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SnO_2气敏薄膜的制作与性能研究
被引量：
1
1
作者
于国萍
易涛
+1 位作者
魏正和
曾志峰
《武汉大学学报（理学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第5期613-616,共4页
采用射频溅射法制备了SnO2气敏薄膜,并在薄膜中掺杂Sb2O3和Pt用于气敏薄膜的增敏.使用XRD对制备的薄膜进行了结构分析,测量了薄膜的吸收光谱和电阻,并研究了薄膜工艺条件的改变对薄膜结构和性能的影响.结果表明,不同退火温度下处理的氧...
采用射频溅射法制备了SnO2气敏薄膜,并在薄膜中掺杂Sb2O3和Pt用于气敏薄膜的增敏.使用XRD对制备的薄膜进行了结构分析,测量了薄膜的吸收光谱和电阻,并研究了薄膜工艺条件的改变对薄膜结构和性能的影响.结果表明,不同退火温度下处理的氧化锡薄膜均为金红石结构,退火温度对薄膜的晶粒尺寸和电阻有较大影响:退火温度愈高,薄膜中形成的晶粒越完整,晶化程度愈高;电阻率随着退火温度的升高而降低,考虑到气敏薄膜的敏感性能,本文选取1100℃为最佳退火温度.由于掺杂的影响,在氧化锡的禁带中产生了杂质能级,使薄膜对2722nm附近的红外光波产生了强烈吸收.
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关键词
sno
2
气
敏
薄膜
制作方法
射频溅射法
氧化锡
薄膜
薄膜
结构
退火温度
敏
感性能
金属氧化物半导体
下载PDF
职称材料
CaO-SnO_2气敏薄膜最佳掺杂含量的理论计算
2
作者
范志新
潘晓春
潘良玉
《真空》
CAS
北大核心
2002年第4期26-28,共3页
本文介绍一个最佳掺杂含量表达式。应用此表达式定量计算了 Ca O- Sn O2 薄膜乙醇气敏元件材料的最佳掺杂含量。
关键词
CaO-
sno
2
气
敏
薄膜
气
敏
元件
晶体结构
制备方法
最佳掺杂含量
理论计算
氧化钙
二氧化锡
氧化物半导体
下载PDF
职称材料
题名
SnO_2气敏薄膜的制作与性能研究
被引量：
1
1
作者
于国萍
易涛
魏正和
曾志峰
机构
武汉大学物理科学与技术学院
北京大学物理学院
出处
《武汉大学学报（理学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第5期613-616,共4页
基金
湖北省自然科学基金资助项目(2002AB0036)
文摘
采用射频溅射法制备了SnO2气敏薄膜,并在薄膜中掺杂Sb2O3和Pt用于气敏薄膜的增敏.使用XRD对制备的薄膜进行了结构分析,测量了薄膜的吸收光谱和电阻,并研究了薄膜工艺条件的改变对薄膜结构和性能的影响.结果表明,不同退火温度下处理的氧化锡薄膜均为金红石结构,退火温度对薄膜的晶粒尺寸和电阻有较大影响:退火温度愈高,薄膜中形成的晶粒越完整,晶化程度愈高;电阻率随着退火温度的升高而降低,考虑到气敏薄膜的敏感性能,本文选取1100℃为最佳退火温度.由于掺杂的影响,在氧化锡的禁带中产生了杂质能级,使薄膜对2722nm附近的红外光波产生了强烈吸收.
关键词
sno
2
气
敏
薄膜
制作方法
射频溅射法
氧化锡
薄膜
薄膜
结构
退火温度
敏
感性能
金属氧化物半导体
Keywords
tin oxide thin films
r. f. sputtering
annealing
infrared spectra
分类号
TN304.21 [电子电信—物理电子学]
TN304.055
下载PDF
职称材料
题名
CaO-SnO_2气敏薄膜最佳掺杂含量的理论计算
2
作者
范志新
潘晓春
潘良玉
机构
河北工业大学文理学院
出处
《真空》
CAS
北大核心
2002年第4期26-28,共3页
文摘
本文介绍一个最佳掺杂含量表达式。应用此表达式定量计算了 Ca O- Sn O2 薄膜乙醇气敏元件材料的最佳掺杂含量。
关键词
CaO-
sno
2
气
敏
薄膜
气
敏
元件
晶体结构
制备方法
最佳掺杂含量
理论计算
氧化钙
二氧化锡
氧化物半导体
Keywords
gas sensors
crystal structure
preparation method
optimum doping content
theoretical calculation
分类号
TN304.21 [电子电信—物理电子学]
TN304.055
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
SnO_2气敏薄膜的制作与性能研究
于国萍
易涛
魏正和
曾志峰
《武汉大学学报（理学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2003
1
下载PDF
职称材料
2
CaO-SnO_2气敏薄膜最佳掺杂含量的理论计算
范志新
潘晓春
潘良玉
《真空》
CAS
北大核心
2002
0
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职称材料
已选择
0
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参考文献
引证文献
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