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SiO_2/SiC界面对4H-SiC n-MOSFET反型沟道电子迁移率的影响 被引量：4
1
作者 徐静平 吴海平 +1 位作者 黎沛涛 韩弼 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期200-205,共6页
提出了一种基于器件物理的 4 H- Si C n- MOSFET反型沟道电子迁移率模型 .该模型包括了界面态、晶格、杂质以及表面粗糙等散射机制的影响 ,其中界面态散射机制考虑了载流子的屏蔽效应 .利用此模型 ,研究了界面态、表面粗糙度等因素对迁... 提出了一种基于器件物理的 4 H- Si C n- MOSFET反型沟道电子迁移率模型 .该模型包括了界面态、晶格、杂质以及表面粗糙等散射机制的影响 ,其中界面态散射机制考虑了载流子的屏蔽效应 .利用此模型 ,研究了界面态、表面粗糙度等因素对迁移率的影响 ,模拟结果表明界面态和表面粗糙度是影响沟道电子迁移率的主要因素 .其中 ,界面态密度决定了沟道电子迁移率的最大值 ,而表面粗糙散射则制约着高场下的电子迁移率 .该模型能较好地应用于器件模拟 . 展开更多
关键词 sic n—M0sFET sio2/sic界面 迁移率
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SiO_2/4H-SiC(0001)界面过渡区的ADXPS研究 被引量：2
2
作者 王德君 赵亮 +3 位作者 朱巧智 马继开 陈素华 王海波 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期944-949,共6页
采用角依赖X射线光电子谱技术（ADXPS）对高温氧化SiO2／4H—SiC（0001）界面过渡区的组成、成分分布等进行了研究．通过控制1％浓度HF酸刻蚀氧化膜的时间，制备出超薄膜（1～1．5nm）样品，同时借助标准物对照分析，提高了谱峰分解的... 采用角依赖X射线光电子谱技术（ADXPS）对高温氧化SiO2／4H—SiC（0001）界面过渡区的组成、成分分布等进行了研究．通过控制1％浓度HF酸刻蚀氧化膜的时间，制备出超薄膜（1～1．5nm）样品，同时借助标准物对照分析，提高了谱峰分解的可靠性．结果显示，高温氧化形成的SiO2／4H-SiC（0001）界面，同时存在着Si^，Si^2＋，Si^3＋ 3种低值氧化物，变角分析表明，一个分层模型适合于描述该过＋渡区的成分分布．建立了过渡区的原子级模型并计算了氧化膜厚度．结合过渡区各成分含量的变化及电容-电压（C-V）测试分析，揭示了过渡区成分与界面态的直接关系． 展开更多
关键词 sio2/sic界面 4H—sic ADXPS 界面态 缺陷
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n型4H-SiC湿氧二次氧化退火工艺与SiO_2/SiC界面研究 被引量：2
3
作者 马继开 王德君 +2 位作者 朱巧智 赵亮 王海波 《北京科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第11期1282-1285,共4页
在传统氧化工艺的基础上,结合低温湿氧二次氧化退火制作4H-SiCMOS电容.通过I-V测试,结合Fowler-Nordheim(F-N)隧道电流模型分析了氧化膜质量;使用Terman法计算了SiO2/SiC界面态密度;通过XPS测试对采取不同工艺的器件界面结构进行了对比... 在传统氧化工艺的基础上,结合低温湿氧二次氧化退火制作4H-SiCMOS电容.通过I-V测试,结合Fowler-Nordheim(F-N)隧道电流模型分析了氧化膜质量;使用Terman法计算了SiO2/SiC界面态密度;通过XPS测试对采取不同工艺的器件界面结构进行了对比.在该工艺下获得的氧化膜击穿场强为10MV.cm-1,SiC/SiO2势垒高度2.46eV,同时SiO2/SiC的界面性能明显改善,界面态密度达到了1011eV-1.cm-2量级,已经达到了制作器件的可靠性要求. 展开更多
关键词 4H-sic MOS电容 湿氧二次氧化退火 sio2/sic界面
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SiO_2/SiC界面过渡区结构研究 被引量：1
4
作者 朱巧智 王德君 +1 位作者 赵亮 李秀圣 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期259-261,共3页
采用高温热氧化法在4H-SiC(0001)晶面上生成SiO2膜,使用质量分数为1%的HF酸刻蚀该氧化膜,制备出超薄(1～1.5nm)SiO2/SiC界面样品。采用变角X射线光电子能谱(ADXPS)技术对样品进行分析,分析结果显示,高温氧化形成的SiO2/4H-SiC(0001)界... 采用高温热氧化法在4H-SiC(0001)晶面上生成SiO2膜,使用质量分数为1%的HF酸刻蚀该氧化膜,制备出超薄(1～1.5nm)SiO2/SiC界面样品。采用变角X射线光电子能谱(ADXPS)技术对样品进行分析,分析结果显示,高温氧化形成的SiO2/4H-SiC(0001)界面过渡区的成分分布情况,适合用一个分层模型来描述,进而建立了过渡区成分分布的原子级结构模型。 展开更多
关键词 sio2/sic界面 4H-sic 变角X射线光电子能谱 缺陷
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碳化硅MOS器件氧化层界面附近碳存在形式的理论研究进展
5
作者 王晓琳 王方方 +7 位作者 李玲 郑柳 秦福文 朱韫晖 李永平 刘瑞 杨霏 王德君 《智能电网（汉斯）》 2016年第1期12-17,共6页
由于材料自身的优异物理电学性质,宽带隙半导体碳化硅(SiC)高功率MOSFETs器件可以大幅度降低电力系统的能耗,成为电力电子器件领域的关注热点。然而SiC MOSFET器件中SiC/SiO2的界面态密度比Si/SiO2界面态密度高两个数量级左右,导致器件... 由于材料自身的优异物理电学性质,宽带隙半导体碳化硅(SiC)高功率MOSFETs器件可以大幅度降低电力系统的能耗,成为电力电子器件领域的关注热点。然而SiC MOSFET器件中SiC/SiO2的界面态密度比Si/SiO2界面态密度高两个数量级左右,导致器件沟道迁移率较低,致使器件性能严重退化。碳元素的存在是过高界面态产生的关键因素,研究SiC MOSFET器件中SiC/SiO2界面附近碳的存在形式,可以更好的指导碳化硅氧化工艺,更好的发挥碳化硅器件优势。本文首先分析了SiC/SiO2高界面态的根本原因,接着结合国内外最新的理论研究进展,对碳元素的扩散及固定模型、氧化后碳元素的存在形态等模型建模及理论研究进行了综述,为改善SiC器件氧化工艺提供基础理论指导。 展开更多
关键词 碳化硅MOS器件 sio2/sic界面 碳元素
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