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SiGe集成电路工艺技术现状及发展趋势 被引量：9
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作者 马羽 王志宽 崔伟 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2018年第4期508-514,共7页
介绍了基于SiGe材料的集成电路工艺技术概况,包括SiGe HBT器件结构、SiGe HBT特色双极工艺、SiGe BiCMOS工艺等。概述了SiGe工艺技术的应用情况以及国内外发展现状,并结合应用需求,提出了国内模拟集成电路制造用SiGe工艺技术的发展趋势。
关键词 异质结 sige HBT sige双极工艺 sige BICMOS工艺
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