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Spindt三极管静电场分析 被引量：1
1
作者 刘永强 刘卫东 +1 位作者 刘云鹏 罗恩泽 《电子器件》 CAS 1994年第3期38-41,共4页
本文利用计算机数值分析，得到了一组Ｓｐｉｎｄｔ三极管的发射尖端几何因子的计算公式；计算了器件内的场分布，对一组较典型的结构参数绘出了等势线。
关键词 spindt三极管 数值分析 几何因子 真空微电子学
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