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Densification Mechanism of Si_3N_4 with AZ-Type Non-Toxic, Non-Oxide Additives
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作者 Ge Changchun, Xia Yttanluo Chen Limin Laboratory of Special Ceramics and Powder Metallurgy 《北京科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第S2期24-28,共5页
Si3N4 ceramics with AZ-type non-toxic, non-oxide additives canbe highly densified. In this work densification behavior and mechanism ofSi3N4 with AZ-type additives were investigated.
关键词 densificatipn sisn4 ADDITIVES
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High Temperature Properties and Microstructures of Si_3N_4 with AZ-Type Non-Toxic, Non-Oxide Additives
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作者 Ge Changchun Xia Yuanluo Chen Limin Yuan Yi Former research fellow of Alexander von Humboldt Foundation (Laboratory of Special Ceramics and Powder Metallurgy) (Department of Materials Science and Engineering) 《北京科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第S2期35-41,共7页
A new type of Si3N4 ceramics (ZAN) is developed in our laboratory. Densification of ZAN is promoted by non-toxic, non-oxide AZ-type additives. In this work high temperature (HT) properties and microstructures of ZAN a... A new type of Si3N4 ceramics (ZAN) is developed in our laboratory. Densification of ZAN is promoted by non-toxic, non-oxide AZ-type additives. In this work high temperature (HT) properties and microstructures of ZAN are investigated. 展开更多
关键词 sisn4 CERAMICS non-oxide ADDITIVES high TEMPERATURE PROPERTIES
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氮化硅基陶瓷的摩擦磨损特性研究 被引量:8
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作者 孟凡英 郭绍义 +2 位作者 刘曾岭 李兴俊 张术永 《浙江理工大学学报(自然科学版)》 2008年第1期79-82,共4页
采用热压烧结方法制备氮化硅和氮化硅基两种陶瓷。利用球-盘式摩擦磨损试验机对氮化硅陶瓷摩擦副在室温干摩擦环境中的摩擦磨损特性试验研究。结果表明:在相同的试验条件下,加入TiC颗粒改善了Si3N4陶瓷的脆性,但耐磨性能提高不大,磨损... 采用热压烧结方法制备氮化硅和氮化硅基两种陶瓷。利用球-盘式摩擦磨损试验机对氮化硅陶瓷摩擦副在室温干摩擦环境中的摩擦磨损特性试验研究。结果表明:在相同的试验条件下,加入TiC颗粒改善了Si3N4陶瓷的脆性,但耐磨性能提高不大,磨损率略优于Si3N4。Si3N4的磨损主要是磨粒磨损和脆性剥落,而TiC复合材料的磨损表现为磨粒磨损和TiC颗粒的剥落,之后剥落的TiC颗粒又作为磨粒对试样产生更大的磨损,所以导致磨损率提高。 展开更多
关键词 SI3N4 Si3N4-TiC 摩擦磨损性能
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有机前驱体热解合成Si_3N_4纳米带及其生长机制的研究 被引量:1
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作者 谢志鹏 杨为佑 +3 位作者 王华涛 刘国全 苗赫濯 Linan An 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A02期289-292,共4页
通过催化剂辅助有机前驱体热解,合成了单晶Si_3N_4纳米带。其工艺主要包括3个步骤:有机前驱体低温交联固化、高能球磨粉碎和高温热解。采用SEM、XRD、EDS、TEM和HRTEM等分析手段对Si_3N_4纳米带进行了详细的表征,对Si_3N_4纳米带的生长... 通过催化剂辅助有机前驱体热解,合成了单晶Si_3N_4纳米带。其工艺主要包括3个步骤:有机前驱体低温交联固化、高能球磨粉碎和高温热解。采用SEM、XRD、EDS、TEM和HRTEM等分析手段对Si_3N_4纳米带进行了详细的表征,对Si_3N_4纳米带的生长机制进行了深入的探讨。 展开更多
关键词 有机前驱体 热解 sisn4纳米带 固-液-气-固机制
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