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我国东北土壤有机碳、无机碳含量与土壤理化性质的相关性 被引量:130
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作者 祖元刚 李冉 +3 位作者 王文杰 苏冬雪 王莹 邱岭 《生态学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第18期5207-5216,共10页
根据黑龙江、吉林、辽宁省和内蒙古地区相关历史资料数据,分析了我国东北表层土壤(0—50 cm)土壤相关理化性质与有机碳、无机碳的相关性,得到如下结论:土壤全氮、碱解氮、全磷、速效磷、速效钾、K+离子交换量、Fe2O3、P2O5、总孔隙度均... 根据黑龙江、吉林、辽宁省和内蒙古地区相关历史资料数据,分析了我国东北表层土壤(0—50 cm)土壤相关理化性质与有机碳、无机碳的相关性,得到如下结论:土壤全氮、碱解氮、全磷、速效磷、速效钾、K+离子交换量、Fe2O3、P2O5、总孔隙度均与土壤有机碳含量呈显著正相关(R2=0.10—0.94,n=38—345,P<0.0001),但与土壤无机碳含量则大多呈显著负相关(R2=0.11—0.30,n=37—122,P<0.01);与此相反,土壤pH值、容重与土壤有机碳呈负相关(R2=0.36—0.42,n=41—304,P<0.0001),而与无机碳呈显著正相关(R2=0.29—0.31,n=39—125,P<0.01)。表层土壤有机碳、无机碳与土壤理化性质呈相反变化趋势的结果说明,由于土壤利用方式变化所导致的土壤理化性质改变对土壤无机碳和有机碳可能具有相反影响。在研究土壤碳平衡过程中,应该充分考虑这种关系所导致的相互补偿作用,即有机碳的增加,可能意味着无机碳的减少,或者反之。目前研究中普遍忽略无机碳的变化,可能导致生态系统碳收支计算显著偏差,所获得的经验拟合方程有利于对我国东北地区土壤碳平衡研究产生的这种偏差进行粗略估计。 展开更多
关键词 中国东北 土壤理化性质 土壤有机碳 土壤无机碳
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Multi-functional SiC/Al Composites for Aerospace Applications 被引量:71
2
作者 Cui Yan Wang Lifeng Ren Jianyue 《Chinese Journal of Aeronautics》 SCIE EI CAS CSCD 2008年第6期578-584,共7页
Multi-functional Al-matrix composites with high volume fraction (55%-57%) of SiC particles are produced with the new pressureless infiltration fabrication technology. X-ray detection and microscopic observation disp... Multi-functional Al-matrix composites with high volume fraction (55%-57%) of SiC particles are produced with the new pressureless infiltration fabrication technology. X-ray detection and microscopic observation display the composites which are macroscopically homogeneous without porosity. The investigation further reveals that the SiC/Al composites possess low density (2.94 g/cm^3), high elastic modulus (220 GPa), prominent thermal management function as a result of low coefficient of thermal expansion (8 × 10^4 K^-1) and high thermal conductivity (235 W/(m.K)) as well as unique preventability of resonance vibration. By adopting a series of developed techniques, the multi-functional SiC/Al composites have managed to be made into near-net-shape parts. Many kinds of precision components of space-based optomechanical structures and airborne optoelectronic platform have been turned out. Of them, several typical products are being under test in practices. 展开更多
关键词 COMPOSITES multi-function INFILTRATION sic ALUMINUM aerospace applications
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基于SiC材料的空间相机非球面反射镜结构设计 被引量:65
3
作者 张学军 李志来 张忠玉 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2007年第5期577-582,共6页
针对空间相机中优质轻型光学反射镜对材料提出的要求,详细讨论了设计基于SiC材料空间反射镜的一系列问题,包括径厚比的选择、支撑点数量、轻量化结构形式、材料特性匹配等,提出了一种背部半封闭、三角形孔的轻量化形式,并设计制造了Φ60... 针对空间相机中优质轻型光学反射镜对材料提出的要求,详细讨论了设计基于SiC材料空间反射镜的一系列问题,包括径厚比的选择、支撑点数量、轻量化结构形式、材料特性匹配等,提出了一种背部半封闭、三角形孔的轻量化形式,并设计制造了Φ600 mm轻量化SiC反射镜实验件。抛光后反射镜面形精度优于λ/20 rms。为验证重力变形的影响,将反射镜分别旋转了90°和180°,用Zygo干涉仪检验,3个方向检测结果误差均小于λ/100 rms。在此基础上设计完成了某空间相机中的SiC非球面主镜、次镜、第三镜,结果表明基于SiC材料的反射镜在重力变形、谐振频率、热变形等方面均能满足使用要求,而且与玻璃材料相比,在很大程度上降低了重量。 展开更多
关键词 碳化硅 空间相机 反射镜 非球面
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碳化硅(SiC)基材料的高温氧化和腐蚀 被引量:47
4
作者 潘牧 南策文 《腐蚀科学与防护技术》 CAS CSCD 2000年第2期109-113,共5页
评述了近年来SiC材料氧化和腐蚀研究的进展 ,分析讨论SiC腐蚀氧化机理、影响因素、气氛和融盐等的影响 ,比较了SiC材料在不同条件下的氧化腐蚀情况 ,同时指出了存在的问题 .
关键词 碳化硅 氧化 腐蚀
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SiC MOSFET、Si CoolMOS和IGBT的特性对比及其在DAB变换器中的应用 被引量:57
5
作者 梁美 郑琼林 +2 位作者 可翀 李艳 游小杰 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2015年第12期41-50,共10页
碳化硅(Si C)半导体器件由于其宽禁带材料的优良特性受到了广泛关注。Si C半导体器件作为一种新型器件,对其与Si半导体器件的特性对比及评估越来越有必要。本文主要对比了Si C MOSFET、Si Cool MOS和IGBT的静态特性。并搭建了基于Buck... 碳化硅(Si C)半导体器件由于其宽禁带材料的优良特性受到了广泛关注。Si C半导体器件作为一种新型器件,对其与Si半导体器件的特性对比及评估越来越有必要。本文主要对比了Si C MOSFET、Si Cool MOS和IGBT的静态特性。并搭建了基于Buck变换器的测试平台,测试条件为输入电压为400V,电流为4~10A,对比了三种器件的开关波形、开关时间、开关损耗、dv/dt、di/dt以及内部二极管的反向恢复特性。设计了一台2k W的双主动全桥(DAB)变换器的实验样机,对比了应用三种器件的DAB变换器的理论效率和实测效率。 展开更多
关键词 sic MOSFET COOLMOS IGBT 特性 DAB变换器
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SiC颗粒增强Al基复合材料中有害界面反应的控制 被引量:38
6
作者 郭建 沈宁福 《材料科学与工程》 CAS CSCD 北大核心 2002年第4期605-608,600,共5页
对有害界面化学反应的控制 ,是当前SiC颗粒增强Al基复合材料研究中的主要问题之一。本文对近年来国内外研究工作者 ,通过添加Si元素及对SiC颗粒进行表面处理来控制SiC
关键词 sic 颗粒增强 AL基复合材料 有害界面反应 控制 碳化铝
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光导开关研究进展及其在脉冲功率技术中的应用 被引量:47
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作者 袁建强 谢卫平 +2 位作者 周良骥 陈林 王新新 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期171-176,共6页
概述了GaAs光导开关的发展历史,通过对GaAs和SiC进行比较指出,SiC由于禁带宽度大、击穿场强高、电子饱和漂移速度大、热导率高等优势被认为是更好的光导开关材料。比较了本征光电导和非本征光电导的不同之处,报道了利用本征光电导和非... 概述了GaAs光导开关的发展历史,通过对GaAs和SiC进行比较指出,SiC由于禁带宽度大、击穿场强高、电子饱和漂移速度大、热导率高等优势被认为是更好的光导开关材料。比较了本征光电导和非本征光电导的不同之处,报道了利用本征光电导和非本征光电导的SiC光导开关的最新进展。介绍了光导开关在超宽带源和紧凑型脉冲功率系统中的应用,提出了SiC光导开关进一步发展的关键技术并进行了展望。 展开更多
关键词 光导开关 砷化镓 碳化硅 脉冲功率 超宽带源 紧凑型脉冲功率系统
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碳化硅吸波性能改进的研究 被引量:37
8
作者 葛凯勇 王群 +2 位作者 张晓宁 毛倩瑾 周美玲 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2002年第3期263-266,共4页
采用三种不同的方法对碳化硅粉在2-18GHz范围的吸波性能进行了改进。化学还原的方法制备出粒度约为0.2μm左右的超细镍粉,与碳化硅混和,在一定的配比下制备成吸波涂层材料,大幅度改善了吸波性能。吸波涂层最小反射率能够达到-23.59dB。... 采用三种不同的方法对碳化硅粉在2-18GHz范围的吸波性能进行了改进。化学还原的方法制备出粒度约为0.2μm左右的超细镍粉,与碳化硅混和,在一定的配比下制备成吸波涂层材料,大幅度改善了吸波性能。吸波涂层最小反射率能够达到-23.59dB。提出了微观层复合的设想,并利用化学镀的方法对碳化硅粉表面进行了改性处理,使金属镍沉积在碳化硅颗粒的表面,材料在合理配比下的最小反射率为-22.07dB。采用宏观层复合的方法,将超细镍粉涂层与碳化硅涂层复合制备成多层吸波材料,改善了吸收峰值和吸收带宽。 展开更多
关键词 吸波性能 改进 碳化硅 超细粉 化学镀
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SiC和SiC/Al在TMA空间遥感器中的应用 被引量:44
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作者 任建岳 陈长征 +1 位作者 何斌 王兵 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第12期2537-2543,共7页
简述了空间遥感器的空间应用环境和三反射镜消像散(TMA)轻型遥感器的特点,介绍了遥感器设计中材料选择的重要性及影响,在TMA轻型遥感器研制中选用了具有高导热性和高比刚度的SiC和SiC/Al复合材料。对SiC和SiC/Al复合材料与常用光机材料... 简述了空间遥感器的空间应用环境和三反射镜消像散(TMA)轻型遥感器的特点,介绍了遥感器设计中材料选择的重要性及影响,在TMA轻型遥感器研制中选用了具有高导热性和高比刚度的SiC和SiC/Al复合材料。对SiC和SiC/Al复合材料与常用光机材料的空间应用综合品质因子进行了比较,SiC材料的综合品质因子为8072.92,是常用光学材料的3~8倍,高体分SiC/Al复合材料的综合品质因子为1687.50,为常用机械材料的5~9倍。对遥感器的主框架进行了模态分析和试验,验证了分析计算模型的正确性;对遥感器进行了空间环境下光机热的集成计算,得出了在空间环境下遥感器的光学传递函数。计算及实验证明,这些材料的应用提高了遥感器的机械性能和热性能,提高了TMA轻型空间遥感器的空间适应能力。 展开更多
关键词 空间遥感器 比刚度 热稳定性 sic sic/AL
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碳化硅轻型反射镜技术 被引量:38
10
作者 马文礼 沈忙作 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 1999年第2期8-12,共5页
给出了常用的轻质材料,对比分析了碳化硅的材料特性。介绍了碳化硅反射镜制造中的几个关键技术,包括RB碳化硅反射镜毛坯制造,SiC涂层技术和SiC反射镜的加工技术。
关键词 轻型反射镜 碳化硅 反射镜 空间光学系统
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碳化硅陶瓷的应用现状 被引量:44
11
作者 柴威 邓乾发 +2 位作者 王羽寅 李振 袁巨龙 《轻工机械》 CAS 2012年第4期117-120,共4页
碳化硅陶瓷是一种极其重要的材料,它在工程领域和各行各业都有广泛的应用。文章简述了碳化硅陶瓷的发展过程,综述了其在陶瓷球、磨料磨具、碳化硅陶瓷基复合材料以及其他方面的应用。展望了碳化硅陶瓷在工业领域的应用前景以及高技术碳... 碳化硅陶瓷是一种极其重要的材料,它在工程领域和各行各业都有广泛的应用。文章简述了碳化硅陶瓷的发展过程,综述了其在陶瓷球、磨料磨具、碳化硅陶瓷基复合材料以及其他方面的应用。展望了碳化硅陶瓷在工业领域的应用前景以及高技术碳化硅陶瓷的重要应用,提出发展碳化硅陶瓷生产技术应有紧迫感。 展开更多
关键词 碳化硅 陶瓷球 磨料磨具 复合材料
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寄生参数对SiC MOSFET栅源极电压影响的研究 被引量:42
12
作者 巴腾飞 李艳 梁美 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2016年第13期64-73,共10页
为分析寄生参数对开关过程中碳化硅(Si C)MOSFET栅源极电压的影响,首先建立了基于同步Buck变换器的Si C MOSFET开通和关断过程的数学模型;然后通过仿真和实验结果对比,验证了寄生参数带来的影响;最后分析了开关过程中各寄生参数对Si C M... 为分析寄生参数对开关过程中碳化硅(Si C)MOSFET栅源极电压的影响,首先建立了基于同步Buck变换器的Si C MOSFET开通和关断过程的数学模型;然后通过仿真和实验结果对比,验证了寄生参数带来的影响;最后分析了开关过程中各寄生参数对Si C MOSFET栅源极电压的影响。 展开更多
关键词 sic MOSFET 寄生参数 开关模型 栅源极电压
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电子封装用粉末冶金材料 被引量:31
13
作者 王铁军 周武平 +1 位作者 熊宁 刘国辉 《粉末冶金技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期145-151,共7页
本文阐述了电子封装材料的基本要求与状况,对传统封装材料Al2O3、BeO、SiC的制备工艺、性能指标进行了介绍,着重分析了新型电子封装材料AlN、W/Cu、Mo/Cu、SiC/Al的性能特点和粉末冶金制备工艺的最新研究进展。
关键词 粉末冶金材料 电子封装材料 制备工艺 AL2O3 性能指标 研究进展 性能特点 sic BEO A1N 重分析 Cu
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纳米SiC颗粒增强铝基复合材料研究 被引量:29
14
作者 肖永亮 李亚利 +2 位作者 梁勇 卢柯 周本濂 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1996年第6期658-662,共5页
用粉末冶金方法制备了纳米尺寸SiC颗粒增强铝基复合材料,并将其组织及性能与相同工艺制备的纯铝和微米尺寸SiC颗粒增强的铝基复合材料(增强相的体积分数相同)进行了对比.与微米颗粒相比,纳米颗粒增强的复合材料组织均匀而细... 用粉末冶金方法制备了纳米尺寸SiC颗粒增强铝基复合材料,并将其组织及性能与相同工艺制备的纯铝和微米尺寸SiC颗粒增强的铝基复合材料(增强相的体积分数相同)进行了对比.与微米颗粒相比,纳米颗粒增强的复合材料组织均匀而细小,硬度及电阻均有较大幅度的升高. 展开更多
关键词 纳米陶瓷粉 铝基 复合材料 碳化硅
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大功率半导体器件的发展与展望 被引量:34
15
作者 钱照明 盛况 《大功率变流技术》 2010年第1期1-9,共9页
回顾了现代电力电子器件的发展历史,涉及的器件包括晶闸管、GTO、IGCT、MTO、IGBT、各种改进型的IGBT以及CoolMOS。叙述了采用新型材料的电力电子器件的发展和前景,应用碳化硅和氮化镓材料的功率器件正在迅速地发展,一些器件有望在不远... 回顾了现代电力电子器件的发展历史,涉及的器件包括晶闸管、GTO、IGCT、MTO、IGBT、各种改进型的IGBT以及CoolMOS。叙述了采用新型材料的电力电子器件的发展和前景,应用碳化硅和氮化镓材料的功率器件正在迅速地发展,一些器件有望在不远的将来实现商品化,进入电力电子技术市场。 展开更多
关键词 电力电子器件 碳化硅 氮化镓 发展 展望
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Effect of SiC whiskers on the oxidation protective properties of SiC coatings for carbon/carbon composites 被引量:33
16
作者 SHI Xiaohong LI Hejun FU Qiangang LI Kezhi ZHANG Xiulian 《Rare Metals》 SCIE EI CAS CSCD 2006年第1期58-62,共5页
In order to effectively employ the unique high temperature mechanical properties of carbon/carbon composite substrates, SiC coatings reinforced by SiC whiskers were prepared by pack cementation method. The effect of S... In order to effectively employ the unique high temperature mechanical properties of carbon/carbon composite substrates, SiC coatings reinforced by SiC whiskers were prepared by pack cementation method. The effect of SiC whiskers on the oxidation resistance properties of the single-layer coating and double-layer coating was investigated. SiC whiskers in the single-layer SiC coating have little effect on the anti-oxidation property but obviously improve the thermal shock property. The double-layer coating with inner-layer reinforced coating exhibits more perfect anti-oxidation ability than the double-layer coating with SiC inner-layer coating. 展开更多
关键词 carbon/carbon composites sic coating oxidation protection sic whiskers
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Si和SiC功率器件结温提取技术现状及展望 被引量:37
17
作者 王莉娜 邓洁 +1 位作者 杨军一 李武华 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2019年第4期703-716,共14页
对功率半导体器件结温的在线准确提取是实现器件智能控制、性能评估、主动热管理、健康状态评估及优化器件寿命等的重要基础。本文梳理了现有基于温敏参数的Si(硅)和SiC(碳化硅)功率器件结温提取方法的机理和主要特点,从灵敏度、测量频... 对功率半导体器件结温的在线准确提取是实现器件智能控制、性能评估、主动热管理、健康状态评估及优化器件寿命等的重要基础。本文梳理了现有基于温敏参数的Si(硅)和SiC(碳化硅)功率器件结温提取方法的机理和主要特点,从灵敏度、测量频率、侵入性和线性度等指标对已有方法进行了性能评估。在此基础上,结合SiC JFET(结型场效应晶体管)器件的温度特性,提出一种新颖的基于栅-源极间寄生PN结击穿电压的SiC JFET器件非侵入性在线结温提取方法,仿真结果证明了所提出方法的正确性和有效性。 展开更多
关键词 功率半导体器件 碳化硅 结温提取 温敏参数
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纳米SiC水悬浮液稳定性的研究 被引量:21
18
作者 郭小龙 陈沙鸥 戚凭 《青岛大学学报(自然科学版)》 CAS 2001年第1期29-33,共5页
本文选用SiC纳米粉料,分别以聚乙二醇(PEG)和两种分子量不同的聚甲基丙烯酸铵(PMAA-NH4)作分散剂来制备稳定分散的2vol%纳米SiC水悬浮液。通过沉降实验和粘度测量,研究SiC纳米颗粒水悬浮液的分散特征及最佳分散条件。
关键词 纳米颗粒 分散 电空间稳定 空间位阻稳定 碳化硅 水悬浮液 聚乙二醇 聚甲基丙烯酸铵
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空间用碳化硅反射镜的设计制造与测试 被引量:34
19
作者 张剑寒 张宇民 +2 位作者 韩杰才 赫晓东 姚旺 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期179-184,共6页
碳化硅由于其优异的机械性能和热物理性能而成为颇具吸引力的反射镜材料。采用反应烧结碳化硅(RB-SiC)材料制备了空间用反射镜体,用化学气相沉积(CVD)工艺在镜体镜面沉积一层致密的碳化硅薄膜,反射镜采用蜂窝状背面开放式轻量化结构。... 碳化硅由于其优异的机械性能和热物理性能而成为颇具吸引力的反射镜材料。采用反应烧结碳化硅(RB-SiC)材料制备了空间用反射镜体,用化学气相沉积(CVD)工艺在镜体镜面沉积一层致密的碳化硅薄膜,反射镜采用蜂窝状背面开放式轻量化结构。对直径为250 mm反射镜的组织、性能做了一系列研究测试。结果表明:反射镜体为Si/SiC两相组织,薄膜为单相SiC,反射镜的机械、热性能优异,薄膜与基体结合强度为345.5 MPa,研磨后镜面表面粗糙度达到1.487 nm rms。采用本文工艺方法有能力制备米级直径的空间用碳化硅反射镜。 展开更多
关键词 空间用反射镜 反应烧结 化学气相沉积 碳化硅 光学加工 光学检验
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宽带隙半导体材料SiC研究进展及其应用 被引量:21
20
作者 王玉霞 何海平 汤洪高 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期372-381,共10页
SiC是第 3代宽带隙半导体的核心材料之一 ,具有极为优良的物理化学性能 ,应用前景十分广阔 .本文综合介绍SiC的基本特性 ,材料的生长技术 (包括体单晶生长和薄膜外延生长技术 ) ,SiC基器件的研发现状 ,应用领域及发展前景 .同时还介绍... SiC是第 3代宽带隙半导体的核心材料之一 ,具有极为优良的物理化学性能 ,应用前景十分广阔 .本文综合介绍SiC的基本特性 ,材料的生长技术 (包括体单晶生长和薄膜外延生长技术 ) ,SiC基器件的研发现状 ,应用领域及发展前景 .同时还介绍了作者用脉冲激光淀积法在Si衬底上制备出单晶 4H 展开更多
关键词 宽带隙半导体材料 sic 应用 碳化硅 体单晶生长 薄膜 半导体器件
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