ULSI电路层间SiO_2介质CMP工艺与抛光液 被引量：6

1

作者 孙鸣 刘玉岭 +2 位作者 贾英茜 刘博 刘长宇 《微纳电子技术》 CAS 2006年第11期549-552,共4页

阐明了化学机械抛光(CMP)工艺在集成电路制造中所发挥的关键作用,介绍了作为IC多层布线层间介质SiO2的化学机械抛光机理及其抛光液在化学机械抛光中扮演的重要角色,着重分析了影响SiO2介质化学机械抛光质量的主要因素并在此基础上提出CM... 阐明了化学机械抛光(CMP)工艺在集成电路制造中所发挥的关键作用,介绍了作为IC多层布线层间介质SiO2的化学机械抛光机理及其抛光液在化学机械抛光中扮演的重要角色,着重分析了影响SiO2介质化学机械抛光质量的主要因素并在此基础上提出CMP工艺的优化工艺条件以及今后SiO2介质CMP研究重点。 展开更多

关键词 化学机械抛光 sio2介质 去除速率

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二氯硅酞菁染料在SiO_2介质中的掺入及光学效应 被引量：3

2

作者 章践立 王金浩 夏海平 《材料导报》 EI CAS CSCD 2002年第2期69-71,共3页

用溶胶-凝胶低温合成非晶态技术,成功地把二氯硅酞菁染料掺入到SiO_2无机凝胶介质中。对材料的吸收特性作了测定与讨论。用脉宽8ns,波长532nm的Nd^(3+):YAG激光对凝胶固体材料的光限幅效应作了初步的研究。

关键词 光学限幅器 二氯硅钛菁 光限幅 sio2介质 染料 二氧化硅介质 光学效应

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抛光液各组分在SiO_2介质CMP中的作用机理分析 被引量：3

3

作者 梁蒲 檀柏梅 +2 位作者 刘玉岭 张研 陈婷 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第3期252-255,共4页

介绍了超大规模集成电路中SiO2介质的化学机械抛光机理及抛光液在化学机械抛光中扮演的重要角色。通过单因素实验法,在低压力的实验环境下,着重分析了抛光液中表面活性剂、pH值调节剂、纳米磨料等成分在SiO2介质化学机械抛光中的具体作... 介绍了超大规模集成电路中SiO2介质的化学机械抛光机理及抛光液在化学机械抛光中扮演的重要角色。通过单因素实验法,在低压力的实验环境下,着重分析了抛光液中表面活性剂、pH值调节剂、纳米磨料等成分在SiO2介质化学机械抛光中的具体作用及影响机理。最终得出,最优化的实验配比,即当表面活性剂的浓度为30mol/L,pH值为11.30,硅溶胶与去离子水的体积比为2:1时,在保证较低表面粗糙度的同时得到了较高的抛光速率476nm/min。 展开更多

关键词 化学机械抛光 sio2介质 抛光液 抛光速率 表面粗糙度

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多脉冲激光作用下光学薄膜损伤的累积效应 被引量：11

4

作者 王涛 赵元安 +3 位作者 黄建兵 贺洪波 邵建达 范正修 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期859-862,共4页

研究了高反射膜在多脉冲激光作用下损伤的累积效应·实验中使用1064nm调Q的Nd∶YAG激光器,脉宽是12ns,频率为10Hz·实验发现:高反射膜的损伤阈值随辐照脉冲数增加而降低,表现出明显的累积效应·通过对损伤阈值和损伤概率以... 研究了高反射膜在多脉冲激光作用下损伤的累积效应·实验中使用1064nm调Q的Nd∶YAG激光器,脉宽是12ns,频率为10Hz·实验发现:高反射膜的损伤阈值随辐照脉冲数增加而降低,表现出明显的累积效应·通过对损伤阈值和损伤概率以及辐照次数的统计性研究,并结合单脉冲辐照的结果,说明了存在于薄膜中微小的缺陷参与了多脉冲激光对薄膜的损伤过程,得到了制备IBS高反射膜的损伤阈值和照射次数的关系式,用Nomarski偏光显微镜观察了实验过程中样品的损伤形貌,发现是典型的缺陷损伤· 展开更多

关键词 Ta2O5/sio2介质反射膜 累积效应 单脉冲 多脉冲 损伤阈值

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重复率激光作用下光学薄膜损伤的累积效应 被引量：11

5

作者 王涛 赵元安 +3 位作者 黄建兵 贺洪波 劭建达 范正修 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第B04期171-174,共4页

使用脉宽12 ns,频率10 Hz的1064 nm调Q Nd:YAG激光器,研究了高反射膜在重复率激光作用下的损伤的累积效应。实验发现,高反射膜的损伤阈值随辐照脉冲数增加而降低,表现出明显的累积效应。通过对损伤阈值和损伤概率以及辐照次数的统计性研... 使用脉宽12 ns,频率10 Hz的1064 nm调Q Nd:YAG激光器,研究了高反射膜在重复率激光作用下的损伤的累积效应。实验发现,高反射膜的损伤阈值随辐照脉冲数增加而降低,表现出明显的累积效应。通过对损伤阈值和损伤概率以及辐照次数的统计性研究,并结合单脉冲辐照的结果,说明了存在于薄膜中微小的缺陷参与了多脉冲激光对薄膜的损伤过程。可用预损伤机制解释实验结果。得到了关于IBS制备的高反射膜的损伤阈值和照射次数的关系式,并用实验结果进行验证,发现具有很好的一致性。实验过程中样品的损伤形貌通过Nomarski偏光显微镜进行了观察,发现是典型的缺陷损伤。 展开更多

关键词 Ta2O5/sio2介质反射膜 累积效应 重复率 缺陷

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基于LabView的SiO_2抗辐射能力无损评价系统

6

作者 张传丰 杜磊 +2 位作者 李伟华 包军林 闫家铭 《电子科技》 2010年第7期48-51,54,共5页

基于MOS器件中SiO2介质材料噪声灵敏表征技术,提出了SiO2介质材料抗辐射能力无损评价方法。结合噪声测试的经验及该模型为理论分析要求,使用LabView平台开发SiO2介质材料抗辐射无损评价系统。本系统由数据采集和数据分析两个部分组成,... 基于MOS器件中SiO2介质材料噪声灵敏表征技术,提出了SiO2介质材料抗辐射能力无损评价方法。结合噪声测试的经验及该模型为理论分析要求,使用LabView平台开发SiO2介质材料抗辐射无损评价系统。本系统由数据采集和数据分析两个部分组成,数据采集部分主要负责噪声时间序列与频谱的采集与保存,数据分析部分的主要功能为时间序和频谱的特征值分析及SiO2介质材料抗辐射能力分析与相应器件的筛选。实验结果表明,软件性能可靠,对MOSFETT抗辐射能力的评价准确。 展开更多

关键词 LABVIEW sio2介质材料 抗辐射 无损评价

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SiO_2介质材料辐射损伤测试结构设计

7

作者 陈伟华 杜磊 何亮 《电子科技》 2009年第12期52-54,57,共4页

为研究CMOS器件与电路的辐射效应,文中提出了SiO2介质材料辐射损伤测试结构的设计思想。针对栅氧化层和场氧化层在器件中位置、作用和结构上的差异,分别设计了用于场氧化层测试的多栅结构和用于栅氧化层测试的封闭栅结构以及Dog-Bone栅... 为研究CMOS器件与电路的辐射效应,文中提出了SiO2介质材料辐射损伤测试结构的设计思想。针对栅氧化层和场氧化层在器件中位置、作用和结构上的差异,分别设计了用于场氧化层测试的多栅结构和用于栅氧化层测试的封闭栅结构以及Dog-Bone栅结构。为CMOS器件辐射损伤机理及辐射加固提供了新的样品和研究方法。 展开更多

关键词 sio2介质材料 辐射损伤 测试结构

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高k栅介质材料的研究进展 被引量：2

8

作者 蔡苇 符春林 陈刚 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第2期97-100,共4页

综述了超薄SiO2栅介质层引起的问题、MOS栅介质层材料的要求、有希望取代传统SiO2的高k栅介质材料的研究进展。提出了高k栅介质材料研究中需进一步解决的问题。

关键词 高K栅介质 sio2栅介质 等效氧化物

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新型SiO_2栅介质非晶硅薄膜晶体管室温红外探测器 被引量：1

9

作者 刘兴明 韩琳 刘理天 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2006年第6期764-766,770,共4页

对用作室温红外探测敏感单元的非晶硅薄膜晶体管进行了研究,提出了一种新型SiO2栅介质非晶硅薄膜晶体管室温红外探测器。该探测器的基本工作机理与传统的SiNx栅介质薄膜晶体管相类似,但在器件性能方面不仅具有较高的响应度,而且具有更... 对用作室温红外探测敏感单元的非晶硅薄膜晶体管进行了研究,提出了一种新型SiO2栅介质非晶硅薄膜晶体管室温红外探测器。该探测器的基本工作机理与传统的SiNx栅介质薄膜晶体管相类似,但在器件性能方面不仅具有较高的响应度,而且具有更好的温度稳定性;在制作工艺方面具有更高的工艺重复性和栅介质淀积的均匀性。 展开更多

关键词 非晶硅薄膜晶体管 室温红外探测器 sio2栅介质

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具有86 mV/dec亚阈值摆幅的MoS_2/SiO_2场效应晶体管（英文）

10

作者 刘强 蔡剑辉 +7 位作者 何佳铸 王翼泽 张栋梁 刘畅 任伟 俞文杰 刘新科 赵清太 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第5期543-549,共7页

在SiO_2/Si(P^(++))衬底上制备了多层MoS_2背栅器件并进行了测试.通过合理优化和采用10 nm SiO_2栅氧,得到了良好的亚阈值摆幅86 mV/dec和约107倍的电流开关比.该器件具有较小的亚阈值摆幅和较小的回滞幅度,表明该器件具有较少的界面态... 在SiO_2/Si(P^(++))衬底上制备了多层MoS_2背栅器件并进行了测试.通过合理优化和采用10 nm SiO_2栅氧,得到了良好的亚阈值摆幅86 mV/dec和约107倍的电流开关比.该器件具有较小的亚阈值摆幅和较小的回滞幅度,表明该器件具有较少的界面态/氧化物基团吸附物.由栅极漏电造成的漏极电流噪声淹没了该器件在小电流(~10^(-13)A)处的信号,限制了其开关比测量范围.基于本文以及前人工作中MoS_2器件的表现,基于薄层SiO_2栅氧的MoS_2器件表现出了良好的性能和潜力,显示出丰富的应用前景. 展开更多

关键词 MoS2场效应晶体管 良好的亚阈值斜率 sio2栅介质 界面态密度

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新一代栅介质材料——高K材料 被引量：4

11

作者 李驰平 王波 +1 位作者 宋雪梅 严辉 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期17-20,25,共5页

介绍了微电子工业的发展趋势和Si O2作为CMOS栅介质减薄所带来的问题,从而引出对高K材料的需求,简单介绍了作为栅极介质的各种高介电常数材料的性能的比较及制备高K薄膜的主要方法,总结了一些高K材料的研究现状,论述了目前有待进一步解... 介绍了微电子工业的发展趋势和Si O2作为CMOS栅介质减薄所带来的问题,从而引出对高K材料的需求,简单介绍了作为栅极介质的各种高介电常数材料的性能的比较及制备高K薄膜的主要方法,总结了一些高K材料的研究现状,论述了目前有待进一步解决的问题,并展望了高K材料的发展趋势。 展开更多

关键词 高K材料 sio2栅介质减薄 等效sio2厚度 介质材料 高介电常数材料 一代 发展趋势 微电子工业 CMOS sio2

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恒压应力下超薄Si_3N_4/SiO_2叠层栅介质与SiO_2栅介质寿命比较

12

作者 林钢 徐秋霞 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第12期1717-1721,共5页

以等效氧化层厚度 (EOT)同为 2 .1nm的纯 Si O2 栅介质和 Si3N4 / Si O2 叠层栅介质为例 ,给出了恒定电压应力下超薄栅介质寿命预测的一般方法 ,并在此基础上比较了纯 Si O2 栅介质和 Si3N4 / Si O2 叠层栅介质在恒压应力下的寿命 .结... 以等效氧化层厚度 (EOT)同为 2 .1nm的纯 Si O2 栅介质和 Si3N4 / Si O2 叠层栅介质为例 ,给出了恒定电压应力下超薄栅介质寿命预测的一般方法 ,并在此基础上比较了纯 Si O2 栅介质和 Si3N4 / Si O2 叠层栅介质在恒压应力下的寿命 .结果表明 ,Si3N4 / Si O2 叠层栅介质比同样 EOT的纯 Si O2 栅介质有更长的寿命 ,这说明 Si3N4 / Si O2 叠层栅介质有更高的可靠性 . 展开更多

关键词 恒压应力 超薄Si3N4/sio2 叠层栅介质 超薄sio2栅介质 栅介质寿命预测

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Si_3N_4/SiO_2复合栅介质电离辐照的电子能谱分析 被引量：1

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作者 范隆 郝跃 +1 位作者 严荣良 陆妩 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期302-305,共4页

采用氩离子刻蚀X光激发电子能谱分析方法对Si3N4/SiO2/Si复合栅介质系统进行电离辐照剖析.实验结果表明存在一个由Si3N4和SiO2构成的界面区及由SiO2和Si构成的界面区,电离辐照能将SiO2/Si界面区中心向Si3N4/SiO2界面方向推移,同时SiO2/S... 采用氩离子刻蚀X光激发电子能谱分析方法对Si3N4/SiO2/Si复合栅介质系统进行电离辐照剖析.实验结果表明存在一个由Si3N4和SiO2构成的界面区及由SiO2和Si构成的界面区,电离辐照能将SiO2/Si界面区中心向Si3N4/SiO2界面方向推移,同时SiO2/Si界面区亦被电离辐照展宽;电离辐照相当程度地减少位于SiO2/Si界面至Si衬底之间Si过渡态的浓度.在同样偏置电场中辐照,随着辐照剂量的增加SiO2/Si界面区中Si过渡态键的断开量也增加,同时辐照中所施偏置电场对SiO2/Si界面区Si过渡态键断开有显著作用.并对实验现象进行了机制分析. 展开更多

关键词 Si3N4/sio2复合栅介质 电离辐照 X光激发电子能谱 氢离子刻蚀 Si过渡态

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二氧化硅光栅耦合增强二硫化钼1550nm红外光电效应

14

作者 陆鼎 郝昕 +5 位作者 罗国凌 姚梦麒 谢修敏 陈庆敏 谭超 王泽高 《四川大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2024年第6期9-16,共8页

二硫化钼(MoS_(2))作为最有前景的二维半导体材料之一,在光电子器件领域具有广泛的应用前景.而多层MoS_(2)带隙宽度为1.20 eV,导致其在1033 nm以上波长的光吸收弱,影响其在更长波长范围的光电探测.介质光栅工程作为一种光学调控手段,可... 二硫化钼(MoS_(2))作为最有前景的二维半导体材料之一,在光电子器件领域具有广泛的应用前景.而多层MoS_(2)带隙宽度为1.20 eV,导致其在1033 nm以上波长的光吸收弱,影响其在更长波长范围的光电探测.介质光栅工程作为一种光学调控手段,可有效调控光的局域场强和电场分布,从而增强光与物质相互作用.本研究利用二氧化硅(SiO_(2))介质光栅工程对MoS_(2)晶体管进行调控,以探究其在1550 nm下的光电效应.研究发现,在MoS_(2)沟道区域耦合SiO_(2)介质光栅可将晶体管迟滞电压从1.68 V降至0 V;在10 mW/cm^(2)光照下,SiO_(2)光栅所形成的局域电场使器件载流子迁移率从3.52 cm^(2)/(V·s)提高至5.67 cm^(2)/(V·s);与此同时,光栅结构的耦合将MoS_(2)晶体管光响应从162 mA/W提高至263 mA/W.上述工作进一步推动了二维半导体介质光栅工程的研究和发展,并为二维材料在1033 nm以上波长光电子器件的发展提供了参考. 展开更多

关键词 二硫化钼 光电子器件 sio_(2)介质光栅工程 光电效应

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