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SiOP介质膜及其对InGaAsP/InP量子阱激光结构混合无序的影响
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作者 王永晨 杨格丹 +2 位作者 赵杰 李彦 刘明成 《天津师范大学学报（自然科学版）》 CAS 2003年第4期36-39,共4页
用等离子体增强化学沉积(PECVD)方法制备了一种新的电介质薄膜—SiOP,用X射线光电子谱(XPS)和光荧光(PL)研究了膜的结构及膜对1.55μmInGaAsP/InP量子阱激光结构带隙的影响.XPS分析表明,该膜中存在SiO和PO键,P(2p)态键能为134.6eV.PL测... 用等离子体增强化学沉积(PECVD)方法制备了一种新的电介质薄膜—SiOP,用X射线光电子谱(XPS)和光荧光(PL)研究了膜的结构及膜对1.55μmInGaAsP/InP量子阱激光结构带隙的影响.XPS分析表明,该膜中存在SiO和PO键,P(2p)态键能为134.6eV.PL测量首次获得223.6meV的最大带隙蓝移.该技术在光子集成和光电子集成电路(PIC's,OEIC's)中有广泛的应用前景. 展开更多
关键词 siop介质膜及 PECVD 量子阱混合QWI 电介质薄膜 激光结构 等离子体增强化学沉积法 光纤通讯
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