷ZrC薄膜后的发射性能进行了研究。本实验采用原位沉积的方法实现ZrC薄膜的涂敷,所谓原位沉积就是在沉积完Mo尖锥后,立刻沉积ZrC薄膜,其中,ZrC厚度为5~10nm。涂敷ZrC薄膜后的Spindt阵列阴极(ZrC FEA)在... 对Spin&阵列阴极表面涂敷ZrC薄膜后的发射性能进行了研究。本实验采用原位沉积的方法实现ZrC薄膜的涂敷,所谓原位沉积就是在沉积完Mo尖锥后,立刻沉积ZrC薄膜,其中,ZrC厚度为5~10nm。涂敷ZrC薄膜后的Spindt阵列阴极(ZrC FEA)在相同条件下与Mo阵列相比呈现出良好的发射性能,如相同栅极电压下的发射电流密度升高,开启电压降低。为清洁和光滑发射体表面,本实验在测试前对ZrC FEA进行了场解吸附处理,并比较了ZrC FEA在处理前后发射性能的变化。 展开更多
关键词 MO spindt阵列阴极 ZRC FEA 发射电流密度 开启电压 场解吸附
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