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Sn掺杂对ZnO薄膜结构和光电性能的影响
被引量：
4
1
作者
史小龙
赵小如
+3 位作者
孙慧楠
段利兵
刘金铭
陈安琪
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第S1期280-284,共5页
采用溶胶-凝胶浸渍提拉法在玻璃衬底上制备了Sn掺杂ZnO(SZO)薄膜。通过X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)研究了Sn掺杂对薄膜表面形貌和微结构的影响。XRD结果表明,所有ZnO薄膜样品都存在(002)择优取向。SEM结果表明随着掺杂浓度的增加,薄...
采用溶胶-凝胶浸渍提拉法在玻璃衬底上制备了Sn掺杂ZnO(SZO)薄膜。通过X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)研究了Sn掺杂对薄膜表面形貌和微结构的影响。XRD结果表明,所有ZnO薄膜样品都存在(002)择优取向。SEM结果表明随着掺杂浓度的增加,薄膜表面由颗粒向纳米棒转变。电学结果显示掺杂浓度为3at%时,电学性能最好,最低电阻率为6.9×10-2Ω.cm。室温光致发光谱(PL)显示所有的SZO薄膜样品在(325 nm光激发下)380 nm和398 nm两处都有发光峰,随着掺杂浓度的增大,398 nm处的发光强度先增大后减小,然后再增大;380nm处的发光强度始终增大,这些现象与薄膜的表面结构的变化有关。
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关键词
溶胶凝胶
sn
掺杂
zno
(
szo
)
晶体结构
光电性能
下载PDF
职称材料
不同退火条件下Sn掺杂浓度对ZnO薄膜性能影响
被引量：
1
2
作者
刘涛
《商洛学院学报》
2017年第2期13-16,79,共5页
采用溶胶-凝胶法提拉镀膜制备Sn掺杂ZnO薄膜,研究了空气退火、高真空退火(10-2Pa)、低真空退火(1 Pa)和循环退火四种条件下Sn掺杂浓度对SZO薄膜光电性能的影响。结果表明:四种退火条件下不同Sn掺杂浓度时制备的SZO薄膜均为纤锌矿结构且...
采用溶胶-凝胶法提拉镀膜制备Sn掺杂ZnO薄膜,研究了空气退火、高真空退火(10-2Pa)、低真空退火(1 Pa)和循环退火四种条件下Sn掺杂浓度对SZO薄膜光电性能的影响。结果表明:四种退火条件下不同Sn掺杂浓度时制备的SZO薄膜均为纤锌矿结构且具有C轴择优取向生长特性,当Sn掺杂浓度为5 at.%时SZO薄膜的结晶生长最好。高真空退火条件下Sn掺杂浓度为3 at.%时,电学性能最优,其电阻率可达到5.4×10^(-2)Ω·cm。当Sn掺杂浓度小于3 at.%时,薄膜的可见光区平均透过率均大于85%,当掺杂浓度高于3 at.%时,薄膜的透过率随着掺杂浓度的增大而降低。
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关键词
溶胶-凝胶
sn
掺杂
zno
(
szo
)薄膜
掺杂浓度
光电性能
下载PDF
职称材料
退火条件对Sn掺杂ZnO薄膜光电性能的影响
被引量：
4
3
作者
刘涛
赵小如
蒋显武
《材料工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017年第8期19-23,共5页
采用溶胶-凝胶法在普通载玻片上制备Sn掺杂ZnO薄膜(SZO薄膜)。研究空气退火、低真空退火、高真空退火、氮气退火、三高退火、循环退火6种不同退火条件对SZO薄膜光电性能的影响。结果表明:6种不同的退火条件制备的SZO薄膜均为纤锌矿结构...
采用溶胶-凝胶法在普通载玻片上制备Sn掺杂ZnO薄膜(SZO薄膜)。研究空气退火、低真空退火、高真空退火、氮气退火、三高退火、循环退火6种不同退火条件对SZO薄膜光电性能的影响。结果表明:6种不同的退火条件制备的SZO薄膜均为纤锌矿结构且具有c轴择优取向生长的特性。高真空退火下,SZO薄膜的结晶状况和电学性质最优,最低电阻率可达到5.4×10^(-2)Ω·cm。薄膜的可见光区平均透过率均大于85%。薄膜在390nm和440nm附近(325nm光激发下)都出现光致发光峰,在空气、氮气、低真空中退火后薄膜440nm处发光强度最为显著。
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关键词
溶胶-凝胶
sn
掺杂
zno
(
szo
)薄膜
退火条件
光电性能
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职称材料
题名
Sn掺杂对ZnO薄膜结构和光电性能的影响
被引量：
4
1
作者
史小龙
赵小如
孙慧楠
段利兵
刘金铭
陈安琪
机构
西北工业大学理学院应用物理系
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第S1期280-284,共5页
基金
国家自然科学基金(51172186)
西北工业大学基础研究基金(NPU-FFR-JC201017)
文摘
采用溶胶-凝胶浸渍提拉法在玻璃衬底上制备了Sn掺杂ZnO(SZO)薄膜。通过X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)研究了Sn掺杂对薄膜表面形貌和微结构的影响。XRD结果表明,所有ZnO薄膜样品都存在(002)择优取向。SEM结果表明随着掺杂浓度的增加,薄膜表面由颗粒向纳米棒转变。电学结果显示掺杂浓度为3at%时,电学性能最好,最低电阻率为6.9×10-2Ω.cm。室温光致发光谱(PL)显示所有的SZO薄膜样品在(325 nm光激发下)380 nm和398 nm两处都有发光峰,随着掺杂浓度的增大,398 nm处的发光强度先增大后减小,然后再增大;380nm处的发光强度始终增大,这些现象与薄膜的表面结构的变化有关。
关键词
溶胶凝胶
sn
掺杂
zno
(
szo
)
晶体结构
光电性能
Keywords
sol-gel
sn
doped
zno
(
szo
)
crystal
structure
photoelectric
property
分类号
O7 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
不同退火条件下Sn掺杂浓度对ZnO薄膜性能影响
被引量：
1
2
作者
刘涛
机构
商洛学院电子信息与电气工程学院
出处
《商洛学院学报》
2017年第2期13-16,79,共5页
基金
商洛学院科研基金项目(14SKY009)
文摘
采用溶胶-凝胶法提拉镀膜制备Sn掺杂ZnO薄膜,研究了空气退火、高真空退火(10-2Pa)、低真空退火(1 Pa)和循环退火四种条件下Sn掺杂浓度对SZO薄膜光电性能的影响。结果表明:四种退火条件下不同Sn掺杂浓度时制备的SZO薄膜均为纤锌矿结构且具有C轴择优取向生长特性,当Sn掺杂浓度为5 at.%时SZO薄膜的结晶生长最好。高真空退火条件下Sn掺杂浓度为3 at.%时,电学性能最优,其电阻率可达到5.4×10^(-2)Ω·cm。当Sn掺杂浓度小于3 at.%时,薄膜的可见光区平均透过率均大于85%,当掺杂浓度高于3 at.%时,薄膜的透过率随着掺杂浓度的增大而降低。
关键词
溶胶-凝胶
sn
掺杂
zno
(
szo
)薄膜
掺杂浓度
光电性能
Keywords
sol-gel
sn
doped
zno
（
szo
）
doping
concentration
optical
and
electrical
properties
分类号
O484.4 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
退火条件对Sn掺杂ZnO薄膜光电性能的影响
被引量：
4
3
作者
刘涛
赵小如
蒋显武
机构
商洛学院电子信息与电气工程学院
西北工业大学理学院
出处
《材料工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017年第8期19-23,共5页
基金
国家自然科学基金项目(51472205)
商洛学院科研基金项目(14SKY009)
文摘
采用溶胶-凝胶法在普通载玻片上制备Sn掺杂ZnO薄膜(SZO薄膜)。研究空气退火、低真空退火、高真空退火、氮气退火、三高退火、循环退火6种不同退火条件对SZO薄膜光电性能的影响。结果表明:6种不同的退火条件制备的SZO薄膜均为纤锌矿结构且具有c轴择优取向生长的特性。高真空退火下,SZO薄膜的结晶状况和电学性质最优,最低电阻率可达到5.4×10^(-2)Ω·cm。薄膜的可见光区平均透过率均大于85%。薄膜在390nm和440nm附近(325nm光激发下)都出现光致发光峰,在空气、氮气、低真空中退火后薄膜440nm处发光强度最为显著。
关键词
溶胶-凝胶
sn
掺杂
zno
(
szo
)薄膜
退火条件
光电性能
Keywords
sol-gel
sn
doped
zno
（
szo
）
thin
film
annealing
condition
optical
and
electrical
property
分类号
O484.4 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Sn掺杂对ZnO薄膜结构和光电性能的影响
史小龙
赵小如
孙慧楠
段利兵
刘金铭
陈安琪
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
4
下载PDF
职称材料
2
不同退火条件下Sn掺杂浓度对ZnO薄膜性能影响
刘涛
《商洛学院学报》
2017
1
下载PDF
职称材料
3
退火条件对Sn掺杂ZnO薄膜光电性能的影响
刘涛
赵小如
蒋显武
《材料工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017
4
下载PDF
职称材料
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