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氮化硅覆铜基板活性钎焊研究进展
被引量：
3
1
作者
李伸虎
李文涛
+2 位作者
陈卫民
王捷
吴懿平
《电子工艺技术》
2022年第4期187-191,203,共6页
随着新一代SiC基功率模块器件朝着高功率密度、高工作温度方向快速发展,具备更高可靠性的Si_(3)N_(4)-AMB基板已逐步替代传统的DBC基板,成为SiC器件的首选。从SiC器件对高可靠性封装基板的需求出发,介绍了近年来Si_(3)N_(4)-AMB覆铜基...
随着新一代SiC基功率模块器件朝着高功率密度、高工作温度方向快速发展,具备更高可靠性的Si_(3)N_(4)-AMB基板已逐步替代传统的DBC基板,成为SiC器件的首选。从SiC器件对高可靠性封装基板的需求出发,介绍了近年来Si_(3)N_(4)-AMB覆铜基板的研究现状,主要包括Si_(3)N_(4)-AMB覆铜基板的制备工艺、铜/氮化硅陶瓷界面的空洞率控制及高低温冲击可靠性三大方面。
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关键词
si
_
(3)
n
_
(4)-
amb
基板
制备工艺
空洞率
温度冲击
可靠性
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职称材料
题名
氮化硅覆铜基板活性钎焊研究进展
被引量：
3
1
作者
李伸虎
李文涛
陈卫民
王捷
吴懿平
机构
华中科技大学材料科学与工程学院
广州先艺电子科技有限公司
出处
《电子工艺技术》
2022年第4期187-191,203,共6页
文摘
随着新一代SiC基功率模块器件朝着高功率密度、高工作温度方向快速发展,具备更高可靠性的Si_(3)N_(4)-AMB基板已逐步替代传统的DBC基板,成为SiC器件的首选。从SiC器件对高可靠性封装基板的需求出发,介绍了近年来Si_(3)N_(4)-AMB覆铜基板的研究现状,主要包括Si_(3)N_(4)-AMB覆铜基板的制备工艺、铜/氮化硅陶瓷界面的空洞率控制及高低温冲击可靠性三大方面。
关键词
si
_
(3)
n
_
(4)-
amb
基板
制备工艺
空洞率
温度冲击
可靠性
Keywords
si
_
(3)
n
_
(4)-
amb
substrate
preparatio
n
process
void rate
thermal shock
reliability
分类号
TN3 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
氮化硅覆铜基板活性钎焊研究进展
李伸虎
李文涛
陈卫民
王捷
吴懿平
《电子工艺技术》
2022
3
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