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硅基光波导中啁啾高斯脉冲在反常色散区的传输特性
被引量:
1
1
作者
王红玉
贾维国
+1 位作者
刘振
门克内木乐
《原子与分子物理学报》
CAS
北大核心
2021年第1期105-111,共7页
本文利用激光脉冲在硅基光波导(SOI)中传播时满足的非线性薛定谔方程,采用分步傅里叶变换,数值模拟了硅基光波导中啁啾高斯脉冲在反常色散区的传播特性.通过模拟发现,三阶色散正负主要决定了脉冲的振荡波形性质,克尔效应与双光子吸收对...
本文利用激光脉冲在硅基光波导(SOI)中传播时满足的非线性薛定谔方程,采用分步傅里叶变换,数值模拟了硅基光波导中啁啾高斯脉冲在反常色散区的传播特性.通过模拟发现,三阶色散正负主要决定了脉冲的振荡波形性质,克尔效应与双光子吸收对脉冲波形起调制作用,自由载流子效应则可以忽略.初始啁啾参数的正负存在影响了脉冲的振荡强弱变化和脉冲中心的漂移的趋势,并且无论是正啁啾还是负啁啾,脉冲振荡与漂移都随着啁啾的增大而更加剧烈,同时啁啾正向增大与负向增大,都将导致脉冲展宽越严重致主峰峰值越低.
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关键词
硅基光波导
高斯脉冲
啁啾
反常色散区
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职称材料
硅基PN结型光波导有效折射率的定量分析
2
作者
孙圣现
陈柏松
+4 位作者
李雨轩
李盈祉
张蓝萱
陶敏
宋俊峰
《吉林大学学报(信息科学版)》
CAS
2021年第3期318-323,共6页
为解决脊型波导相位调制的有效折射率测量问题,提出一种3端口MZI(Mach-Zehnder Interferometer)结构,能定量测量并分析PN结(Positive-Negative junction)脊型硅光波导中,有效折射率的实部和虚部受偏置电压调制的相对变化,并给出多项式...
为解决脊型波导相位调制的有效折射率测量问题,提出一种3端口MZI(Mach-Zehnder Interferometer)结构,能定量测量并分析PN结(Positive-Negative junction)脊型硅光波导中,有效折射率的实部和虚部受偏置电压调制的相对变化,并给出多项式拟合方程。实验所得结果与拟合结果非常符合,最终可以得到脊型波导在相位调制过程中的特性。该测量方法简单易行,可应用于硅基光电子集成芯片当中,作为载流子调制特性定量检测器件。
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关键词
硅基光波导
载流子色散
高速硅基光电调制器
马赫-曾德尔调制器
相位调制
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职称材料
硅基纳米波导的双模干涉
被引量:
5
3
作者
王智
张丽梅
+1 位作者
陈颖川
王健
《中国激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第7期135-140,共6页
硅基(SOI)波导是近年集成光电子和集成波导的重要方向。对硅基纳米波导进行数值计算,讨论了空气包层和SiO2包层两种情况的双模传输特性,得到两种包层结构的双模工作区域和双模拍长与波导结构的关系。研究了SOI纳米波导中双模干涉现象以...
硅基(SOI)波导是近年集成光电子和集成波导的重要方向。对硅基纳米波导进行数值计算,讨论了空气包层和SiO2包层两种情况的双模传输特性,得到两种包层结构的双模工作区域和双模拍长与波导结构的关系。研究了SOI纳米波导中双模干涉现象以及双折射和温度对双模干涉的影响。
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关键词
光电子学
硅基波导
模式截止
双模干涉
拍长
原文传递
SOI波导与InGaAs/InP光电探测器的集成
被引量:
4
4
作者
崔荣
杨晓红
+4 位作者
吕倩倩
尹冬冬
尹伟红
李彬
韩勤
《激光与光电子学进展》
CSCD
北大核心
2014年第11期18-27,共10页
成熟的CMOS技术可制备无源光学器件,但高效光源和高性能光探测仍需要III^V族半导体材料。综述了近期III^V族外延片与SOI(silicon-on-insulator)波导集成的键合技术,按键合材料的不同分为无机和有机材料键合。着重分析了各种InGaAs/InP...
成熟的CMOS技术可制备无源光学器件,但高效光源和高性能光探测仍需要III^V族半导体材料。综述了近期III^V族外延片与SOI(silicon-on-insulator)波导集成的键合技术,按键合材料的不同分为无机和有机材料键合。着重分析了各种InGaAs/InP光电探测器与SOI波导集成的光耦合方案,并对其优缺点进行对比。同时给出设计的一种倏逝波耦合的InGaAs/InP光电探测器,用时域有限差分(FDTD)法对器件光学特性进行了模拟,以SOI上有机键合的方式,获得95%的探测器吸收效率,表明该SOI波导集成的光电探测器可实现小体积、低损耗及高响应度的光探测,符合片上光互连系统的要求。
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关键词
探测器
InGaAs/InP光电探测器
SOI(
silicon
-on-
insulator
)波导
键合技术
倏逝波耦合
原文传递
基于S型Y分支波导的石墨烯M-Z电光调制器设计
被引量:
3
5
作者
周勇
陆荣国
+3 位作者
吕江泊
沈黎明
林瑞
刘永
《半导体光电》
CAS
北大核心
2021年第2期179-184,共6页
利用COMSOL软件设计了一种基于S型Y分支SOI脊波导的石墨烯M-Z电光调制器,并对Y分支波导曲率半径、相位臂长度、芯层间距和输入输出直波导长度等结构参数对调制器的影响进行了分析。在此基础上对电光调制器的性能指标进行了计算和优化,...
利用COMSOL软件设计了一种基于S型Y分支SOI脊波导的石墨烯M-Z电光调制器,并对Y分支波导曲率半径、相位臂长度、芯层间距和输入输出直波导长度等结构参数对调制器的影响进行了分析。在此基础上对电光调制器的性能指标进行了计算和优化,最终设计出了3dB带宽为143GHz、消光比为15.05dB的硅基石墨烯M-Z电光调制器。
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关键词
石墨烯
M-Z电光调制器
S型Y分支波导
绝缘体上硅脊形波导
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职称材料
题名
硅基光波导中啁啾高斯脉冲在反常色散区的传输特性
被引量:
1
1
作者
王红玉
贾维国
刘振
门克内木乐
机构
内蒙古大学物理科学与技术学院
内蒙古大学鄂尔多斯学院
出处
《原子与分子物理学报》
CAS
北大核心
2021年第1期105-111,共7页
基金
国家自然科学基金(61167004)。
文摘
本文利用激光脉冲在硅基光波导(SOI)中传播时满足的非线性薛定谔方程,采用分步傅里叶变换,数值模拟了硅基光波导中啁啾高斯脉冲在反常色散区的传播特性.通过模拟发现,三阶色散正负主要决定了脉冲的振荡波形性质,克尔效应与双光子吸收对脉冲波形起调制作用,自由载流子效应则可以忽略.初始啁啾参数的正负存在影响了脉冲的振荡强弱变化和脉冲中心的漂移的趋势,并且无论是正啁啾还是负啁啾,脉冲振荡与漂移都随着啁啾的增大而更加剧烈,同时啁啾正向增大与负向增大,都将导致脉冲展宽越严重致主峰峰值越低.
关键词
硅基光波导
高斯脉冲
啁啾
反常色散区
Keywords
silicon
-on-
insulator
waveguides
Gaussian
pulse
Chirp
Anomalous
dispersion
region
分类号
O437 [机械工程—光学工程]
下载PDF
职称材料
题名
硅基PN结型光波导有效折射率的定量分析
2
作者
孙圣现
陈柏松
李雨轩
李盈祉
张蓝萱
陶敏
宋俊峰
机构
吉林大学电子科学与工程学院
吉林大学集成光电子学国家重点实验室
出处
《吉林大学学报(信息科学版)》
CAS
2021年第3期318-323,共6页
基金
国家重点研发计划基金资助项目(2016YFE0200700)
国家自然科学基金资助项目(61627820,61934003,62090054)
吉林省重大科技专项基金资助项目(20200501007GX)。
文摘
为解决脊型波导相位调制的有效折射率测量问题,提出一种3端口MZI(Mach-Zehnder Interferometer)结构,能定量测量并分析PN结(Positive-Negative junction)脊型硅光波导中,有效折射率的实部和虚部受偏置电压调制的相对变化,并给出多项式拟合方程。实验所得结果与拟合结果非常符合,最终可以得到脊型波导在相位调制过程中的特性。该测量方法简单易行,可应用于硅基光电子集成芯片当中,作为载流子调制特性定量检测器件。
关键词
硅基光波导
载流子色散
高速硅基光电调制器
马赫-曾德尔调制器
相位调制
Keywords
silicon
-on-
insulator
waveguides
carrier
dispersion
high-speed
silicon
photoelectric
modulator
Mach-Zehnder
modulator
phase
modulation
分类号
TN252 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
硅基纳米波导的双模干涉
被引量:
5
3
作者
王智
张丽梅
陈颖川
王健
机构
北京交通大学光信息科学与技术研究所
出处
《中国激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第7期135-140,共6页
基金
国家自然科学基金(61077048)
北京市自然科学基金(4092031)
基本科研业务费(2009JBM103)资助课题
文摘
硅基(SOI)波导是近年集成光电子和集成波导的重要方向。对硅基纳米波导进行数值计算,讨论了空气包层和SiO2包层两种情况的双模传输特性,得到两种包层结构的双模工作区域和双模拍长与波导结构的关系。研究了SOI纳米波导中双模干涉现象以及双折射和温度对双模干涉的影响。
关键词
光电子学
硅基波导
模式截止
双模干涉
拍长
Keywords
optoelectronics
silicon
-on-
insulator
waveguides
mode
cutoff
two
mode
interference
beat
length
分类号
O436 [机械工程—光学工程]
原文传递
题名
SOI波导与InGaAs/InP光电探测器的集成
被引量:
4
4
作者
崔荣
杨晓红
吕倩倩
尹冬冬
尹伟红
李彬
韩勤
机构
中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室
出处
《激光与光电子学进展》
CSCD
北大核心
2014年第11期18-27,共10页
基金
国家973计划(2012CB933503)
国家863计划(2012AA012202
+2 种基金
2013AA013401)
国家自然科学基金(61274069
61176053)
文摘
成熟的CMOS技术可制备无源光学器件,但高效光源和高性能光探测仍需要III^V族半导体材料。综述了近期III^V族外延片与SOI(silicon-on-insulator)波导集成的键合技术,按键合材料的不同分为无机和有机材料键合。着重分析了各种InGaAs/InP光电探测器与SOI波导集成的光耦合方案,并对其优缺点进行对比。同时给出设计的一种倏逝波耦合的InGaAs/InP光电探测器,用时域有限差分(FDTD)法对器件光学特性进行了模拟,以SOI上有机键合的方式,获得95%的探测器吸收效率,表明该SOI波导集成的光电探测器可实现小体积、低损耗及高响应度的光探测,符合片上光互连系统的要求。
关键词
探测器
InGaAs/InP光电探测器
SOI(
silicon
-on-
insulator
)波导
键合技术
倏逝波耦合
Keywords
detectors
InGaAs/InP
photodetector
SOI(
silicon
-on-
insulator
)
waveguid
e
bonding
techniques
evanescent
coupling
分类号
O475 [理学—半导体物理]
原文传递
题名
基于S型Y分支波导的石墨烯M-Z电光调制器设计
被引量:
3
5
作者
周勇
陆荣国
吕江泊
沈黎明
林瑞
刘永
机构
电子科技大学光电科学与工程学院
出处
《半导体光电》
CAS
北大核心
2021年第2期179-184,共6页
基金
国家重点研究发展计划项目(2019YFB2203800)
四川省科学技术计划项目(2020YFH0108)
中央高校科研业务费项目(ZYGX2019J046)。
文摘
利用COMSOL软件设计了一种基于S型Y分支SOI脊波导的石墨烯M-Z电光调制器,并对Y分支波导曲率半径、相位臂长度、芯层间距和输入输出直波导长度等结构参数对调制器的影响进行了分析。在此基础上对电光调制器的性能指标进行了计算和优化,最终设计出了3dB带宽为143GHz、消光比为15.05dB的硅基石墨烯M-Z电光调制器。
关键词
石墨烯
M-Z电光调制器
S型Y分支波导
绝缘体上硅脊形波导
Keywords
graphene
M-Z
electro-optical
modulator
S-Y
branch
waveguid
e
silicon
-on-
insulator
ridge
waveguid
e
分类号
TN252 [电子电信—物理电子学]
TN256
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
硅基光波导中啁啾高斯脉冲在反常色散区的传输特性
王红玉
贾维国
刘振
门克内木乐
《原子与分子物理学报》
CAS
北大核心
2021
1
下载PDF
职称材料
2
硅基PN结型光波导有效折射率的定量分析
孙圣现
陈柏松
李雨轩
李盈祉
张蓝萱
陶敏
宋俊峰
《吉林大学学报(信息科学版)》
CAS
2021
0
下载PDF
职称材料
3
硅基纳米波导的双模干涉
王智
张丽梅
陈颖川
王健
《中国激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
5
原文传递
4
SOI波导与InGaAs/InP光电探测器的集成
崔荣
杨晓红
吕倩倩
尹冬冬
尹伟红
李彬
韩勤
《激光与光电子学进展》
CSCD
北大核心
2014
4
原文传递
5
基于S型Y分支波导的石墨烯M-Z电光调制器设计
周勇
陆荣国
吕江泊
沈黎明
林瑞
刘永
《半导体光电》
CAS
北大核心
2021
3
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职称材料
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