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碳化硅量子点制备及其活体细胞荧光成像 被引量:14
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作者 孙祥鸣 宋月鹏 +7 位作者 高东升 李江涛 陈义祥 李永 许令峰 郭晶 谭钺 康田田 《农业工程学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第24期260-264,共5页
采用化学腐蚀法制备无细胞毒性的SiC量子点荧光材料,以硝酸及氢氟酸为腐蚀剂,通过超声分散及高速离心处理,获得碳化硅量子点水相溶液,对其微观组织、光学性能进行了检测,而后在出芽短梗霉菌(Aureobasidium pulluans)活体细胞上进行了荧... 采用化学腐蚀法制备无细胞毒性的SiC量子点荧光材料,以硝酸及氢氟酸为腐蚀剂,通过超声分散及高速离心处理,获得碳化硅量子点水相溶液,对其微观组织、光学性能进行了检测,而后在出芽短梗霉菌(Aureobasidium pulluans)活体细胞上进行了荧光成像,结果表明,碳化硅量子点呈近球型,直径约为2.5nm,小于体材激子波尔直径(5.4nm),光致发光光谱证明了量子限制效应,激发光波长为320~360nm时,发射光强最大。激发光波长增加时,其Photo Luminescence(PL)峰发生红移,而当量子点直径减小时,会导致发射光蓝移。活体细胞荧光成像研究结果表明,该量子点无细胞毒性,对细胞生长生理机能几乎没有任何影响,可以实现活体细胞长时程的荧光成像。同时对其标记特征及原理进行了分析。 展开更多
关键词 碳化硅 荧光 荧光光谱 细胞 碳化硅量子点 荧光成像 化学腐蚀法 光致发光
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碳化硅量子点研究现状及其生物学应用 被引量:8
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作者 宋月鹏 朱彦敏 +3 位作者 康杰 毛志泉 高东升 KIM Hyoungseop 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2014年第7期5-9,共5页
碳化硅量子点生物相容性、光学性能优良且稳定性强,不易淬灭,禁带宽度较宽更容易蓝移到可见光区,是一种潜在的活体细胞多目标荧光标记及长时程示踪材料,其制备方法及其生物学应用已成为当前国内外研究的热点。分析了碳化硅量子点的光学... 碳化硅量子点生物相容性、光学性能优良且稳定性强,不易淬灭,禁带宽度较宽更容易蓝移到可见光区,是一种潜在的活体细胞多目标荧光标记及长时程示踪材料,其制备方法及其生物学应用已成为当前国内外研究的热点。分析了碳化硅量子点的光学特性及其国内外研究进展,对碳化硅量子点不同制备方法及其特点进行了简要分析讨论。腐蚀法制备碳化硅量子点具有方法简单,成本低,量子点微观结构及尺寸可有效调控等特点而备受瞩目。同时可以在表面一步法形成亲有机物基团且物化特性相对简单,可对活体细胞形成稳定荧光标记并可实现长时程示踪。同时,由于碳化硅量子点在实现生物学多目标标记及长时程示踪方面存在较多基础性问题尚未得到彻底解决,对其发展趋势进行了分析讨论。 展开更多
关键词 碳化硅量子点 光致发光 制备方法 荧光成像 活体细胞
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碳化硅量子点荧光标记技术及其生物学应用 被引量:4
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作者 康杰 孙为云 +3 位作者 丁紫阳 周喜 雷腾飞 宋月鹏 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2019年第4期745-751,756,共8页
通过一步法完成SiC量子点的合成和表面改性,并对其微观结构、光学性质和理化性质进行了表征,结果表明该量子点半径小于激子波尔半径,导致了量子限制效应现象而产生光致发光,通过对其红外光谱的分析发现碳化硅量子点表面既已耦合了巯基,... 通过一步法完成SiC量子点的合成和表面改性,并对其微观结构、光学性质和理化性质进行了表征,结果表明该量子点半径小于激子波尔半径,导致了量子限制效应现象而产生光致发光,通过对其红外光谱的分析发现碳化硅量子点表面既已耦合了巯基,因此该量子点可以作为量子点标记技术中又一种新型的标记材料,然后用SiC量子水相溶液对有、无根皮苷环境下的串珠镰刀菌进行标记并长时程荧光成像,同时让已成功标记的该菌侵染苹果植株幼苗,试验表明,根皮苷能够促进串珠镰刀菌的生长,主要表现在菌落成长的速度和数量上,进一步研究发现,串珠镰刀菌生长态势随周围环境中根皮苷含量的增加而更趋旺盛,此外串珠镰刀菌对苹果幼苗侵染的动态示踪过程表明幼苗的第一感染部位为根毛区。 展开更多
关键词 碳化硅量子点 串珠镰刀菌 根皮苷 长时程示踪 侵染
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Fabrication of Silicon Carbide Quantum Dots via Chemical-Etching Approach and Fluorescent Imaging for Living Cells 被引量:2
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作者 Yuepeng Song Dongsheng Gao +7 位作者 Hyoung Seop Kim Cuiqin Qu Jie Kang Yanmin Zhu Ziping Liu Jing Guo Lingfeng Xu Chong Soo Lee 《Materials Sciences and Applications》 2014年第4期177-182,共6页
A simple chemical-etching approach is used to prepare the silicon carbide quantum dots (QDs). The raw materials of silicon carbide (SiC) with homogeneous nanoparticles fabricated via self-propagating combustion synthe... A simple chemical-etching approach is used to prepare the silicon carbide quantum dots (QDs). The raw materials of silicon carbide (SiC) with homogeneous nanoparticles fabricated via self-propagating combustion synthesis are corroded in mixture etchants of nitric and hydrofluoric acid. After sonication and chromatography in the ultra-gravity field for the etched products, aqueous solution with QDs can be obtained. The microstructure evolution of raw particles and optical properties of QDs were measured. Different organophilic groups on the surface like carboxyl, oxygroup, and hyfroxy were produced in the process of etching. Fluorescent labeling and imaging for living cells of Aureobasidium pulluans were investigated. The results indicated that SiC QDs were not cytotoxic and could stably label due to the conjugation between organophilic groups of QDs and specific protein of cells, it can be utilized for fluorescent imaging and tracking cells with in vivo and long-term-distance. Moreover, mechanism and specificity of mark were also analyzed. 展开更多
关键词 silicon carbide quantum dots (qds) FLUORESCENT Imaging Living Cells AUREOBASIDIUM pulluans
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腐蚀法制备工艺对SiC量子点光学性质的影响 被引量:3
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作者 康杰 宋月鹏 +2 位作者 丁紫阳 孙为云 李连荣 《化学通报》 CAS CSCD 北大核心 2021年第1期69-74,95,共7页
通过可控的化学腐蚀法制备碳化硅量子点,以氢氟酸和硝酸的混合液为腐蚀剂腐蚀自蔓延燃烧合成的原始碳化硅粉体,而后经超声空化作用及高速离心层析裁剪获得水相的碳化硅量子点,研究了制备工艺参数对量子点光致发光强度、发射波长等光谱... 通过可控的化学腐蚀法制备碳化硅量子点,以氢氟酸和硝酸的混合液为腐蚀剂腐蚀自蔓延燃烧合成的原始碳化硅粉体,而后经超声空化作用及高速离心层析裁剪获得水相的碳化硅量子点,研究了制备工艺参数对量子点光致发光强度、发射波长等光谱特性及粒子尺寸的影响,结果表明,腐蚀剂组分及其配比是影响量子点光致发光强度的主要因素,而超声振动时间和层析裁剪的离心超重力系数在一定程度上对光致发光强度有影响,二者对光学性能的影响主要体现在特征发射波长的移动、半峰宽、量子点尺寸大小及其粒径分布的均匀性。此外,在腐蚀剂组分调整的过程中发现,以适量的分析纯硫酸替代原腐蚀剂中的部分硝酸,则不仅会引起量子点光致发光强度的变化,而且表面还会偶合上除羧基、羟基外的新官能团巯基。 展开更多
关键词 碳化硅量子点 光学性质 微观形貌 光致发光强度 发射光谱
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碳化硅量子点荧光标记串珠镰刀菌及其活体示踪 被引量:6
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作者 朱彦敏 宋月鹏 +3 位作者 柳洪洁 高东升 尹承苗 毛志泉 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2016年第5期1596-1601,共6页
采用SiC量子点荧光标记与示踪技术,对串珠镰刀菌活体细胞进行荧光标记并实现了长时程荧光成像示踪,结果表明,碳化硅量子点标记的串珠镰刀菌活体细胞具有可调谐的荧光颜色,这是与其光学特性所决定的,即在不同激发光波长下呈现不同的荧光... 采用SiC量子点荧光标记与示踪技术,对串珠镰刀菌活体细胞进行荧光标记并实现了长时程荧光成像示踪,结果表明,碳化硅量子点标记的串珠镰刀菌活体细胞具有可调谐的荧光颜色,这是与其光学特性所决定的,即在不同激发光波长下呈现不同的荧光颜色;SiC量子点通过网格蛋白依赖的内吞方式进入活体细胞内部,实现了对串珠镰刀菌的稳定标记;同时这种标记由于量子点表面官能团与活体细胞的化学键耦合而显示出较强的抗漂白能力。 展开更多
关键词 碳化硅量子点 串珠镰刀菌 荧光调谐性 抗光漂白性 长时程荧光成像
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碳化硅量子点荧光特性及其致病镰刀菌活体细胞标记机制 被引量:2
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作者 柳洪洁 孙丰飞 +3 位作者 宋月鹏 朱彦敏 康杰 Kim Hyoungseop 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第5期5185-5189,共5页
研究了腐蚀法制备的碳化硅量子点荧光特性及其致病镰刀菌活体细胞标记强度与机制。结果表明当激发光为340nm时SiC量子点光致发光强度最大,随着激发光波长增加,发射光波长出现红移现象,且具有较高的斯托克斯(Stokes)位移,由于荧光发射可... 研究了腐蚀法制备的碳化硅量子点荧光特性及其致病镰刀菌活体细胞标记强度与机制。结果表明当激发光为340nm时SiC量子点光致发光强度最大,随着激发光波长增加,发射光波长出现红移现象,且具有较高的斯托克斯(Stokes)位移,由于荧光发射可以全色调谐,从而实现了致病镰刀菌的近紫外检测,可用来对自发荧光细胞的有效检测与定量分析。进一步对致病镰刀菌活体细胞SiC量子点荧光标记机制的研究结果表明,量子点通过网格蛋白依赖的内吞方式进入活体细胞内部,并均匀分布,从而实现了对致病镰刀菌的稳定荧光标记。另外基于实验结果与理论分析,提出了致病镰刀菌SiC量子点荧光标记模型。 展开更多
关键词 碳化硅量子点 致病镰刀菌 活体细胞 荧光特性与标记
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