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硅(100)表面上甲基吸附反应的理论研究
1
作者
戴振文
荣垂庆
+1 位作者
刘靖尧
潘守甫
《原子与分子物理学报》
CAS
CSCD
北大核心
1998年第S1期234-236,共3页
利用引入晶格应变修正的ＡＭ１半经验分子轨道方法计算了甲基在Ｓｉ（１００）表面上吸附的反应过程，并与金刚石（１００）表面上的同样反应做了比较。
关键词
硅
金刚石薄膜
反应机理
下载PDF
职称材料
题名
硅(100)表面上甲基吸附反应的理论研究
1
作者
戴振文
荣垂庆
刘靖尧
潘守甫
机构
吉林大学物理系
吉林大学原子与分子物理研究所
出处
《原子与分子物理学报》
CAS
CSCD
北大核心
1998年第S1期234-236,共3页
基金
国家教委博士点基金
文摘
利用引入晶格应变修正的ＡＭ１半经验分子轨道方法计算了甲基在Ｓｉ（１００）表面上吸附的反应过程，并与金刚石（１００）表面上的同样反应做了比较。
关键词
硅
金刚石薄膜
反应机理
Keywords
slicon
diamond
film
reaction
mechanism
分类号
O472.1 [理学—半导体物理][理学—物理]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
硅(100)表面上甲基吸附反应的理论研究
戴振文
荣垂庆
刘靖尧
潘守甫
《原子与分子物理学报》
CAS
CSCD
北大核心
1998
0
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